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[发明专利]一种高功率a-IGZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202310762255.0在审
发明人： 杨光安;黄辰阳;朱洪;徐勇;孙华斌;于志浩;陈子龙;吴洁;朱力 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高功率a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法，包括基底、支撑层、栅电极层、栅介质层、a‑IGZO有源层、变掺杂区、源电极层和漏电极层，支撑层设于基底上表面；栅电极层设于支撑层上表面中部；栅介质层覆盖于所述栅电极层和所述支撑层上；a‑IGZO有源层设于栅介质层上表面，变掺杂区为a‑IGZO有源层右端经处理后形成的变掺杂区；源电极层设于a‑IGZO有源层上表面的左侧，漏电极层设于变掺杂区上表面的右侧。本发明提供的漂移区变掺杂结构通过调制漂移区中的电场分布，能够有效提升器件击穿电压，降低漂移区电阻，优化器件导通电阻，显著提升薄膜晶体管的Baliga优值，可以用以提升晶体管的耐压性能和输出电流能力。
一种功率 igzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法-CN202310275429.0在审
发明人：徐勇;刘源;陈泉桦;曹家荣;刘兆;曹锦绣;祝如俊;孙华斌;于志浩;吴洁;朱力;杨光安 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K10/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方蒸镀一层镍形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方依次形成有机半导体有源层和栅介质层，然后通过蒸镀的方式在栅介质层上方形成栅电极，本发明使用镍作为源漏电极，相较于传统使用金作为源漏电极的器件，其载流子迁移率有所提升，器件的阈值电压明显降低，尤其是在空气暴露的条件下，依然能够保持稳定的电学特性，主要电学参数衰减相对采用常规金电极的器件大幅降低。本申请所提供的制备方法提升了顶栅底接触聚合物场效应晶体管的电学性能及稳定性，具有工艺简单，操作便捷，成本低，稳定性高的特点。
基于电极稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法-CN202310326929.2在审
发明人：徐勇;窦存花;戴晓菡;严宇;孙华斌;于志浩;吴洁;朱力;杨光安 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述制备方法包括：首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极，本发明选用DPPT‑TT作半导体层，选用CYTOP作介电层，通过CYTOP介电层的最佳退火温度能在介电层和半导体层界面产生最多的偶极子数目，获得电学性能最优的有机晶体管器件。本申请所提供的基于氟化聚合物电介质的高性能有机场效应晶体管制备方法，在保证器件工作状态最佳的情况下，通过确认使用最佳介电层退火温度，优化了有机薄膜晶体管的迁移率、阈值电压和开关比。
一种基于氟化聚合物电介质有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法-CN202310261183.1在审
发明人：徐勇;戴晓菡;窦存花;严宇;陈子龙;孙华斌;于志浩;朱力;吴洁;杨光安 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于电子材料及器件技术领域，涉及一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法，晶体管包括：衬底、源漏电极、有机半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与有机半导体层接触的无氟聚合物介电层和位于其上的氟化聚合物介电层；首先以蒸镀的方式在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成有机半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极；本发明在无氟聚合物介电层上再旋涂一层氟化聚合物介电层，可以将有机场效应晶体管从双极性电荷传输调节为单极性电荷传输，揭示了用于未来有机电子的电介质的新功能，适宜发展相关的互补对称CMOS电路及应用。
一种基于氟化电介质双介电层有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202211239216.4在审
发明人：吴汪然;杨光安;黄庭瑞;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
一种耐压通电 igzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法-CN202210669888.2在审
发明人：吴汪然;黄庭瑞;俞祚旭;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的反相器及其制备方法，该方法包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；对IGZO有源层进行局部氢等离子体处理。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，使反相器上拉网络中的n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，相比于将栅漏短接的n型增强型IGZO薄膜晶体管作为上拉器件的反相器，本发明提供的反相器具有更高的增益和更大的摆幅；与此同时，该工艺简单快捷，便于操作，反应所用的气体源易获取，满足大规模工业生产的需求量。
一种基于 igzo 薄膜晶体管反相器及其制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法-CN201911149088.2有效
发明人：孙伟锋;王耀辉;宋华;张森;杨光安;张龙;吴汪然;刘斯扬;耿和龙;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法

[发明专利]一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源及其制备方法-CN202210669192.X在审
发明人：吴汪然;黄庭瑞;杨光安;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源的制备方法，包括：获取衬底；在衬底上形成栅电极层；在栅电极层上形成栅极介电层；在栅极介电层上形成IGZO有源层；在IGZO有源层上形成源极、漏极；通过对薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。通过氢等离子体处理工艺实现氢掺杂，提升沟道载流子浓度，使n型增强型IGZO薄膜晶体管转变为n型耗尽型IGZO薄膜晶体管，该工艺简便快捷、兼容性好，易于实现大规模生产。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的基准电压源，包括电流源子电路与基准电压子电路，对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现低线性灵敏度的基准电压源。
一种基于 igzo 薄膜晶体管基准电压及其制备方法

