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[发明专利]一种逆阻型IGBT-CN201711155364.7有效
发明人：罗小蓉;刘庆;魏杰;黄琳华;苏伟;魏雨夕;李聪;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
一种逆阻型 igbt

[发明专利]一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT-CN201710768209.6有效
发明人：罗小蓉;魏杰;黄琳华;邓高强;赵哲言;刘庆;曹厚华;孙燕;莫日华;曾莉尧 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
一种具有可控集电极 soi ligbt

[发明专利]一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201810131088.9有效
发明人：邓小川;徐少东;谭犇;李轩;曹厚华;曾莉尧;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。
一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种全金属外壳移动智能终端天线-CN201710545335.5有效
发明人：杨鹏;严魁锡;汪隽潇;杨峰;曾莉尧;曹厚华;丁柏浪 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种全金属外壳移动智能终端天线，属于天线技术领域。本发明包括：系统电路板，金属外壳，天线分支和馈电点，在系统电路板正面、背面设置有净空区域，金属外壳包括后盖和与其连接的周侧金属边框，靠近净空区域的金属短边框上设置有窄缝使得金属外壳分隔形成两个独立的部分，在净空区域设置有天线分支，天线分之一作为驱动单元并耦合天线分支二、窄缝间金属外壳、天线分支三形成环天线的寄生单元共同覆盖低频段(824MHz～960MHz)、高频段(1710MHz～2690MHz)。本发明增加了天线的频段覆盖，在保证高性能的同时基本上实现了设备的全金属覆盖，提高了用户对机身金属质感与美感的需求。
一种全金属外壳移动智能终端天线

[发明专利]一种用于全金属外壳的多频终端天线-CN201710778208.X有效
发明人：杨鹏;严魁锡;王磊;汪希萌;杨峰;曾莉尧;曹厚华;丁柏浪 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
一种用于全金属外壳终端天线

[实用新型]一种电子产品性能检测装置-CN201821976728.8有效
发明人：吴志伟;何佳;陈祖华;曾莉尧;李家驹 -专利权人：东莞摩米创新工场电子科技有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子产品性能检测装置，包括底座、挡板、橡胶垫，所述底座上面设置有所述橡胶垫，所述橡胶垫上面设置有光纤猫，所述光纤猫一侧设置有所述挡板，所述光纤猫后面设置有检测头，所述检测头后面设置有网线接头，所述网线接头后面设置有检测架，所述检测架后面设置有网线，所述网线接头一侧设置有紧固块，所述网线接头上面设置有拔插开关，所述检测架下面设置有限位块，所述检测架上面设置有横梁，所述横梁一侧设置有第一升降支架。有益效果在于：该装置能够有效的调整第一升降支架和第二升降支架的高度，做到适应全部的光纤猫型号；能够根据不同的检测头调整网线接头的数量，使用方便，检测效果好。
网线接头检测架升降支架检测头橡胶垫光纤性能检测装置挡板横梁底座电子产品本实用新型紧固块拔插网线位块检测

[实用新型]一种超声波传感器-CN201821966324.0有效
发明人：李家驹;何佳;曾莉尧;吴志伟;陈祖华;高学顺;杜晓辉 -专利权人：东莞市摩米智能技术研究院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01S7/521 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波传感器。包括：底壳，底壳的上端开口、下端封闭，底部固定有塑胶片，塑胶片的上方依次设有压电陶瓷片和吸音棉；还包括上壳，上壳呈筒状，上壳的下端套接于底壳外且与底壳过盈配合，上壳底部设有内圆环，内圆环搭接有背衬，背衬中部设有两个接线筒，其上端和下端均伸出背衬，压电陶瓷片的两个信号端分别通过信号线与两个接线筒的下端连接，上壳填充有灌封胶，且灌封胶内设有PCB板，PCB板通过信号线与两个接线筒的上端连接，PCB板对外引出两根信号线。本实用新型将壳体分为可拆分的上壳和底壳，同时压电陶瓷片和PCB板的连接通过接线筒中间过渡完成，使得该两部分可分开检测，同时可以更换，方便检测和维修。
上壳底壳接线筒压电陶瓷片信号线背衬超声波传感器本实用新型灌封胶内圆环塑胶片上端下端方便检测过盈配合上端开口下端封闭可分开吸音棉下端套信号端搭接壳体可拆筒状填充伸出维修检测

[实用新型]一种相控阵天线-CN201821965654.8有效
发明人：李家驹;吴志伟;曾莉尧;陈祖华;何佳;杜晓辉;高学顺 -专利权人：东莞市摩米智能技术研究院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01Q3/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种相控阵天线，包括馈源、移相组件和控制器，移相组件包括偏置源、第一液晶部件和自适应液晶部件；第一液晶部件呈球面状，第一辐射单元沿着若干条球面弧线分布；自适应液晶部件包括第二外基板、第二内基板及液晶层；第二外基板和第二内基板均为弹性基板，且设有用于第二外基板和第二内基板形变的传感元件；第二辐射单元呈多个不同轴长的同心椭圆环分布；所述偏置源的正极分别与第一辐射单元及第二辐射单元电性连接，偏置源的负极接地端，以用于调整第一辐射单元和第二辐射单元波束的相位值。本实用新型能达到相位调节的目的，而且能增大相控阵天线的扫描范围，适用不同环境。
辐射单元液晶部件相控阵天线内基板偏置源外基板本实用新型移相组件自适应无线通信技术领域波束球面正极传感元件弹性基板电性连接负极接地相位调节控制器形变球面状椭圆环液晶层弧线馈源轴长扫描同心

