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[发明专利]一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法-CN202310896576.X有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
一种 ausn 电极背面 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]半导体光集成元件及其制造方法-CN201980017585.9有效
发明人：进藤隆彦;藤原直树;佐野公一;石井启之;松崎秀昭;山田贵;堀越建吾 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
半导体集成元件及其制造方法

[实用新型]半导体激光器恒温恒流驱动装置-CN202320514594.2有效
发明人：田开坤;徐海霞;李艳生;曹庭水 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型申请提供的半导体激光器恒温恒流驱动装置，包括金属内腔、金属外罩、隔热层、半导体制冷器、驱动板和半导体激光器；半导体激光器直接内嵌在内腔的顶盖开口处，依靠金属内腔散热；内腔与外罩之间一面嵌入半导体制冷器，其它面填充隔热材料；驱动板和激光器与金属内腔之间填充绝缘导热硅脂，便于迅速传热。本实用新型提供的半导体激光器恒温恒流驱动装置，利用金属的快速传热作用，内置驱动板驱动半导体制冷器对金属内腔恒温控制，金属外罩主要用来散热。金属内腔恒温后，进一步保证驱动板和激光器恒温，恒温下的驱动板输出高精度恒定电流驱动激光器，最终实现激光器恒温恒流的工作环境，使得激光器能够输出功率稳定、波长稳定的光源。
半导体激光器恒温驱动装置

[发明专利]一种脉冲激光器及其驱动电路、驱动电路的控制方法-CN202310652154.8在审
发明人：梁为升 -专利权人：上海科乃特激光科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲激光器及其驱动电路、驱动电路的控制方法，该脉冲激光器的驱动电路用于驱动脉冲激光器，脉冲激光器至少包括激光泵浦源，脉冲激光器的驱动电路包括：控制器和多个调制电路；控制器分别与各调制电路的控制端电连接；各调制电路的输出端均与激光泵浦源电连接；控制器用于获取脉冲激光器预计出射的激光波形，并根据预计出射的激光波形，一一对应地向各调制电路提供对应的驱动信号；调制电路用于在接收到的驱动信号的控制下，向激光泵浦源提供对应的调制信号，以控制脉冲激光器出射的激光波形。本发明的技术方案，可以控制脉冲激光器输出不同脉冲波形的激光，尤其对于ns级窄脉冲，具有良好的脉冲波形生成效果。
一种脉冲激光器及其驱动电路控制方法

[发明专利]高均匀性光功率的VCSEL芯片、激光雷达及其制备方法-CN202310843059.6在审
发明人：杨国庆;赖威廷;杨通辉;李念宜;郭铭浩 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体为高均匀性光功率的VCSEL芯片，包括多个VCSEL发光区，每个所述VCSEL发光区均具有多个发光点；每个所述VCSEL发光区均设置有第一电极结构以及与所述第一电极结构相配合的第二电极结构，其中，将所述VCSEL发光区分为多个点亮区，其中多个所述点亮区域至少包括第一点亮区域以及与所述第一点亮区域相邻的第二点亮区域；所述第一电极结构包括第一电极层以及第二电极层，其中，所述第一电极层与所述第二电极层并联；所述第一电极层至少连通所述第一点亮区域，所述第二电极层连通所述第二点亮区域。
均匀功率 vcsel 芯片激光雷达及其制备方法

[实用新型]粉体装车智能计量控制系统-CN202321086982.1有效
发明人：齐浩宇 -专利权人：河北翔金超环保科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及流量计量技术领域，提出了粉体装车智能计量控制系统，包括光源P1、主控单元和发光驱动电路，发光驱动电路包括三极管Q4、三极管Q3、开关管Q5和开关管Q7，三极管Q4的基极连接主控单元，三极管Q4的基极连接三极管Q3的基极，三极管Q4的集电极连接24V电源，三极管Q4的发射极连接三极管Q3的发射极，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的发射极通过电阻R7连接开关管Q5的控制端，开关管Q5的第一端连接24V电源，开关管Q5的第二端连接光源P1的第一端，光源P1的第二端接地，开关管Q7的控制端连接光源P1的第一端，开关管Q7的第一端接地，开关管Q7的第二端连接三极管Q4的基极。通过上述技术方案，解决了现有技术中光学法检测粉末流量不精准的问题。
装车智能计量控制系统

[发明专利]一种等离子体电极垂直腔面发射激光器及其使用方法-CN202310997833.9在审
发明人：胡东霞;吴振海;孙喜博;张君;龙蛟;肖凯博;邵婷;薛峤;张晓璐;高松;严雄伟;蒋新颖;郑建刚 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体电极垂直腔面发射激光器及其使用方法，属于半导体激光器技术领域，该垂直腔面发射激光器依次包括第一面电极、衬底、N型DBR、有源区、P型DBR以及第二面电极，第二面电极或第一面电极为等离子体电极，等离子体电极以气体放电产生的低温等离子体作为电极，且等离子体电极位于垂直腔面发射激光器的出光侧，本发明中低温等离子体对激光的透过率接近百分之百，具有较高的损伤阈值，可承受高功率高能量激光输出，出光侧的整个通光口径内均有等离子体电极覆盖，通光口径内电流分布几乎一致，无电流拥挤效应，有源区内的注入电流分布均匀，可输出较高质量的激光光束，同时，等离子体电极可以扩散至任意口径，可实现大口径VCSEL。
一种等离子体电极垂直发射激光器及其使用方法

