专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光半导体模块及其制造方法-CN02802460.5无效
  • 田远伸好;高木大辅;仁科真哉 - 住友电气工业株式会社
  • 2002-04-08 - 2003-12-31 - H01S5/042
  • 一种光半导体模块,其中电子冷却元件和底板之间的接合面积与封壳底板面积之比增加,于是即使在封壳底板面积相同时,也可以增加电子冷却元件的吸热率。封壳(11)包括安装在其上的多个分开的电子冷却元件(16)。分开的电子冷却元件(16)插入陶瓷接线端(14)的伸入到封壳(11)内部的内部突出部分(14a)和底板(13)之间,并固定在底板上;电子冷却元件(16)通过铜片(20)串联。多个分开的电子冷却元件(16)与底板(13)之间的总接合面积不小于封壳(11)的底板(13)的面积的75%。
  • 半导体模块及其制造方法
  • [发明专利]激光二极管用电源控制装置-CN98118342.5无效
  • 金原好秀 - 三菱电机株式会社
  • 1998-08-11 - 2003-12-10 - H01S5/042
  • 本发明目的在于使供给激光二极管的电流迅速响应。激光二极管LD1~LDn输出激光8之前,使第一开关元件23截止,第二开关元件25导通,形成使电流控制用开关元件2和电抗器4通电的环路,并预先相对于电抗器4将规定稳恒电流设定为指令值ITH,产生激光器输出指令信号时,使第一开关元件23导通,第二开关元件25截止,形成使电流控制用开关元件2、电抗器4和激光二极管LD1~LDn通电的电路。这时,可忽略电抗器4电感的影响,可提供上升沿和下降沿陡急的恒流脉冲。
  • 激光二极管用电源控制装置
  • [发明专利]用于光发射设备的驱动电路-CN01812969.2有效
  • 水野诚一郎 - 浜松光子学株式会社
  • 2001-07-18 - 2003-09-17 - H01S5/042
  • 一种驱动电路具备一个源跟随器电路2、一个源跟随器电路3和一个PMOS-FET4,其中,该源跟随器电路2由连接到光发射装置1的阳极侧上并且适合于直接激励光发射装置1的一个NMOS-FET组成;该源跟随器电路3由一个PMOS-FET(该PMOS-FET栅极端子被连接到由NMOS-FET组成的源跟随器电路2的源极端)组成;该PMOS-FET4适合于提供一个电流给由PMOS-FET组成是的源跟随器电路3。
  • 用于发射设备驱动电路
  • [发明专利]自动激光功率控制电路及其开关控制电路-CN02142645.7有效
  • 林志峰;杨政国 - 威盛电子股份有限公司
  • 2002-09-18 - 2003-03-19 - H01S5/042
  • 本发明涉及一种激光二极管自动激光功率控制电路及其开关控制电路,其中此自动激光功率控制电路包括反馈电路以及开关控制电路。而此开关控制电路包括第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关、第四电子开关、以及电阻。当第一控制信号致能时,使第一电子开关与第三电子开关导通,第二电子开关与第四电子开关关闭,反馈放大电路的信号连接至该驱动电路,进而驱动激光二极管。当第一控制信号禁能时,使第二电子开关与第四电子开关导通,第一电子开关与该第三电子开关关闭,利用电阻在驱动电路上所形成的电源,禁能驱动电路,激光二极管完全关闭。
  • 自动激光功率控制电路及其开关
  • [发明专利]氮化物半导体激光元件-CN01804885.4有效
  • 佐野雅彦 - 日亚化学工业株式会社
  • 2001-02-15 - 2003-03-19 - H01S5/042
  • 本发明氮化物半导体激光元件,为了提供能够精确控制p侧欧姆电极与p型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件,备有,在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层;该p型氮化物半导体层,包含最上层的p型接触层在内形成有一脊部,且该脊部上面的p型接触层上形成有一p侧欧姆电极;又形成有第1绝缘膜,其于脊部上面有开口部,并覆盖脊部的侧面及该侧面外侧附近;并形成p侧欧姆电极,其是介以开口部形成为与p型接触层相接;进一步形成第2绝缘膜于第1绝缘膜之上方。
  • 氮化物半导体激光元件

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