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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]体声波滤波器-CN201880034665.0有效
发明人： 李源祥 -专利权人： RFHIC 公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：提供了一种用于使预设频率范围内的电信号通过的体声波(BAW)滤波器(130)。BAW滤波器(130)包括：金刚石基板(114)；钝化层(111)，其形成在所述金刚石基板(114)上；第一金属层(110)，其形成在所述钝化层(111)上；压电层(104')，其形成在所述第一金属层(110)上；第二金属层(116)，其形成在压电层(104')上；金属焊盘(120)，其形成在所述第一金属层(110)上。所述金属焊盘(120)、所述第一金属层(110)、所述压电层(104')和所述第二金属层(116)形成电路径，该电路径允许预设频率范围内的电信号通过。
声波滤波器

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201780042843.X有效
发明人： 李源祥 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。漏极场板(140)与设置在漏极场板之下的半导体层(102)形成金属‑半导体(M‑S)肖特基结构。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN202111392945.9在审
发明人： 李源祥 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。漏极场板(140)与设置在漏极场板之下的半导体层(102)形成金属‑半导体(M‑S)肖特基结构。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。
电子迁移率晶体管

[发明专利]用于加工半导体晶体管的方法-CN202111392488.3在审
发明人： 李源祥 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。漏极场板(140)与设置在漏极场板之下的半导体层(102)形成金属‑半导体(M‑S)肖特基结构。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。
用于加工半导体晶体管方法

[发明专利]聚丙烯-CN201780003953.5有效
发明人：崔智胡;郑寅用;盧庆燮;李源祥;全相珍;安相恩;李尚勳 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C08F10/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚丙烯，其显示出高透明度，并且具有非常低的挥发性有机化合物的生成水平。所述聚丙烯具有60μg/g以下的总挥发性有机化合物(TVOC)值和5％以下的雾度，所述TVOC值是根据由德国汽车工业协会标准化的VDA 277通过将聚丙烯加热5小时，并将对每1g聚丙烯检测到的全部烃转化为丙酮含量而测量的。
聚丙烯

[发明专利]具有III族氮化物和金刚石层的晶片-CN201880050496.X在审
发明人：赵参烈;李源祥 -专利权人： RFHIC公司(KR)
申请日： 2018-07-08 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了包括金刚石层(1306)和具有III族氮化物的半导体层(1310)的晶片(1309)以及用于制造该晶片(1309)的方法。在硅衬底(1302)上形成第一SiC层(1304)，并且使用含碳气体将第一SiC层(1304)的表面碳化以在SiC层上形成碳颗粒。然后，在碳化表面上生长金刚石层(1306)，其中，碳原子作为生长金刚石层的种子颗粒。在金刚石层(1306)上形成第二SiC层(1308)，并且在第二SiC层(1308)上形成具有III族氮化物的半导体层(1310)。然后，去除硅衬底(1302)和第一SiC层(1304)。
具有 iii 氮化物金刚石晶片

[发明专利]未经拉伸的基于聚丙烯的膜-CN201580007038.4有效
发明人：卢庆燮;崔智胡;朴哲英;李琪树;全相珍;朴喜广;李源祥;徐安英 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： C08F210/06 文献下载
摘要：根据本发明的三元共聚物具有低熔点、低温密封效果以及优良的透明度和强度，因此由所述三元共聚物制备的膜可以有利地用作未经拉伸的基于聚丙烯的膜的密封层。
未经拉伸基于聚丙烯

[发明专利]LED模块及其制造方法-CN201180014535.9有效
发明人： 李源祥;金永根 -专利权人：大元创新科技有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：在基板上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫；形成填充接地触垫之间的空间的第一分割膜，形成沉积在第一接地触垫的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉积在第二接地触垫的一表面上的第三分割膜；在各个分割膜的上部形成具有规定高度的第一间隔层；在形成有第一间隔层的基板上溅射晶种金属；在第一间隔层的上部形成具有规定高度的第二间隔层；对形成有该第二间隔层的基板实施金属电镀工艺，来形成连接到第一、第二接地触垫的第一、第二反射镜；除去第一、第二间隔层；将齐纳二极管连接到第一反射镜上，并将LED连接到第二反射镜上；以及沉积荧光材料，以便填充由第一反射镜与第二反射镜形成的空间。
led 模块及其制造方法

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