[发明专利]一种软启动恒功率激光指示器控制电路和方法-CN202310627408.0在审
发明人：蔡震;邱文强;顾泽良 -专利权人：江苏亮点光电科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种软启动恒功率激光指示器控制电路和方法，其可避免激光器过冲过流，保护激光器及其他器件，保证稳定功率输出，且功耗低；包括：PD采样模块，用于采集激光的散射光，以获取出光电压；主控模块，与所述PD采样模块连接，用于根据接收的出光电压获得实际激光输出功率，并输出相应控制信号；转换输出模块，与所述主控模块连接，用于根据控制信号调整功率大小，并进行DA转换输出；压控恒流源模块，与所述转换输出模块连接，用于接收所述转换输出模块输出的转换信号，输出压控恒流信号；LD驱动模块，与所述压控恒流源模块连接，用于接收压控恒流输出信号，以进行激光恒流输出。
一种启动功率激光指示器控制电路方法

[发明专利]半导体激光器的电源驱动电路及激光雷达发射模组-CN202210195565.4在审
发明人：王鹏;贺喆;周艳妮 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光器的电源驱动电路及激光雷达发射模组，其中，电源驱动电路包括：多个驱动芯片、多个开关管、半导体激光器、储能电容；所述多个驱动芯片的输入端用于接收预设脉冲信号，所述多个驱动芯片的输出端分别连接所述多个开关管的控制端，以根据所述预设脉冲信号控制所述多个开关管的通断；所述多个开关管的输入端连接所述半导体激光器的阴极，所述多个开关管的输出端接地；第一电源连接所述储能电容，所述储能电容的另一端接地，所述储能电容的一端还连接所述半导体激光器的阳极，以为所述半导体激光器的阳极供电。本申请可在保证半导体激光器的高峰值功率需求的情况下，减小电源驱动电路的体积以及成本。
半导体激光器电源驱动电路激光雷达发射模组

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202310679370.1在审
发明人：卢敬权;殷淑仪 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括n型层、p型层，以及位于所述n型层和所述p型层之间的发光层；所述n型层与所述发光层之间形成有电流狭窄层，所述电流狭窄层内通过离子注入换形成有一用于实现电流注入的n型电流通道，所述n型电流通道的表面与所述电流狭窄层的表面持平。通过在n型侧采用离子注入的方式制作电流通道，使电流狭窄层在具有电流局部注入功能的同时能够保持表面平整，不影响后续的外延，从而改善半导体激光器的产品质量，提高良品率。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种高效率激光二极管驱动电路-CN202310492239.4在审
发明人：高博;张姗;霍佳雨;高小童;邓文;张博昊;吴戈;汝玉星;孙雅东;刘列 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明的一种高效率激光二极管驱动电路属于电子设备的技术领域，主要结构有功率输出模块(3)、延时补偿模块(5)、电压跟踪模块(6)等。本发明在工作时能够提升电路调节速度，实现宽负载、大动态输出电压范围的自适应恒流驱动，可在大功率条件下工作，具有效率高、适应范围广、稳定性高、可靠性强等优点。
一种高效率激光二极管驱动电路

[发明专利]半导体激光器接触电极及其制备方法-CN202310547285.X有效
发明人：杨文帆;郭郅冬;王俊;吴涛;李波;郭路安;李顺峰;胡燚文 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域，第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法，能够提高整个电极的耐高温性能，提升半导体激光器制造的效率和良率；能够使电极电阻仍能保持在较低的量级，提升半导体激光器的性能；有效降低电极厚度，降低应力，进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险，提高产品质量。
半导体激光器接触电极及其制备方法

[发明专利]激光器及其制备方法-CN202310308102.9在审
发明人：郑婉华;徐传旺;齐爱谊;王炬文;渠红伟;周旭彦;王亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本公开提供了一种激光器及其制备方法，应用于半导体激光器技术领域。该激光器包括N面电极层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层、反型层和P面电极层，该反型层包括至少一个反型层单元，P面电极层还与所述欧姆接触层接触。本公开通过在传统外延结构上继续外延生长一层反型层，仅需一次光刻实现区域电流注入，无需沉积绝缘层或者离子注入，大大简化了芯片的制作过程，提升了制备效率。同时通过欧姆接触层或P型限制层与反型层之间形成的凹凸结构，有助于P面电极层的金属扩展，增加了芯片与金属之间的粘合力。且多个反型层单元的设置，可以实现不同反型层单元之间的相互耦合，进而改善光束质量。
激光器及其制备方法

[发明专利]光半导体装置-CN201980013122.5有效
发明人：凑龙一郎;大木泰 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电‑光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置，特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置，具备光半导体元件和电连接部，所述光半导体元件具备：半导体层叠部；活性区域，被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住；以及第一电极层和第二电极层，该第一电极层设置于半导体层叠部的上部，该第二电极层设置于半导体层叠部的下部，所述电连接部连接于光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方，用于将电流注入到活性区域，该光半导体装置的特征在于，当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时，满足α＞β，且β＞0。
半导体装置

[实用新型]一种激光器驱动电源的控制系统-CN202320446583.5有效
发明人：蒋成明;顾鹏;雷仕建;曹雄伟;王运;李德求 -专利权人：深圳青铜剑能源科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光器驱动电源的控制系统，所述系统包括数字控制模块和模拟控制模块；所述数字控制模块用于实时获取所述激光器驱动电源的输出电流值，将所述输出电流值与电流给定值进行比对，通过PID控制器结合比对差值进行占空比输出调制，所述调制后的占空比依次经光电隔离器和低通滤波器后输入至所述模拟控制模块；所述模拟控制模块用于根据所述调制后的占空比对所述激光器驱动电源的输出电流进行偏差矫正，结合了数字控制和模拟控制各自的优点，在提高了控制精度和响应时间的同时，还不受温度湿度等环境因素的影响，实现了高精度快响应抗干扰性强的激光器驱动电源输出。
一种激光器驱动电源控制系统