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[发明专利]红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法-CN202210139154.3有效
发明人：亢喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面器件芯片及制备方法、读出电路及其制备方法，本发明通过在红外焦平面器件芯片上设置像元结构，由于本发明的像元结构是完全独立的，所以其不会在低温工作时产生张应力现象，所以本发明可以有效避免红外混成芯片易发生翘曲形变的问题，同时本发明还能够通过异质(填充物或真空环境)的有效隔离，以避免像元间载流子的横向迁移，从而避免串音现象的发生。
红外平面器件芯片制备方法读出电路及其

[发明专利]小尺寸基片涂胶盘及小尺寸基片涂胶装置-CN202210278532.6有效
发明人：刘佳星;巩爽;王少刚;张轶;亢喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸基片涂胶盘及小尺寸基片涂胶装置。小尺寸基片涂胶盘包括：本体部，本体部的上表面设有多个筋条，多个筋条沿本体部中心的周向方向间隔排布，相邻两个筋条构造形成一个沟槽，沟槽的一端朝向本体部的中心，沟槽的另一端朝向本体部的边缘，在本体部中心至边缘的方向上，沟槽的宽度逐渐减小；每个沟槽对应一个基片，基片适于止抵在沟槽靠近本体部中心的一端。本发明的小尺寸基片涂胶盘结构简单且无须真空吸附，因此可以单层或多层布置，单个小尺寸基片涂胶盘可同时实现多基片同时涂胶，大大提交了涂胶效率，并且光刻胶均匀性满足需求。
尺寸涂胶装置

[发明专利]一种用于大面阵芯片粘接的调节工装-CN202210712207.6在审
发明人：田亚;付志凯;卢加涛;王冠;亢喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大面阵芯片粘接的调节工装，包括：底板(1)，其上设置有封装基板(2)，所述封装基板(2)用于承载芯片部件(3)；第一调节模块(4)，安装在所述底板(1)上，分布于所述芯片部件(3)的四周，用于调节所述芯片部件(3)的Z向位置以及水平位置；第二调节模块(5)，安装在所述底板(1)上，至少设置于所述芯片部件(3)相对的两侧，用于调节所述芯片部件(3)的水平位置。本发明实施例通过在底板周围设置第一调节模块以及第二调节模块，由此对芯片进行X,Y精度、倾斜精度以及平行度的调节，提高大面阵芯片的粘接效率及成品率。
一种用于大面芯片调节工装

[发明专利]红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法-CN202010418620.2有效
发明人：任秀娟;李春领;崔戈;宁提;亢喆;谭振;马涛;李忠贺;张克 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法。红外焦平面探测器的芯片组件，包括：锑化铟芯片；一氧化硅薄膜，设于锑化铟芯片的背面。采用本发明，通过采用一种机械附着力、硬度及应力、以及化学性质稳定性均比硫化锌还高的一氧化硅作为制备锑化铟芯片背增透薄膜的薄膜材料，可以避免背增透薄膜脱模的情况，提高探测器性能的稳定性，且一氧化硅薄膜表面光洁，一氧化硅薄膜的附着力、牢固度满足了红外焦平面探测器使用的环境要求，提高了批量生产红外焦平面探测器的合格率，有利于降低成本。
红外平面探测器芯片组件及其制备方法

[发明专利]自动排风装置-CN201910490495.3有效
发明人：王文丽;祝福生;郭立刚;周立庆;亢喆;肖钰 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种自动排风装置，涉及排风装置的技术领域，包括：排风管道和第一调节模块；其中，第一调节模块包括：旋转气缸、气缸安装架、第一挡片和第一转轴；排风管道内安装有第一转轴，且第一转轴的顶端与安装于排风管道外的旋转气缸连接，气缸安装架安装在排风管道上，用于固定旋转气缸，在第一转轴上固定有第一挡片，通过旋转气缸的通气转动带动第一转轴和第一挡片的旋转，以控制排风的开关动作。本发明通过旋转气缸的通气转动带动第一转轴和第一挡片的旋转的方式，能够控制排风的开关动作，从而实现排风装置进行自动排风的技术效果。
自动装置

