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[发明专利]音叉型振动片、音叉型振子及其制造方法-CN202310350590.X在审
发明人：山下弘晃 -专利权人：株式会社大真空
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种音叉型振动片、音叉型振子及其制造方法。对在晶圆状态下对音叉型振动片的较厚的频率调整用金属膜照射光束而进行频率粗调整时产生的在频率调整用金属膜端部上以起毛刺的状态突出的突起部分进行加压而将其压扁，由此防止上述突起部分因冲击而缺损，从而抑制频率变动。
音叉振动型振子及其制造方法

[发明专利]一种有效提高叉指换能器激发效率的方法-CN202210412993.8有效
发明人：宋丽 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及量子计量技术领域，尤其涉及一种有效提高叉指换能器激发效率的方法，利用p矩阵方法将IDT中各变量相关联后得到激发IDT的p矩阵和刻蚀表面的p矩阵，将激发IDT的p矩阵和刻蚀表面的p矩阵进行级联后定量得出IDT激发的声表面波在声表面波单电子运输器件入口处的振幅，通过所述振幅和COM理论计算出的p矩阵因子确定IDT的最佳结构参数，增强IDT激发效率，通过该方法优化后的器件，其发现量子化电流坪台的最佳功率大大降低，量子化声电电流的精度明显提高，同时使IDT激发SAW的效率大大提高，有效降低了IDT的输入功率。
一种有效提高叉指换能器激发效率方法

[发明专利]声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法-CN202210319156.0有效
发明人：杜波;王华磊;霍振选;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种声表面波器件、封装模组及声表面波器件的制作方法，包括压电基底、IDT结构、引线、焊盘以及钝化层；压电基底的上表面具有第一承载区和第二承载区；IDT结构设置在第一承载区；引线设置在第二承载区，并与IDT结构电性连接；焊盘设置在引线的上表面；钝化层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层覆盖IDT结构的外表面、引线的外表面以及焊盘的外表面，第二保护层位于第二承载区、并覆盖在第一保护层与焊盘的侧面相对区域的外表面。在本发明中，通过在焊盘周围设置两层保护层，可以实现焊盘周围的钝化层的加厚处理，进而避免钝化层在焊盘的侧面发生断裂。
表面波器件封装模组制作方法

[发明专利]弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置-CN201910065845.1有效
发明人：高井努;山本浩司;岩本英树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由高阶模造成的无用波且能够抑制高阶模的频率的变动的弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；高声速膜(3)，设置在支承基板(2)上；低声速膜(4)，设置在高声速膜(3)上；压电体层(5)，设置在低声速膜(4)上；以及IDT电极(6)，设置在压电体层(5)上。在高声速膜(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高，在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速低，高声速膜3包含SiNx，且x＜0.67。
弹性装置多工器高频前端电路以及通信

[发明专利]微机械谐振器和用于微机械谐振器的方法-CN201780040390.7有效
发明人： A·亚科拉;T·潘萨拉;A·奥加;P·派克;J·R·德克 -专利权人：芬兰国家技术研究中心股份公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开描述微机械谐振器、用于谐振器的谐振器元件以及用于微调谐振器的方法。谐振器包括具有长度、宽度和厚度的谐振器元件，其中所述长度和所述宽度限定谐振器元件的平面。谐振器元件在谐振器元件的平面中包括至少两个区域(52、53)，其中所述至少两个区域具有不同的厚度。
微机谐振器用于方法

[发明专利]晶体振动器件-CN201780070139.5有效
发明人：古城琢也 -专利权人：株式会社大真空
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具备三明治结构的晶体谐振器的晶体振动器件。晶体振荡器(100)中，晶体谐振器(101)和IC芯片(102)被气密密封在封装体(103)内。晶体谐振器(101)具备，一个主面上形成有第一激励电极(221)、另一个主面上形成有与第一激励电极(221)成对的第二激励电极(222)的晶体振动片(2)；将晶体振动片(2)的第一激励电极(221)覆盖的第一密封构件(3)；及将晶体振动片(2)的第二激励电极(222)覆盖的第二密封构件(4)，第一密封构件(3)与晶体振动片(2)相接合，第二密封构件(4)与晶体振动片(2)相接合，包含第一激励电极(221)和第二激励电极(222)的晶体振动片(2)的振动部(22)被气密密封。基于该结构，能抑制外部环境变化所引起的特性变动等，使可靠性提高。
晶体振动器件

