专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种光电二极管-CN202110011685.X在审
  • 蔡文必;陈振峰 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2021-01-06 - 2021-04-06 - H01S5/026
  • 本发明公开了一种光电二极管,包括N电极、N型衬底、反射层、感光层、P型层和P电极,N型衬底具有顶面、底面和供光入射的侧面,在侧面开口形成第一入射面和台面,台面低于顶面并且外凸于顶面,顶面、第一入射面和台面形成Z字形,第一入射面和台面形成的夹角为θ,0<θ<90°,感光层、P型层和P电极依次层叠在顶面上,反射层层叠在台面上,N电极覆盖底面。本发明不但解决了侧入射MPD底部朝向激光利用率低的问题,而且提高了侧入射MPD的响应度。
  • 一种光电二极管
  • [实用新型]一种载台平行度检测仪-CN202021900845.3有效
  • 蔡文必;林鑫;张灿秋 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-09-03 - 2021-03-30 - G01B11/27
  • 本实用新型公开了一种载台平行度检测仪,属于半导体的制程设备领域。包括:一放置于载台上的支架,支架设置有三个装接端;每一个装接端分别装设有激光发射方向相互平行,并且在激光发射方向上不为一个平面的第一测距单元、第二测距单元和第三测距单元;支架连接有显示单元,显示单元的面板侧设有操作按键;支架设有电源且电连接三个测距单元和显示单元;利用了三个不在一条直线上的点确定一个平面、平行四边形对边等长且两两平行的几何原理;不需要载台处于水平状态,仅通过三个测距单元的测距数值,就能够快速判断载台和作业面是否相互平行;并且载台平行度检测仪可以适配不同型号载台,通配率高。
  • 一种平行检测
  • [发明专利]半导体激光光束整形器-CN201980044445.0在审
  • 巴布·达亚尔·巴多拉帕斯 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2019-07-08 - 2021-03-23 - H01S5/183
  • 一种半导体激光光束整形器,包括VCSEL装置及透镜件。该VCSEL装置包括基材、第一型及第二型掺杂分布式布拉格反射器、主动层、表面浮雕层、限制件,及第一及第二电极。该表面浮雕层形成在该第二型掺杂分布式布拉格反射器中并具有等于N*λ/4n的厚度,其中,λ是利用该主动层所产生的激光光束的波长、n是该表面浮雕层的折射率,且N是不小于3的正整数。该限制件界定具有贯孔宽度的贯孔。该透镜件具有大于该贯孔宽度的透镜宽度。该VCSEL装置具有台面结构。
  • 半导体激光光束整形
  • [发明专利]垂直腔表面发射激光装置-CN201980044575.4在审
  • 巴布·达亚尔·巴多拉帕斯 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2019-07-08 - 2021-03-19 - H01S5/024
  • 一种VCSEL装置(10),包括一基材(100)、第一型和第二型掺杂分布式布拉格反射器(110,140)、第一及第二电极(120,170)、一主动层堆叠(130)、一反相表面浮雕层(150)及一限制件(160)。该反相表面浮雕层(150)具有一有一凹槽宽度(W1)的表面浮雕凹槽(151)。该限制件(160)界定一供由主动层堆叠(130)所产生的一激光光束穿过且具有一不小于8μm且不小于该表面浮雕层(151)的该凹槽宽度(W1)的1.6倍的贯孔宽度(W2)的贯孔(161)。该反相浮雕层(150)具有一等于该激光光束的波长的n/4倍的最小厚度,n是一不小于2的正偶数。
  • 垂直表面发射激光装置
  • [实用新型]一种碳化硅MPS器件-CN202021269885.2有效
  • 彭志高;林志东;陶永洪 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-07-01 - 2021-03-16 - H01L29/872
  • 本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件,包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层;有源区设置大致两种规格的P型区,表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层,第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间;表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设第二欧姆接触金属层。在小电流的条件下,电流从有源区的N型区通过;在大电流的条件下,二极管的正向电压升高,第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启,电流可以从该区域通过,从而提升二极管的浪涌电流能力。
  • 一种碳化硅mps器件
  • [实用新型]一种多层介质隔离结构-CN202021677046.4有效