[发明专利]超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法-CN201910102537.1有效
发明人：张敏;亢喆;韦书领;刘明;杨刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板，包括：标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层，其中，低阻金属层具体包括：对低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线；钝化膜层设置于标准硅片上表面，一对低阻金属引线设置于钝化膜层上表面两侧处，高精度拼接标记设置于一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面，导流结构设置于一对低阻金属引线之间且没有高精度拼接标记的钝化膜层上表面；本发明通过制出高平整度的钝化膜层、高精度拼接标记、导流结构以及低阻值金属引线，提高凝视型红外探测器的拼接精度、有助于信号的低损输出，解决了现有技术中超大规模的红外探测器阵列难以制备的问题。
超大规模凝视红外探测器拼接及其制备方法

[发明专利]晶圆减薄工艺-CN201910075042.4有效
发明人：王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄工艺，涉及晶圆减薄的技术领域，包括以下程序：测量程序、数据处理程序和减薄程序，通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。
晶圆减薄工艺

[实用新型]一种芯片清洗夹具-CN201820309972.2有效
发明人：邱国臣;曹海娜;亢喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片清洗夹具，涉及芯片制备技术领域。该芯片清洗夹具，包括：夹具本体，在夹具本体上开设的多个容置槽；夹具本体与多个容置槽为一体化设计，多个容置槽内开设有多个贯穿夹具本体的通孔。通过将芯片放置在容置槽内，对芯片进行清洗，以实现对每一个芯片的清洗和位置信息追踪。
夹具本体容置槽夹具芯片清洗清洗芯片本实用新型一体化设计芯片放置芯片制备内开通孔追踪贯穿

[发明专利]一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法-CN201611019099.5有效
发明人：亢喆;温涛;邱国臣 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。借助于本发明的技术方案，可以大幅提高小尺寸基片光刻工艺的效率，同时也能够保证光刻图形的完整性和湿法刻蚀工艺的均匀性，有效的提高了小尺寸基片图形加工的效率和产品质量。
湿法刻蚀基板固化处理光刻胶尺寸基片曝光粘片逐片基板表面涂光刻工艺光刻图形图形加工一次固化光刻板均匀性显影压板覆盖保证

[发明专利]用于半导体芯片的清洗夹具-CN201510492831.X在审
发明人：李海燕;邱国臣;亢喆;曹海娜 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于半导体芯片的清洗夹具。其包括：底座，设置有用于放置芯片的V型槽，当所述芯片放置于所述V型槽上时，所述芯片的一相对侧边的下边沿抵靠于所述V型槽的侧壁上，并且所述V型槽的底部设置有贯通所述底座的底部的泄流孔；盖板，用于扣合于所述底座上，以覆盖所述V型槽，并且所述盖板上设置有贯通孔，当所述芯片放置于所述V型槽上时，所述贯通孔对应所述芯片。在不触及芯片表面的情况下，可以较好地实现对芯片的清洗，提高了清洗效率。
用于半导体芯片清洗夹具

[发明专利]离子注入层载流子浓度测试方法-CN201410068932.X有效
发明人：李海燕;亢喆;程鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入层载流子浓度测试方法。该方法包括步骤1，将样片固定到样片架上，对样片进行霍尔测试，获取样片的霍尔数据；步骤2，将样片从样片架上取下，进行离子注入、退火、以及清洗操作，测量样片的厚度，并重新将样片固定到样片架上并进行霍尔测试，获取相应的霍尔数据；步骤3，将样片从样片架上取下并清洗后，进行样片背面减薄工艺，取下样片，测量样片的厚度，并重新将样片固定到样片架上并进行霍尔测试，获取相应的霍尔数据；步骤4，重复步骤3，汇总霍尔数据和对应的样片厚度，获取霍尔数据随样片厚度的变化关系，根据变化关系确定样片的离子注入层载流子浓度。
离子注入载流子浓度测试方法

[发明专利]锑化铟红外探测器脱水处理方法-CN201310120400.1有效
发明人：亢喆;邱国臣;肖钰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，包括：台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行预处理；预处理之后的锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理；将脱水处理后的锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内依次进行干燥处理和臭氧氧化处理，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。
锑化铟红外探测器脱水处理方法

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