[发明专利]横向激励体声波谐振器及滤波器-CN202210235815.2有效
发明人：温志伟;刘文娟;刘婕妤;孙成亮;孙博文;王健 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种横向激励体声波谐振器及滤波器，涉及谐振器技术领域。该横向激励体声波谐振器包括衬底、位于衬底上的压电层和分别位于压电层上的上叉指电极层、横向反射结构和纵向反射结构；横向反射结构包括沿第一方向排布于上叉指电极层两侧的两第一反射条，纵向反射结构包括沿第二方向排布于上叉指电极层两侧的两第二反射条，第二方向与第一方向垂直且与衬底和压电层的层叠方向垂直；第一反射条沿第一方向和第二反射条沿第二方向的宽度分别大于上叉指电极层的各子电极沿第一方向的宽度，且第一反射条和第二反射条在压电层上的高度分别大于上叉指电极层在压电层上的高度。该横向激励体声波谐振器能提高其机械品质因数。
横向激励声波谐振器滤波器

[发明专利]一种基于参数泵的MEMS振荡器-CN202110045005.6有效
发明人：韦学勇;徐宇涛;徐柳;阳琪琪;王雪峰;宦荣华;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于参数泵的MEMS振荡器，低频谐振器模块通过低频谐振梁分别连接低频谐振器第一激励模块和低频谐振器第二激励模块；高频谐振器模块通过高频谐振梁分别连接高频谐振器第一激励模块和高频谐振器第二激励模块；共用梁模块采用机械连接方式将低频谐振梁和高频谐振梁连接；低频谐振器模块与低频振荡器闭环振荡回路连接，并经加法器与参数泵模块连接，高频谐振器模块与高频振荡器闭环振荡回路连接；低频振荡器闭环振荡回路和高频振荡器闭环振荡回路分别使低频谐振梁和高频谐振梁在谐振频率处发生闭环振荡，参数泵模块对低频谐振梁施加动态刚度调制信号。本发明实现了MEMS振荡器的频率稳定性的提升以及振荡器之间的参数锁定现象。
一种基于参数 mems 振荡器

[发明专利]一种滤波器封装结构及制备方法-CN202310181379.X有效
发明人：龙建飞;朱龙秀;孟庆勇;白云芳 -专利权人：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器封装结构及制备方法。该滤波器封装结构包括：基板，基板的表面开设有预设大小的容纳槽；滤波器芯片体，滤波器芯片体的表面设有叉指换能器，叉指换能器外侧围设有薄膜材料，以形成薄膜凸起部；滤波器芯片体贴装于基板的表面，以使滤波器芯片体的表面与基板的表面紧密贴合，并使薄膜凸起部容纳于容纳槽内；塑封层，塑封于基板的表面，以完全覆盖滤波器芯片体。该滤波器封装结构通过在基板上开槽，并在滤波器上形成薄膜凸起部，以使得滤波器贴装在基板上后，薄膜凸起部能够恰好容置于基板的容纳槽内，在后续塑封过程中能够对薄膜凸起部以及内部的叉指换能器进行有效保护，避免聚合物薄膜坍塌的问题，提升产品的可靠性。
一种滤波器封装结构制备方法

[发明专利]弹性波装置-CN201811213199.0有效
发明人：大门克也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种使用层叠型基板且传播损耗小的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：层叠型基板(2)，具有压电膜(5)、低声速材料层(4)、以及高声速材料层(3)，层叠型基板(2)的倒速度面为凸；以及IDT电极(6)，设置在压电膜(5)上，在IDT电极(6)中，第一电极指(13)的前端与第二汇流条(12)之间的第一间隙以及第二电极指(14)的前端与第一汇流条(11)之间的第二间隙的间隙长度为0.23λ以下，该间隙长度是第一间隙以及第二间隙沿着第一电极指(13)以及第二电极指(14)延伸的方向的尺寸。
弹性装置

