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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210765593.5在审
发明人： 旦野克典;庄司哲也 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有：n型氧化镓半导体层，具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域；电极层，层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结；以及第一p型氧化镍半导体层，以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210159970.0在审
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。在半导体装置中，多个p型半导体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第一电极体层以与多个p型半导体层相接，且在多个p型半导体层彼此分离的部分处与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第二电极体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的另一个面侧，其中，p型半导体层各自与相对于p型半导体层各自而言最接近的p型半导体层之间的最短距离是0.4μm～1.0μm。
半导体装置

[发明专利]稀土磁体及其制造方法-CN202111246214.3在审
发明人：佐久间纪次;庄司哲也;木下昭人;旦野克典;一期崎大辅;伊东正朗;坂口丽美 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明涉及稀土磁体及其制造方法。本公开为具有主相和晶界相的稀土磁体及其制造方法。本公开的稀土磁体的整体组成由式(R1(1‑x‑y)LaxCey)u(Fe(1‑z)Coz)(100‑u‑w‑v)BwM1v表示(其中R1为规定的稀土元素，M1为规定的元素，并且0.05≤x≤0.25，0≤y/(x+y)≤0.50，13.5≤u≤20.0，0≤z≤0.100，5.0≤w≤10.0且0≤v≤2.00)。主相具有R2Fe14B型晶体结构，主相的平均粒径和体积率为1.0～20.0μm和80.0～90.0％。主相和晶界相满足(晶界相中的La的存在比例)/(主相中的La的存在比例)＞1.30。
稀土磁体及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202110376723.1在审
发明人：原淳雅;旦野克典;加渡干尚;山野飒 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/38 文献下载
摘要：本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。
半导体元件制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680027101.5有效
发明人：关和明;楠一彦;龟井一人;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
sic 制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680027058.2有效
发明人：关和明;龟井一人;楠一彦;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
sic 制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201710902100.7有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶的制造方法。目的在于提供位错和缺陷少并且口径扩大率大的SiC单晶制造方法，其为使保持于晶种保持轴的SiC晶种与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触、采用溶液法的制造方法，其中，晶种具有与Si‑C溶液的表面平行配置的底面、保持于晶种保持轴的顶面、顶面与底面之间的侧面，底面为(0001)面或(000‑1)面，底面为在圆形的至少一部分具有除去部、且在外周具有圆弧的形状，除去部为1个或多个，为沿着连结圆形的圆弧上的2点的弦而除去的、具有劣弧或半圆周的弓形，圆形中心与1个除去部的圆弧上的2点所成的圆心角为40°以上，圆心角的合计为180°以下，该方法包括在晶种与Si‑C溶液之间形成弯液面而使SiC单晶从晶种的底面生长。
sic 制造方法

[发明专利]开关元件及其制造方法-CN201811332301.9在审
发明人： 旦野克典;山本建策;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制了体区中的面缺陷的成长的开关元件及其制造方法。该开关元件具有：SiC基板，其具有偏角；沟槽，其在对SiC基板的上表面进行俯视时沿着偏离方向而延伸；栅极绝缘膜以及栅极电极。SiC基板具有：n型的源极区；p型的接触区；p型的体区，其在源极区的下侧处与栅极绝缘膜相接，并且与接触区相比p型杂质浓度较低；n型的漂移区，其在体区的下侧处与栅极绝缘膜相接；多个低寿命区，其被配置在源极区和接触区中的至少一方与漂移区之间，并且与其周围的体区相比点缺陷密度较高。多个低寿命区以沿着偏离方向隔开间隔的方式被配置。在所述间隔中配置有体区的至少一部分。
体区栅极绝缘膜开关元件接触区源极区低寿命区漂移区配置偏离隔开间隔栅极电极点缺陷面缺陷上表面偏角俯视制造延伸

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201611075636.8有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含多晶、除侧面端部外不含裂纹的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴(12)下端面的晶种基板(14)与配置在坩埚(10)内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液(24)接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴(12)的端面的外形小于晶种基板(14)的顶面的外形，晶种基板(14)的顶面具有与晶种保持轴(12)的下端面的整个面相接而被保持的中央部(15)、和不与晶种保持轴(12)的下端面相接的外周部(16)，该方法包括：在晶种基板(14)的顶面配置碳片材(30)，使得覆盖中央部(15)和外周部(16)中的至少外周部(16)。
单晶晶种基板晶种外周部中央部制造顶面下端侧面端部单晶晶体温度降低温度梯度下端面整个面多晶配置碳片液面坩埚生长覆盖

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201480049773.7有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了贯穿螺旋位错、贯穿刃型位错、微管缺陷、基底面位错和层叠缺陷的密度降低的SiC单晶以及这样的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
单晶单晶生长生长面制造晶种基板螺旋位错密度降低刃型位错溶液接触温度降低温度梯度基底面贯穿晶种微管位错生长

[发明专利]SiC基板的制造方法-CN201480041513.5有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种可防止SiC晶片的库存或浪费的发生的具有外延层的SiC基板的制造方法。逐片地制作具有外延层的SiC基板的方法，其包括在晶种基板上使外延层生长，以及使SiC基板生长，并且进一步包括将得到的具有外延层的SiC基板从前述晶种基板拆下的工序。
sic 制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201280023671.9有效
发明人： 旦野克典;斋藤广明;关章宪;木本恒畅 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。
制造半导体器件方法

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201380020512.8有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-04-05 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液；以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
sic 及其制造方法

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201180071725.4有效
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供结晶性高的大口径的SiC单晶。一种SiC单晶，其包含：具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面为基点，在c面方向以及非c面方向生长了的c面生长部以及口径扩大部，在与所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口径扩大部的平面内，在所述平面内的周边部存在不含贯穿位错的连续区域，所述连续区域的面积相对于所述平面整体的面积占有50%以上的面积。
sic 及其制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201510718196.2在审
发明人： 旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶的制造方法。本发明提供了一种不形成缓冲层且穿透位错密度小的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使用具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液，使SiC单晶自SiC晶种基板生长的SiC单晶的制造方法，其包括：所述Si-C溶液包含Si和Cr，将所述晶种基板中的硼密度B_s与所述生长的SiC单晶中的硼密度B_g的硼密度差B_s-B_g设为1×10¹⁷个/cm³以上，将所述晶种基板中的铬密度Cr_s与所述生长的SiC单晶中的铬密度Cr_g的铬密度差Cr_g-Cr_s设为1×10¹⁶个/cm³以上，并且将所述晶种基板的氮密度N_s与所述生长的SiC单晶的氮密度N_g的氮密度差N_g-N_s设为3.5×10¹⁸个/cm³～5.8×10¹⁸个/cm³。
sic 制造方法

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