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[发明专利]一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310843058.1在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于恒懿;游淑珍;于龙洋;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及源极、漏极、氮化物层和钝化层、至少一个位于势垒层上方的肖特基岛以及位于氮化物层上的栅极；其中，源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；肖特基岛位于氮化物层的一侧或两侧，且肖特基岛与所述势垒层形成肖特基接触；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决常规HEMT器件在较低工作电压下容易发生烧毁的问题，提高了P型氮化物栅HEMT器件的单粒子烧毁电压。
一种具有肖特基岛结构粒子 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310843353.7在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;张怡忱;游淑珍;于龙洋;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有埋层结构的抗单粒子P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、氮化物层、钝化层，至少一个位于缓冲层内的掺杂埋层和位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；掺杂埋层的顶面不高于缓冲层的顶面，掺杂埋层的底面不低于缓冲层的底面；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决传统的P型氮化物栅HEMT器件电场集中的问题，并可以更快地吸收单粒子入射后产生的电子和空穴，从而提高器件的击穿电压和烧毁电压。
一种具有结构粒子 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310840388.5在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于龙洋;王中旭;宋秀峰;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种基于P型氮化物隔离的P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、位于势垒层上的源极和漏极、位于势垒层上的隔离层、氮化物层以及钝化层以及位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层与漏极之间；隔离层与沟道层形成pn结，用于耗尽沟道层中的二维电子气，形成器件之间的隔离；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例提供一种新型器件隔离方法，取消了常规P‑GaN器件的台面刻蚀工艺，不仅减小了刻蚀损伤，还降低了成本；同时还能够降低泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种基于氮化物隔离 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于seq2seq语言模型的文字识别方法及系统-CN202310131709.4有效
发明人：王德军;于龙洋;孟博;彭阳;朱建豪;李舒蕾 -专利权人：中南民族大学;武汉空天软件技术有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06V30/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于seq2seq语言模型的文字识别方法及系统，其方法步骤：获取将要识别的含有文字信息的图片；对输入的图片进行图像分割、图像二值化和角度矫正预处理，去除图片中的干扰信息；将图片输入到融合文字识别模型和seq2seq语言模型的文字识别方法中，得到图片中的文字信息。本发明有益效果：本发明通过使用CRNN文字识别模型和seq2seq语言模型相融合，获取了文字的视觉特征和语言特征，并将得到的特征和结果进行融合迭代，从而逐步获取更具有鲁棒性的识别结果，提高了文字识别尤其是在部分文字被遮挡时的正确率。
一种基于 seq2seq 语言模型文字识别方法系统

[发明专利]基于开关电容和耦合电感技术的超高压降压型DC-DC变换器-CN202111007756.5有效
发明人：王来利;于龙洋;孙培元;杨成子;崔洪昌 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关电容和耦合电感技术的超高压降压型DC‑DC变换器，包括电源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五有源开关、第五有源开关、第六有源开关、第七有源开关、第一钳位电容器、第二钳位电容器、第一谐振电容器、第二谐振电容器、负载、第一耦合电感器及第二耦合电感器，该变换器具有体积小、损耗小及转换效率高的特点。
基于开关电容耦合电感技术超高压降压 dc 变换器

[发明专利]一种基于胶囊网络和多语言模型的文字识别方法及系统-CN202310309066.8有效
发明人：王德军;于龙洋;孟博;胡宗华;余泽;段伟 -专利权人：中南民族大学;武汉力龙信息科技股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06V20/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于胶囊网络和多语言模型的文字识别方法及系统，该方法在进行文字识别时具有更高的准确率。本发明涉及到的内容包括：（1）收集需要进行文字识别的图片；（2）图像预处理，并对图片进行分割；（3）将所述图片输入到基于胶囊网络和多语言模型的文字识别网络中，得到图片当中包含的文字序列信息。其中，所述胶囊网络包含卷积层、主胶囊层、数字胶囊层和CTC损失函数。将图片分割后依次输入到所述胶囊网络中，实现胶囊网络对文字序列的识别；所述多语言模型依据胶囊网络生成的文字序列识别结果，识别其中的语言特征并生成多语言模型的识别结果，以供所述文字识别方法对胶囊网络的识别结果进行优化。
一种基于胶囊网络语言模型文字识别方法系统

[发明专利]一种基于单一通信接口的多电路控制方法-CN201911161378.9有效
发明人：陈一鹤;于龙洋 -专利权人：北京长峰科威光电技术有限公司
申请日： 2019-11-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05B9/03 文献下载
摘要：本发明提供一种基于单一通信接口的多电路控制方法，下位机端采用一主控板及多个从控板的多板结构，上位机采用RS422标准通过一个串行通信端口与下位机主控板通信，并通过主控板分别与各从控板通信。在该种机制下不仅可以实现多目标电路模块的实时控制和调试灵活性，并且可以实现协议灵活性，根据不同的使用需求制定更灵活的用户协议，很大程度上保证了在多电路控制中的有序性、扩展性和灵活可操作性。
一种基于单一通信接口电路控制方法