[发明专利]振子以及振荡器-CN202110613461.6有效
发明人：松永拓 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：提供振子以及振荡器，实现寄生的影响小的高精度的频率特性。振子具有：振动元件，其具有配置有激励电极并激励出厚度剪切振动的激励部、和与至少一方的激励电极电连接的固定部；振动衰减体，其配置在振动元件的至少一方的主面上；以及支承基板，其具有与固定部电连接并支承振动元件的连接电极，振动衰减体配置在比激励电极靠固定部侧处，并且在与激励电极和固定部排列的方向垂直的方向上，配置在比固定部靠振动元件的外周缘侧处。
以及振荡器

[发明专利]一种兰姆波谐振器-CN202210459949.2有效
发明人：温志伟;刘文娟;刘婕妤;罗天成;蔡耀;孙成亮;孙博文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种兰姆波谐振器，涉及半导体技术领域，本发明的兰姆波谐振器，包括压电层和设置在压电层上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设有与压电层连接的凸起结构，凸起结构用于改变压电层的厚度。本发明提供的兰姆波谐振器，通过在相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设置与压电层连接的凸起结构，以使压电层具有不同的厚度，一种厚度对应一个谐振峰，以此实现双谐振峰或多谐振峰响应，解决无线通信的多频段难以高度集成的技术问题。
一种兰姆波谐振器

[发明专利]声表面波器件、滤波器及电子设备-CN202310174430.4有效
发明人：刘旻俊;杜波;王华磊;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司;锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种声表面波器件、滤波器及电子设备，包括压电基底、叉指换能器、温度补偿层以及质量负载结构；叉指换能器设置在压电基底上，温度补偿层设置在压电基底上，并覆盖叉指换能器；叉指换能器的两个边缘区中的至少一个设有至少3个质量负载结构；其中，沿着叉指换能器的两个汇流条的排布方向，各质量负载结构依次间隔设置，且与叉指换能器的至少部分电极指在俯视方向上至少部分重叠；质量负载结构位于温度补偿层和压电基底之间，或者质量负载结构位于温度补偿层背离压电基底的一侧。通过质量负载结构的设置可以调整边缘区的声速，使该边缘区形成势垒，进而消除横向模式的不良影响，有效地防止能量泄露，从而提高声表面波器件的Q值。
表面波器件滤波器电子设备

[发明专利]具有用于机械和工艺补偿的反啁啾叉指换能器（IDT）的横向激发薄膜体声波谐振器-CN202211585923.9在审
发明人：格雷格·戴尔;陆振华;道格拉斯·雅乔夫斯基;布莱恩特·加西亚 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：声波谐振器具有压电板，该压电板具有第一表面和第二表面，第二表面面对基板，并且压电板的振膜跨越空腔。导体图案形成在第一表面和第二表面中的至少一个表面上并且具有叉指换能器(IDT)，该叉指换能器在压电板的振膜部分上具有交错指。交错IDT指的间距或交错IDT指的标记中的至少一个在IDT的区域上变化，以补偿压电板的振膜部分由于工艺引起的变形。
具有用于机械工艺补偿啁啾叉指换能器 idt 横向激发薄膜声波谐振器

[发明专利]具有杂散谐振抑制的膜体声谐振器-CN201711127532.1有效
发明人： R·B·斯托克斯;A·M·康;侯立平;D－J·玄;王兴国 -专利权人：环球通信半导体有限责任公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有杂散谐振抑制的膜体声谐振器。描述了设备和用于制备设备的过程，用于减少体声谐振器中的杂散波的谐振。第一电极耦合到压电层的第一侧，并且第二电极耦合到压电层的第二侧。压电层被配置为响应于施加在第一电极和第二电极之间的电信号而谐振。第一电极、压电层和/或第二电极中的穿孔，和/或支撑第二电极的柱或梁，减少了杂散波的谐振。
具有谐振抑制膜体声谐振器