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[发明专利]一种多层SAW器件中的杂散模态抑制-CN202180095073.1在审
发明人： 安德烈·亚埃尔布斯;李昕熠;秦旭东 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)器件。本发明具体提出了一种具有多层结构的SAW器件，其中，杂散模态在所述SAW器件中受到抑制。所述SAW器件(100)包括(111)硅层(101)和设置在所述硅层上的一组交错层(102)。此外，所述SAW器件包括设置在所述一组交错层上的经旋转的YX切型钽酸锂(lithium tantalate，LT)层(103)以及设置在所述LT层上的两个或两个以上电极。所述电极用于将电信号转换为在所述LT层中传播的SAW。
一种多层 saw 器件中的杂散模态抑制

[发明专利]声反射器中具有通过质量载荷调谐频率的固态安装体声波谐振器及其制造方法-CN202080105152.1在审
发明人： 安德烈·亚埃尔布斯 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：提供了一种基板(102)上的体声波(bulk acoustic wave，BAW)谐振器(100)，包括压电元件(104)、所述压电元件第一面上(104A)的底部电极(106)和所述压电元件的背对着所述第一面的第二面(104B)上的顶部电极(108)。所述BAW谐振器还包括所述底部电极和所述衬底之间的反射元件(112)。所述反射元件至少包括具有第一声阻抗的第一材料的第一层(114A)和具有第二声阻抗的第二材料的第二层(114B)，其中，所述第二声阻抗与所述第一声阻抗不同。所述第一层或所述第二层包括具有第三声阻抗的第三材料的一个或多个结构(116A、116B、116C)，所述第三声阻抗与所述第一声阻抗和所述第二声阻抗不同。所述结构形成嵌入所述第一层和/或所述第二层中的声阻抗调制层，可以通过质量载荷对谐振器进行频率调谐。通过在同一裸片上以不同方式对第三结构的谐振器进行图案化可以针对梯形结构滤波器或晶格结构滤波器精确地调谐到不同的频率，而不依靠特定层的厚度控制。通过对称地布置频率调谐结构(116A、116B、116C)，另外的横向模式可以被抑制。
反射具有通过质量载荷调谐频率固态安装声波谐振器及其制造方法

[发明专利]具有改进的压电极化均匀性的体声波器件-CN202080100187.6在审
发明人： 安德烈·亚埃尔布斯;阿尔托·图罗·伊尔马里·努尔梅拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本公开涉及体声波(BAW)器件，特别是涉及BAW器件的制造。本公开相应地提供一种BAW器件及用于制造该BAW器件的方法，其中BAW器件具有改进的压电极化均匀性。为此，BAW器件(100)包括一个或多个种子元件(105)，布置在BAW器件的交错层(102)中并且与设置在交错层上的压电层(103)接触。一个或多个种子元件(105)布置在中间区域的下方，该中间区域是压电层的紧邻谐振器核心区域的区域，谐振器核心区域是压电层(103)的位于第一顶部电极(106)和第一底部电极(104)之间的区域，第一顶部电极和第一底部电极将压电层的至少部分夹在中间。
具有改进压电极化均匀声波器件

[发明专利]SAW器件及其制造方法-CN201980094693.6在审
发明人： 安德烈·亚埃尔布斯;刘鹏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及表面声波(surface acoustic wave，SAW)器件领域。具体地，本发明的SAW器件抑制了寄生模式，具体为横向模式。本发明的所述SAW器件包括：压电层(101)，用于传播SAW；至少一个电极(102)，设置在所述压电层上并用于将电信号耦合到在所述压电层(101)中传播的SAW。所述SAW器件还包括至少一个母线(103)，用于将所述电信号路由到所述电极(102)。所述SAW器件还包括去耦层(104)，所述去耦层(104)将所述压电层(101)和所述电极(102)与所述母线(103)分离。所述去耦层(104)具有分别不同于所述电极(102)和所述母线(103)的声阻抗。
saw 器件及其制造方法

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