[发明专利]一种基于图像实例分割的表格结构识别方法-CN202211243652.9有效
发明人：王德军;杨烨;孟博;于龙洋;龚建全 -专利权人：中南民族大学;武汉空天软件技术有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06V30/412 文献下载
摘要：本发明属于图像识别领域，提供了一种基于图像实例分割的表格结构识别方法。该方法包括，首先针对表格图像进行预处理并对图像中的表格进行定位检测，然后对实例分割网络模型进行改进，通过在模型的主干网络以及FPN多尺度特征金字塔模块中加入有效通道注意力机制来加强模型获取表格图像像素信息的能力，从而得到表格图像中所包含单元格分割结果，最后根据表格单元格像素特性对分割表格单元格的掩膜进行优化，提高边缘拟合的精细度，实现对复杂异构表格涵盖的单元格结构进行准确的分割识别，有效提升表格单元格结构识别的准确率。
一种基于图像实例分割表格结构识别方法

[发明专利]一种基于磁芯结构的集成平面电感-CN202110409520.8有效
发明人：甘永梅;冯舒婷;张虹;于龙洋;李孟琪 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01F27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁芯结构的集成平面电感，包括上层基板、下层基板，上层基板与下层基板之间设置有第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱、第八磁柱、上层绕组结构及下层绕组结构，其中，上层绕组结构位于下层绕组结构的上方，且上层绕组结构及下层绕组结构均缠绕于第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱、第四磁柱、第五磁柱、第六磁柱、第七磁柱及第八磁柱上，上层绕组结构与下层绕组结构相连接，该电感具有成本低、电感值高及结构简单的特点。
一种基于结构集成平面电感

[发明专利]一种基于集成矩阵磁芯的隔离型单级DC-DC变换器-CN202210435568.0在审
发明人：王来利;李菲;于龙洋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于集成矩阵磁芯的隔离型单级DC‑DC变换器，集成矩阵磁芯通过移相全桥结构连接输入端，移相全桥结构用于实现原边开关管的零电压导通，集成矩阵磁芯通过带有谐振电容的倍流整流电路连接输出端，通过谐振实现同步整流管的零电流关断和零电压导通。本发明实现了原边开关管的零电压导通，副边同步整流管的零电压导通和零电流关断，提高能量转换效率。
一种基于集成矩阵隔离型单级 dc 变换器

[发明专利]一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路-CN202010438104.6有效
发明人：王来利;杨成子;刘星烁;李华清;于龙洋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的电流检测电路，包括补偿电阻、补偿电感、电流采样电阻、总寄生电感、电压源、第一SiC MOSFET管及第二SiC MOSFET管，其中，电压源、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、总寄生电感及电流采样电阻依次组成串联回路，补偿电阻与补偿电容组成补偿支路，电流采样电阻与总寄生电感组成的支路与补偿支路并联连接，该检测电路能够有效的避免寄生电感对电流采样电阻检测性能的影响，且成本较低，体积较小。
一种适用于 sic mosfet 电流检测电路

[发明专利]一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路-CN202010924021.8有效
发明人：王来利;杨成子;李华清;于龙洋;刘星烁;朱梦宇;裴云庆 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路，直流母线与第二SiC MOSFET管的漏极、第二钳位电容器的一端及第一回馈模块的一端相连接，第二SiC MOSFET管的源极与第二收集二极管的负极、负载端、第一收集二极管的正极及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第二收集二极管的正极及第二钳位电容器的另一端与第二回馈模块的一端相连接，第一收集二极管的负极与第一钳位电容器的一端及第一回馈模块的另一端相连接，低压源与第一SiC MOSFET管的源极、第二钳位电容器的另一端及第二回馈模块的另一端相连接，该电路能够有效抑制过电压，并且电路中的钳位电容可将能量通过电感支路回馈到直流侧，且只在过电压产生时参与电路过程。
一种应用于电路新型 sic mosfet 振荡抑制

[发明专利]一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法-CN202011541017.X有效
发明人：王来利;李华清;杨成子;于龙洋;朱梦宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。
一种 sic mosfet 反向转移电容测量方法

[发明专利]一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构-CN202210039293.9在审
发明人：王来利;朱梦宇;于龙洋;杨成子;齐志远;杨奉涛;伍敏;李华清 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。
一种集成陶瓷双面散热封装结构

[发明专利]一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组-CN202111307068.0在审
发明人：尉哲元;杨旭;周永兴;魏高昊;肖尧;任鹏远;黄兴伟;秦梦洁;陈文洁;王康平;吴佳芮;魏吉文;王来利;李冰洋;于龙洋;张帆 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开一种用于电力电子变换器的带低交流铜损平面磁件绕组，包括磁芯和绕组；所述磁芯具有腔体，所述绕组为平面绕组片水平环绕形成，绕组设置在所述腔体内；所述绕组中平面绕组片设置多层，以最靠近零磁动势位置的层作为第1层绕组，随着绕组层远离零磁动势位置，绕组的层编号依次递增，若nm，则第n层绕组的匝数≥第m层绕组的匝数。本发明能够降低绕组间因邻近效应产生的损耗，从而降低磁件的交流铜损。
一种用于电力电子变换器交流平面绕组

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