  • 郭德霄;林科闯;汪晓媛;王立阁;何俊蕾;刘成;叶念慈 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-08-13 - 2021-03-09 - H01L21/768
  • 本实用新型公开了一种多层介质隔离结构,包括基底和至少一形成于基底上的金属互联结构,金属互联结构包括第一金属层和第二金属层,第一金属层与第二金属层连接,还包括粘附层、钝化层、平坦化层和保护层;粘附层、钝化层和平坦化层依次覆盖于基底上;粘附层、钝化层和平坦化层所形成的结构覆盖第一金属层并在第一金属层的顶部上开设第一通孔;保护层覆盖于平坦化层表面和第一通孔的内壁;第一金属层设于基底上,第二金属层凸设于保护层上并延伸至第一通孔内与第一金属层接触,平坦化层的厚度大于第一金属层的厚度。本实用新型通过在既有的半导体器件表面形成隔离结构,可提升金属互联隔离效果、降低器件表面平粗糙度。
  • 一种多层介质隔离结构
  • [发明专利]微电子器件及微电子器件制作方法-CN201910702386.3有效
  • 蔡文必;刘成;叶念慈;林育赐;赵杰;梁玉玉;杨健 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2019-07-31 - 2021-02-26 - H01L27/02
  • 本申请实施例提供一种微电子器件及微电子器件制作方法,该微电子器件包括基于衬底制作形成的至少两个相互间隔的、与衬底掺杂类型相反的掺杂阱,及基于衬底一侧制作形成的与各掺杂阱接触的外延结构。所述外延结构远离衬底一侧设置有相互级联的至少两个功率器件,其中每个功率器件与一个掺杂阱对应设置,且各功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。如此,通过在衬底中形成相互间隔的掺杂阱,且将各个功率器件的低电位端连接至对应的掺杂阱,使得衬底电压和各个功率器件的低电位端为相同电位,抑制因电子注入到外延结构中而造成功率器件性能的偏移或退化。
  • 微电子器件制作方法
  • [发明专利]一种双共振腔VCSEL激光器及其制作方法-CN202010711057.8在审
  • 蔡文必;曾评伟;范纲维 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-07-22 - 2021-02-02 - H01S5/183
  • 本发明公开了一种双共振腔VCSEL激光器,包括由下至上按序设置的第一DBR、第一共振腔、中间DBR组、第二共振腔和第二DBR,其中中间DBR组由下至上包括第三DBR和第四DBR;第一共振腔用于生成第一光束,第二共振腔用于生成第二光束,第一光束的波长小于或等于第二光束的波长,第一共振腔产生的第一光束垂直耦合至第二共振腔。本发明还公开了上述激光器的制作方法。本发明采用垂直配置的双共振腔结构,其中一个作为慢光源,产生的光束透过垂直光耦合到主要工作共振腔中,使导带载子获得补充,提高了VCSEL激光器的操作带宽,增加了信号传输速度。
  • 一种共振vcsel激光器及其制作方法
  • [发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法、测试方法-CN202011220070.X在审
  • 杨健;林志东 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-11-04 - 2021-02-02 - H01S5/183
  • 本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法、测试方法,属于半导体技术领域。垂直腔面发射激光器,包括:N型衬底,设于N型衬底下方的第一电极;以及依序形成于N型衬底上方的N型DBR、第一包覆层、量子阱有源区、第二包覆层、氧化层、P型DBR及介质层;还包括第二电极和第三电极,第二电极形成于介质层上表面且穿过介质层与P型DBR电连接;第三电极形成于介质层上表面通过保护电阻与第二电极电连接,用于与测试探针抵接。能够通过设置保护电阻避免恒电压老化处理时的短路现象,实现垂直腔面发射激光器的晶圆级测试。
  • 垂直发射激光器及其制备方法测试
  • [发明专利]一种激光器结构、制作方法及硅基混合模块-CN202010973809.8在审
  • 秦璐;蔡文必 - 厦门市三安集成电路有限公司
  • 2020-09-16 - 2021-02-02 - H01S5/22
  • 本发明公开了一种激光器结构,包括位于同一半导体芯片上的激光器主体和过渡脊波导结构,过渡脊波导结构设于所述激光器主体的出光端口一侧且与激光器主体之间设有深度超过激光器主体的有源区的中间槽;过渡脊波导结构具有第一宽度的第一端口和第二宽度的第二端口,其中第一端口的宽度大于或等于出光端口。本发明还公开了其制作方法以及在硅基混合模块中的应用,激光器结构设于硅基传输模块的光路中,第二端口与波导端口匹配且对准耦合。带有过渡脊波导结构的激光器结构可以提高激光器主体与硅基传输模块的耦合效果,使得激光器结构的设计方案不再受限于硅基传输端耦合效率的限制。
  • 一种激光器结构制作方法混合模块

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