专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]使用寄生电感的谐振开关电容变换器-CN202111006090.1在审
  • 王来利;于龙洋;王晨雅;杨成子;崔洪昌 - 西安交通大学
  • 2021-08-30 - 2021-12-03 - H02M3/155
  • 本发明公开了一种使用寄生电感的谐振开关电容变换器,电源的正极经第一有源开关与第一电容的一端及第二有源开关的一端相连接,第二有源开关的另一端与第三有源开关的一端及第二电容的一端相连接,第三有源开关的另一端与第三电容的一端及第四有源开关的一端相连接,第四有源开关的另一端与第五有源开关的一端、第七有源开关的一端及负载的一端相连接,第五有源开关的另一端、第三电容的另一端及第一电容的另一端与第六有源开关的一端相连接,第七有源开关的另一端及第二电容的另一端与第八有源开关的一端相连接,该变换器能够有效利用寄生电感,以取代离散电感及平面电感。
  • 使用寄生电感谐振开关电容变换器
  • [发明专利]一种非隔离高降压增益的DC-DC变换器-CN202010437292.0有效
  • 王来利;于龙洋;冯舒婷;杨成子;伍敏 - 西安交通大学
  • 2020-05-21 - 2021-11-19 - H02M3/155
  • 本发明公开了一种用于数据中心电源调压模块的非隔离高降压增益的DC‑DC变换器,输入电源的正极经第一开关管与第一电容的正极及第二开关管的一端相连接,第一电容的负极与第三开关管的一端、第一电感的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连接,第二开关管的另一端及第三开关管的另一端与第二电容的正极相连接,第二电容的负极与第四开关管的一端及第一电感的另一端相连接,第二电感的另一端与负载的一端相连接,负载的另一端、第五开关管的另一端及第四开关管的另一端均与输入电源的负极相连接;第一开关管、第二开关管、第三开关管、第五开关管及第四开关管均为有源开关管,该变换器具有体积小、功率密度高及效率高的特点。
  • 一种隔离降压增益dc变换器
  • [发明专利]一种非变压器的隔离型大降压比DC-DC转换器-CN202010437291.6有效
  • 王来利;于龙洋;李超杰;杨成子;伍敏 - 西安交通大学
  • 2020-05-21 - 2021-09-03 - H02M3/07
  • 本发明公开了一种非变压器的隔离型大降压比DC‑DC转换器,输入电源的正极与第一电容的正极及第一开关管的一端相连接,第一开关管的另一端与第二开关管的一端及第三电容的正极相连接,第三电容的负极与第一电感的一端及第四开关管的一端相连接,第一电感的另一端与负载电阻的一端及第二电感的一端相连接,第一电容的负极与第二电容的正极、第二开关管的另一端、第二电感的另一端及第五开关管的一端相连接,第二电容的负极、输入电源的负极及第三开关管的一端均接地,第三开关管的另一端与第五开关管的另一端、第四开关管的另一端及负载电阻的另一端相连接,该转换器损耗较低,同时高效率、体积小、重量轻、电压变比较大的特点。
  • 一种变压器隔离降压dc转换器
  • [发明专利]一种SiC MOSFET串联驱动电路-CN201910482553.8有效
  • 王来利;杨成子;于龙洋;朱梦宇;马伟;裴云庆;杨旭 - 西安交通大学
  • 2019-06-04 - 2021-05-28 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种SiC MOSFET串联驱动电路,第一驱动电源的高压端经高压二极管与加速电容的一端、第一SiC MOSFET管的栅极、驱动电容的一端及第二静态均压电阻的一端相连接,加速电容Csp的另一端与第一静态均压电阻的一端及第一SiC MOSFET管的漏极相连接,第一SiC MOSFET管的源极与第一静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的漏极相连接,第二驱动电源的高压端与驱动电容的另一端及驱动电阻的一端相连接,驱动电阻的另一端与第二SiC MOSFET管的栅极相连接,第一驱动电源的低压端、第二驱动电源的低压端、第二静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的源极均接地,该电路中SiC MOSFET管的栅极侧信号均压控制成本低,且能够实现栅极侧负压驱动,同时驱动的均压效果较好。
  • 一种sicmosfet串联驱动电路
  • [发明专利]一种基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统-CN202010652611.X在审
  • 王来利;于龙洋;冯舒婷;李超杰;杨成子;伍敏 - 西安交通大学
  • 2020-07-08 - 2020-11-06 - H01F27/24
  • 本发明公开了一种基于GaN的DC‑DC转换器的磁集成系统,第一平面电感线圈及第二平面电感线圈均为己字形结构,且第一平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第四平面磁柱之间以及第二平面磁柱与第三平面磁柱之间,且第二平面磁柱位于第一平面电感线圈一侧的开口位置处,第四平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处,第二平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第二平面磁柱之间以及第三平面磁柱与第四平面磁柱之间,且第三平面磁柱位于第二平面电感线圈一侧的开口位置处,第一平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处,该系统能够通过分立电感进行解耦集成,以增大变换器的功率密度。
  • 一种基于gandc转换器集成系统
  • [发明专利]一种相机调焦机构控制方法-CN201811546091.3在审
  • 于龙洋 - 北京长峰科威光电技术有限公司
  • 2018-12-18 - 2020-06-26 - G03B13/34
  • 一种相机调焦机构控制方法,在调焦机构至少一个行程区间的左右极限位置各安装1个限位开关,全部限位开关的输出端短接后引出一路“限位状态反馈”信号,用于驱动控制系统处理器的GPIO管脚和双路光耦芯片的一路信号输入管脚;控制系统处理器接收“限位状态反馈”信号,并输出“软件上电使能”信号;“限位状态反馈”信号和“软件上电使能”信号均输入到双路光耦芯片的信号输入端,通过双路光耦芯片隔离输出后通过电阻下拉到功率电源参考地,短接后输出“驱动电路上电使能”信号;当“驱动电路上电使能”信号为高电平时,为“电机驱动电路”提供供电;反之,切断供电,实现对调焦机构的安全限位。
  • 一种相机调焦机构控制方法
  • [发明专利]一种非隔离型大降压比的DC-DC转换器-CN201910482555.7有效
  • 王来利;于龙洋;朱梦宇;杨成子;马伟;裴云庆;杨旭 - 西安交通大学
  • 2019-06-04 - 2020-05-22 - H02M3/156
  • 本发明公开了一种非隔离型大降压比的DC‑DC转换器,电源的正极与第一开关管的一端相连接,第一开关管的另一端与第二电容的一端及第二开关管的一端相连接,第二开关管的另一端与第一电容的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连通,第二电感的另一端与第四开关管的一端及负载的一端相连接,第五开关管的另一端与第一电感的一端及负载的另一端相连接,第一电感的另一端与第四开关管的另一端、第二电容的另一端及第三开关管的一端相连接,第三开关管的另一端及第一电容的另一端与电源的负极相连接,该转换器中器件的数目较少,能够适用于大变比降压应用领域。
  • 一种隔离降压dc转换器

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