[实用新型]一种互联网传感器接头-CN201821970025.4有效
发明人：陈祖华;曾莉尧;吴志伟;李家驹;何佳 -专利权人：东莞摩米创新工场电子科技有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及连接器技术领域，尤其涉及一种互联网传感器接头，包括接头主体和电流转换器，接头主体设有接口，接头主体设有绝缘外壳和紧固组件；绝缘外壳包覆接头主体，且绝缘外壳与接头主体之间设有安装槽；紧固组件设于安装槽内；紧固组件包括第一施力部、紧固部、延伸部、传动部及第二施力部；第一施力部穿设于绝缘外壳上，第一施力部通过转轴与延伸部连接，且与传动部的一端抵顶；传动部另一端与第二施力部抵顶；延伸部还与紧固部相连；绝缘外壳与接口位置相对处设有通孔。本实用新型能防止无意施加的外力碰撞或者外力拉扯使接口脱落，有效避免了因接口脱落导致通信中断而造成的伤害，提高安全性。
接头主体绝缘外壳施力部紧固组件传动部延伸部本实用新型传感器接头安装槽紧固部抵顶连接器技术领域电流转换器接口位置通信中断外力碰撞互联网相对处包覆穿设通孔转轴拉扯施加伤害

[发明专利]一种基于通信技术设计的控制系统-CN201811427484.2在审
发明人： 曾莉尧;吴志伟;陈祖华;李家驹;何佳 -专利权人：东莞摩米创新工场电子科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及互联网技术领域，涉及一种基于通信技术设计的控制系统。其包括：远程操作端，其设有用于信号发送的第一信号收发装置；控制端，其设有用于信号接收的第二信号收发装置；远程操作端还设有身份装置，控制端设有身份验证装置。本发明的控制系统可通过远程操作端独自完成控制端的作业，操作方便。
远程操作端控制系统收发装置通信技术控制端身份验证装置互联网技术第二信号身份装置信号发送信号接收

[发明专利]一种数据处理系统及方法-CN201811427485.7在审
发明人：李家驹;曾莉尧;吴志伟;陈祖华;何佳;杜晓辉;高学顺 -专利权人：东莞市摩米智能技术研究院
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种数据处理系统及方法。包括服务器；数据发送端，与服务器连接；可向服务器发送请求信息；位置识别模块，用于识别数据发送端，并对数据发送端进行编号，该编号信息随同请求信息一同发送给服务器；时间触发器，服务器设有数据存储模块，当服务器接收到请求信息时，时间触发器产生一个时间数据，请求信息、位置编号信息以及时间数据一同存储于数据存储模块；服务器设有判断模块，判断新接收数据的位置编号信息是否在数据存储模块；当位置编号信息在数据存储模块内，判断模块向服务器发送“正确”信号。本发明通过在服务器内设置时间触发器，对数据的接收时间进行排序，将符合要求的数据保留，从而将数据优化，确保服务器的正常运行。
服务器数据存储模块编号信息请求信息时间触发器数据发送端数据处理系统服务器发送判断模块时间数据位置识别模块服务器接收服务器连接新接收数据数据保留数据优化排序存储

[实用新型]一种逆阻型IGBT-CN201721552279.X有效
发明人：罗小蓉;刘庆;黄琳华;魏杰;李聪;魏雨夕;苏伟;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
浮空正向集电区本实用新型逆阻型IGBT 电场漂移区阻隔功率半导体技术截止施加反向阻断电压导通压降关断损耗阻断电压槽结构高电场耗尽区集电结截止层下表面压电场击穿耐压耗尽退化

[实用新型]一种逆阻型IGBT-CN201721551911.9有效
发明人：罗小蓉;刘庆;魏杰;黄琳华;苏伟;魏雨夕;李聪;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
漂移区电场集电极场板正向本实用新型逆阻型IGBT 槽结构集电结集电区截止层耗尽功率半导体技术漂移施加导通压降反向电场反向耐压反向偏压反向阻断关断损耗阻断电压不连续耗尽区击穿背面阻隔截止合并发射

[发明专利]一种内嵌基准的低压差线性稳压器-CN201711226737.5在审
发明人：甄少伟;王佳佳;曾莉尧;曹厚华;母国才;丁柏浪 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种内嵌基准的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明利用NPN晶体管的基极‑发射极电压作为负温度系数电压，电阻电压作为正温度系数电压，采用带隙基准的方法实现温度补偿；在低压差线性稳压器的反馈环路中使用NPN晶体管和电阻构成带隙基准，同时构建误差放大通道，使得本发明提供的低压差线性稳压器能实现低温度系数的电源变换功能。本发明提出的低压差线性稳压器具有基准电压源的功能，能够集成到芯片内部供电，保持较低的静态电流；与现有低压差线性稳压器相比，本发明使用更少数量的晶体管实现了电源的变换，并保持了较低的功耗。
一种基准低压线性稳压器

[实用新型]一种具有可控集电极槽的SOILIGBT-CN201721104029.X有效
发明人：罗小蓉;魏杰;黄琳华;邓高强;赵哲言;刘庆;曹厚华;孙燕;莫日华;曾莉尧 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本实用新型相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本实用新型的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本实用新型具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
一种具有可控集电极 soiligbt

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