|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1343个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]激光二极管用电源控制装置-CN98118342.5无效
-
金原好秀
-
三菱电机株式会社
-
1998-08-11
-
2003-12-10
-
H01S5/042
- 本发明目的在于使供给激光二极管的电流迅速响应。激光二极管LD1~LDn输出激光8之前,使第一开关元件23截止,第二开关元件25导通,形成使电流控制用开关元件2和电抗器4通电的环路,并预先相对于电抗器4将规定稳恒电流设定为指令值ITH,产生激光器输出指令信号时,使第一开关元件23导通,第二开关元件25截止,形成使电流控制用开关元件2、电抗器4和激光二极管LD1~LDn通电的电路。这时,可忽略电抗器4电感的影响,可提供上升沿和下降沿陡急的恒流脉冲。
- 激光二极管用电源控制装置
- [发明专利]氮化物半导体激光元件-CN01804885.4有效
-
佐野雅彦
-
日亚化学工业株式会社
-
2001-02-15
-
2003-03-19
-
H01S5/042
- 本发明氮化物半导体激光元件,为了提供能够精确控制p侧欧姆电极与p型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件,备有,在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层;该p型氮化物半导体层,包含最上层的p型接触层在内形成有一脊部,且该脊部上面的p型接触层上形成有一p侧欧姆电极;又形成有第1绝缘膜,其于脊部上面有开口部,并覆盖脊部的侧面及该侧面外侧附近;并形成p侧欧姆电极,其是介以开口部形成为与p型接触层相接;进一步形成第2绝缘膜于第1绝缘膜之上方。
- 氮化物半导体激光元件
|