专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体激光器大电流恒流装置-CN202211384395.0在审
  • 肖志松;李婷 - 罗根激光科技(深圳)有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-05-12 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种半导体激光器大电流恒流装置,包括供电电源正极、供电电源负极、负载LD模块、功率管和霍尔电流传感器,还包括DA电压模拟电路和LT1363恒流源主电路,LT1363恒流源主电路包括电阻R1、电阻R5、LT1363运算放大器、电阻R26和功率管G极连通,功率管G极同时与功率管S极连接;霍尔电流传感器输出端与LT1363采样输入端和DA电压模拟电路反馈端连接;本发明通过DA输入0‑5V模拟电压,以运放LT1363作为控制电路为恒流源主电路,产生驱动电压,驱动MOS管,进而控制电流大小,形成恒流源,从而实现输出电流0‑50A可调,电压高可达100V,满足半导体激光器中大功率泵浦的应用。
  • 一种半导体激光器电流装置
  • [发明专利]自校准驱动器电路-CN202180051783.4在审
  • R·阿克巴里-迪尔马加尼 - AMS传感器亚洲私人有限公司
  • 2021-08-25 - 2023-05-09 - H01S5/042
  • 公开了一种用于激光二极管的自校准驱动器电路(100、300、400、500、700)。该电路包括:可配置电流源(105、305、405、505);电流镜(115、315、415),其被配置为将来自可配置电流源的电流镜像到第一晶体管(120、320、420、520、720)和第二晶体管(125、325、425、725);以及控制电路(140、340、440)。控制电路被配置为在第一时间监测通过第一晶体管的电流,以及基于通过第一晶体管的电流配置电流源,以向第二晶体管提供期望电流,用于在随后的第二时间驱动激光二极管。还公开了一种辐射发射设备,其包括一个或多个自校准驱动器电路和至少一个辐射发射元件。
  • 校准驱动器电路
  • [实用新型]半导体驱动电路及激光雷达发射系统-CN202223250019.0有效
  • 于休;孙亨利;韩晨阳;王思思;秦屹 - 森思泰克河北科技有限公司
  • 2022-12-05 - 2023-05-05 - H01S5/042
  • 本实用新型提供了一种半导体驱动电路及激光雷达发射系统,该半导体驱动电路应用于电路技术领域,包括:高压单元、驱动单元、第二NMOS管;高压单元包括第一电感、第一电容、第一NMOS管等,其可以存储一定幅值的高压;第一电容、第二NMOS管、激光器可形成放电回路,驱动单元可根据外部输入的放电信号导通第二NMOS管,也即导通前述放电回路,进而将高压单元存储的高压通过激光器放掉,从而达到驱动激光器发光的目的。本实用新型提供了一种高侧驱动形式的半导体驱动电路,可以稳定打开放电回路中的第二NMOS管,提高激光器发射的峰值功率,减小发光信号的脉宽,进而有效解决现有技术的问题。
  • 半导体驱动电路激光雷达发射系统
  • [发明专利]半导体调制激光放大器芯片及其制备方法-CN202310065662.6在审
  • 王中和;方祖捷 - 欧润光电科技(苏州)有限公司
  • 2023-02-06 - 2023-04-25 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种半导体调制激光放大器芯片,包括一单模半导体激光器、一电吸收调制器以及一半导体光放大器,所述激光器与所述调制器之间形成第一电隔离区;所述调制器与所述光放大器之间形成第二电隔离区;所述激光器的电极通过第一金线与外界的直流电源相连;所述调制器的电极通过第二金线与外界的交流电源相连;所述光放大器的电极与所述激光器的电极连接;所述激光器、调制器、光放大器和第一电隔离区、第二电隔离区位于同一半导体衬底上。本发明可以在长距离高速率光信号传输的过程中,保证低啁啾的同时提高激光器的输出功率,并可使用背光对输出光功率进行监控。本发明还公开了一种半导体调制激光放大器芯片的制备方法。