[发明专利]一种氧化物半导体双极型晶体管及其制备方法-CN202111638905.8在审
发明人：吴汪然;俞祚旭;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：基底；集电极，位于所述基底上；n型集电区，形成于所述集电极之上；p型基区，形成于所述n型集电区之上；n型发射区，形成于所述p型基区之上；基极，形成于所述p型基区之上靠近边缘位置；发射极，位于所述n型发射区上。本发明还提供了一种半导体双极型晶体管的制备方法，所有材料制备均可通过磁控溅射实现，操作简单，工艺成本较低。在沉积氧化物半导体薄膜时，通过选择合适的磁控溅射工艺过程中氩气与氧气的通气比例，以及退火环境和氛围，成功调整了薄膜中电子或空穴的浓度，使该器件成功实现双极型晶体管的特性。
一种氧化物半导体双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法-CN202110828889.2在审
发明人：吴汪然;李梦遥;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述创新型结构IGZO薄膜晶体管包括：基底、背栅、背栅介电层、源极、漏极、IGZO层、顶栅介电层、顶栅极。所述背栅电极层水平位置上与漏区电极具有0.2μm的交叠长度，水平位置上距离源区电极18μm的长度；所述的IGZO有源层分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的偏移区，沟道区长度20μm，偏移区长度0.1μm；所述的顶栅电极层水平位置上距离漏区电极0.1μm的长度，水平位置上与源区电极具有1μm的交叠长度。本发明制作的非对称双栅极IGZO薄膜晶体管，顶栅处偏移区的引入能够降低顶栅介电层中的峰值电场，提高器件的耐压特性。
一种 igzo 薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种高功率密度IGZO薄膜晶体管-CN202110544979.9在审
发明人：吴汪然;俞祚旭;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率密度IGZO薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一基底、第二基底；第二基底位于第一基底上；栅电极，位于所述第二基底上；第一层栅介电层位于所述栅电极之上的一端；第二层栅介电层位于所述栅电极之上，其一端覆盖住第一层栅介电层，二者构成“阶梯型”栅介电层；铟镓锌氧化物IGZO有源层，位于所述“阶梯型”栅介电层上并覆盖住第一层栅介电层和第二层栅介电层；第一源电极、第二漏电极，位于铟镓锌氧化物IGZO有源层上相对两侧，其中第二漏电极位于第一层栅介电层之上方一侧，第一源电极位于远离第一层栅介电层的另一侧。与传统的提升薄膜晶体管栅介电层尺寸的方法相比，该薄膜晶体管可以显著提升功率密度。
一种功率密度 igzo 薄膜晶体管

[发明专利]一种功率IGZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202110549758.0在审
发明人：吴汪然;李梦遥;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率IGZO薄膜晶体管及其制备方法，所述方法包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、源极、漏极、IGZO层、Al膜覆盖层。在水平方向上，所述栅电极层与源区电极的交叠长度为2μm，与漏区电极的偏移长度也为2μm；所述的IGZO有源层水平方向上分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的Al膜覆盖层，Al膜覆盖层长度为3μm，包含与漏区电极交叠长度1μm和栅漏偏移区长度2μm；制备好的Al膜覆盖层在300℃下N2氛围退火5‑10min。本发明的Al膜退火工艺，能够增加偏移区的电子浓度，显著降低偏移区的导通电阻，提高器件工作电流密度，进而有效提升功率密度。
一种功率 igzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]IGZO薄膜晶体管及其制造方法-CN201910949865.5在审
发明人：吴汪然;杨光安;林峰;孙贵鹏;王耀辉;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。本发明的IGZO层通过溶液工艺形成，并通过自旋掺杂工艺在沟道区表面掺杂V族杂质，能够提高沟道载流子浓度，从而提高器件工作电流密度；且由于掺杂采用溶液工艺，相比于离子注入等工艺不会造成IGZO层表面损伤。
igzo 薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构-CN201910861731.8在审
发明人：吴汪然;朱浩;王耀辉;杨光安;汤鹏宇;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。
球面电极板上钼片下钼片发射极曲率集电极芯片发射极金属集电极金属导通压降电流能力降低器件双轴应变提升器件向内凹陷压装结构压接式双轴凸台压接银片引入

[实用新型]一种冷却器中冷却水管查漏装置-CN201920057654.6有效
发明人：甄辉;曲东;王伟;游航;滕蔓;杨光安 -专利权人：广西平班水电开发有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G01M3/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及检修装备技术领域，具体讲的是一种冷却器中冷却水管查漏装置，包括第一基础板(2)；用于将待检测的冷却水管(3)的第一端封堵的封堵堵头(4)，第一接力器(5)，第二基础板(7)；用于将气体充入待检测的冷却水管(3)内的通气堵头(8)，所述通气堵头(8)内具有气体流道(9)，第二接力器(11)，固定在管道(10)上用于检测待检测的冷却水管(3)内的气压的压力表(12)。当需要检查冷却器中的冷却水管是否漏水时，打开气源，气源给待检测的冷却水管内充气，记录压力表的压力值，之后关闭气源，观察记录压力表的压力值是否下降，可以检查冷却水管是否渗漏。
冷却水管压力表冷却器检测堵头查漏装置基础板接力器封堵气源通气本实用新型关闭气源气体流道装备技术第一端充气记录漏水气压渗漏检查检修观察

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