  • 半导体调制激光放大器芯片及其制备方法
  • [发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN202211609410.7在审
  • 郭丁凯;杨旭;代露 - 武汉仟目激光有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-04-25 - H01S5/042
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,提供了一种半导体激光器的制作方法,包括如下步骤:S1,制备外延结构,外延结构包括具有高掺杂层的P型DBR,S2,在外延结构表面进行环形P型DBR的刻蚀,直至刻蚀至高掺杂层,S3,在高掺杂层上制作P型接触电极,并对P型接触电极进行处理,S4,接着制备N型电极,并对N型接触电极进行处理,S5,切割芯片。还提供一种半导体激光器,包括于衬底上依次生长的N型DBR、有源区、氧化层以及P型DBR,P型DBR被刻蚀至其高掺杂层,高掺杂层上设有P型接触电极。本发明将P型接触电极制作于P型DBR底部的高掺杂层上,使得电流不需要穿过整个p型DBR,比传统的制作工艺,能更好的降低芯片阻抗,降低功耗,提高芯片的调制速率。
  • 半导体激光器及其制作方法
  • [实用新型]一种激光器驱动电路-CN202223591053.4有效
  • 蒋海洋 - 扬州威凯莱光电仪器有限责任公司
  • 2022-12-26 - 2023-04-25 - H01S5/042
  • 本实用新型属于激光器技术领域,提供了一种激光器驱动电路,包括第一驱动芯片和第二驱动芯片,第一驱动芯片和第二驱动芯片的VCC脚和激光器的正极共阳,第一驱动芯片的LD‑脚和激光器的负极连接;第二驱动芯片的LD‑脚和第一驱动芯片的Iset脚连接,即第一驱动芯片的地线需通过第二驱动芯片的恒流控制后才会接地。本实用新型提供的激光器驱动电路通过串联两个恒流电路,在符合国际安规标准的同时,避免了通过改变或增加更为复杂的外围元器件来达到国际安规标准要求,此种电路结构设计更为简单适用,也大大降低了生产制造成本。
  • 一种激光器驱动电路
  • [发明专利]VCSEL阵列驱动装置及双目TOF深度感知系统-CN202310096839.9在审
  • 王赟;张官兴 - 绍兴埃瓦科技有限公司;上海埃瓦智能科技有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-04-18 - H01S5/042
  • 本申请实施例提供一种VCSEL阵列驱动装置及双目TOF深度感知系统。所述VCSEL阵列驱动装置包括VCSEL光源阵列及驱动电路;其中,VCSEL光源阵列包括多组发光阵列子集,每组发光阵列子集至少包括1个VCSEL发光单元,各发光阵列子集内各VCSEL发光单元之间间隔排列;驱动电路与各VCSEL发光单元的控制端电连接,驱动电路用于输出驱动信号点亮VCSEL发光单元,以及输出调制信号对VCSEL发光单元的输出光信号进行调制。所提供的VCSEL阵列驱动装置涉及一种新的VCSEL光源阵列结构及驱动电路,为面向多应用场景提供灵活的光源配置。将TOF与双目立体视觉相结合,通过配置TOF阵列激活模式及双目图像采样模式,从而根据不同应用场景和探测距离获取高质量的、有效的深度图像。
  • vcsel阵列驱动装置双目tof深度感知系统
  • [发明专利]驱动电路以及光源装置-CN202211156694.9在审
  • 近藤秀树 - 日亚化学工业株式会社
  • 2022-09-22 - 2023-04-07 - H01S5/042
  • 本发明提供一种即使在使发光元件进行脉冲振荡时,也能够抑制下冲的驱动电路以及光源装置。驱动电路具备:开关电路,其在第一状态和第二状态之间进行切换,使发光元件进行脉冲振荡,该第一状态通过将能够从发光元件射出规定输出以上的光的阈值电流以上的大小的电流向发光元件供给,而从发光元件射出光,该第二状态使向发光元件供给的电流的大小小于上述阈值电流;以及直流电流调整电路,其在第二状态时,在小于发光元件的阈值电流的范围内,能够向发光元件供给与在脉冲振荡的下降时产生的下冲的大小对应的大小的偏置电流。
  • 驱动电路以及光源装置
  • [发明专利]一种半导体激光器控制系统-CN202211732389.X在审
  • 葛济铭;陈泳屹;赵天野;张德晓;徐岩 - 吉光半导体科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-07 - H01S5/042
  • 本发明涉及半导体激光器控制领域,具体涉及一种半导体激光器控制系统可以提供3路压控电压源模块输出,4路压控电流源模块输出,有多种电压、电流输出组合,通过上位机控制可驱动不同种类的激光器,设计中的压控电压源、压控电流源相对独立,可实现对每一路电压、电流的大小和频率单独控制,通过特定的处理电路,实现电压、电流的连续输出、输出同步性好等特点,以高性能DSP运算处理器为核心的微处理器控制模块,经过查表计算,实施控制各路压控电流源的电流值和压控电压源的电压值,可以控制半导体激光器实现纳秒级的快速波长调谐。
  • 一种半导体激光器控制系统
  • [发明专利]光学器件及其制作方法-CN202211546782.X在审
  • 张岚;黄文勇;唐豪;许明;谈杰 - 平湖科谱激光科技有限公司
  • 2022-12-05 - 2023-04-07 - H01S5/042
  • 本申请公开了一种光学器件及其制作方法;该光学器件中的第一半导体器件包括叠层设置的第一半导体层、第一有源部、第二半导体层、第一隔垫部以及第一电连接部,第二半导体层包括第一突出部和第一凹槽,第一隔垫部设置于第一凹槽内,第一电连接部的两端分别和第一突出部和第一隔垫部连接,第一电连接部、第一隔垫部以及第一半导体层围合成第一空腔;本申请通过在第一电连接部和第二半导体层之间形成第一空腔,减小了与第一空腔对应的第二半导体层的厚度,同时使第一电连接部与和第一空腔对应的第二半导体层非接触设置,增加了第一电连接部和第二半导体层的间距,减小了第一电连接部和第二半导体层之间的寄生电容,提高了半导体器件的灵敏度。
  • 光学器件及其制作方法
  • [实用新型]一种用于激光驱动器的自适应控制电路-CN202223332171.3有效
  • 王欢 - 瑞韬电子科技(无锡)有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-04-07 - H01S5/042
  • 本实用新型公开了一种用于激光驱动器的自适应控制电路,主通道包括前级差分放大器AV和后级跨导放大器Gm1,前级差分放大器AV的电流源Idrv与调制电流Imodset之间设置有反馈控制环路,反馈控制环路包括转换器I‑V、反馈跨导放大器Gm2和电流误差放大器AI,反馈跨导放大器Gm2工作在临界限幅状态,反馈控制环路控制前级差分放大器AV的输出差分电压幅度,使后级跨导放大器Gm1也同样工作在自适应的临界限幅状态,实现激光驱动器的驱动电压幅度和输出电流的自适应匹配,通过优化电路设计,改善了驱动电压和激光器调制电流的非线性匹配,提高了驱动不同类型的激光器时的性能参数一致性和稳定性,适宜规模化应用。
  • 一种用于激光驱动器自适应控制电路
  • [实用新型]一种半导体激光器芯片P型电极结构-CN202223369431.4有效
  • 李林;胡韵爽;徐马记;贺慧婷 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-04-07 - H01S5/042
  • 本实用新型提出了一种半导体激光器芯片P型电极结构,其包括基片和设置于基片一侧的生长层,所述生长层远离基片的一侧端面上设置有若干凸起部,所述若干凸起部朝着远离基片的方向向外延伸;所述若干凸起部上均设置有沟槽,沟槽沿着预设方向贯通所述若干凸起部远离基片的一端,所述预设方向沿着凸起部的轴向方向环绕设置,通过在生长层设置向上凸出的凸起部和向下凹陷的沟槽,这种凹凸状结构增加了P型电极的表面积,进而具有更大的散热面积,在金属焊料熔化之后,能够具有良好的散热效果,同时也增加了焊料接触面积,更容易和焊料发生浸润,避免了焊料的无规则溢流,提高了焊接的效果。
  • 一种半导体激光器芯片电极结构

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