专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]带有引脚保护结构的全极霍尔开关-CN202120636797.X有效
  • 梁裕方;练祖鹏 - 深圳市和鸣微科技有限公司
  • 2021-03-29 - 2022-03-15 - H01L43/06
  • 本实用新型公开了一种带有引脚保护结构的全极霍尔开关,包括:开关元件本体及设置在开关元件本体底部的电源引脚、接地引脚和输出引脚。开关元件本体上设有上下滑动的“凵”型保护支架,“凵”型保护支架的底部设有与电源引脚、接地引脚及输出引脚一一对应的避让通孔,电源引脚、接地引脚及输出引脚的自由端分别插入与其对应的避让通孔内。本实用新型的有益效果:通过在开关元件本体上设置可上下滑动的“凵”型保护支架,在出货给客户时,可将“凵”型保护支架向下滑动,使得该全极霍尔开关的各引脚的自由端收纳在“凵”型保护支架的避让通孔内,从而大大降低了该全极霍尔开关的各引脚被折断的风险。
  • 带有引脚保护结构霍尔开关
  • [发明专利]一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法-CN201911201589.0有效
  • 黄火林;张卉;马凯鸣 - 大连理工大学
  • 2019-11-29 - 2022-02-22 - H01L43/06
  • 一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案:在衬底上外延生长石墨烯层,所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器,所述石墨烯层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器,有益效果是:本发明所述的具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法既可以满足X、Y、Z三维磁场测量,又具有超高的磁场探测灵敏度,同时可以减小传感器的体积,还可以与集成电路工艺兼容进行大规模生产,具有良好的应用前景。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、军事、医学、航空航天等领域中。
  • 一种具有超高三维磁场探测灵敏度传感器及其制作方法
  • [发明专利]一种基于轨道转移矩的磁化翻转器件及其实现方法-CN202111345093.8有效
  • 廖志敏;叶兴国;朱鹏飞;徐文正 - 北京大学
  • 2021-11-15 - 2022-02-11 - H01L43/06
  • 本发明公开了一种基于轨道转移矩的磁化翻转器件及其实现方法。本发明通过源漏电极通入直流的写入电流,产生面外的轨道磁矩的极化,进而产生面外反阻尼矩效应,在面外反阻尼矩效应下无需额外的磁场辅助就能够实现垂直磁各向异性自由铁磁层的磁化翻转,称为轨道转移矩;撤去写入电流后垂直磁各向异性自由铁磁层保持改变后的磁化状态,从而具有非易失性;通过源漏电极通入直流的读取电流,通过测量电极得到异质结的霍尔电阻,从而反应垂直磁各向异性自由铁磁层的磁化状态;改变写入电流方向,实现反向的轨道转移矩,从而使得垂直磁各向异性自由铁磁层的磁化反向翻转;轨道转移矩实现磁化翻转所需的临界电流更小,从而可以大大降低器件的功耗。
  • 一种基于轨道转移磁化翻转器件及其实现方法
  • [发明专利]一种垂直纳米点接触型自旋霍尔纳米振荡器-CN202111129211.1在审
  • 陈丽娜;刘荣华 - 南京光启仪器设备有限公司
  • 2021-09-26 - 2022-01-28 - H01L43/06
  • 一种纯自旋流高频微波纳米磁性振荡器,所述自旋电子器件基本单元为圆柱型或椭圆柱型纳米点接触的磁性多层结构,所述多层结构是由强自旋轨道耦合材料薄膜和磁性薄膜组成,强自旋轨道耦合的金属薄膜层为具有强自旋轨道偶尔材料或者拓扑二维材料,具体为Ta,Pt,W,TaOx,PtOx,WOx,Cu1‑xBix,拓扑绝缘体Bi1‑xSbx,Bi2(Se,Te)3,强反常霍尔材料[Pt/Co/Ni]n、[Ta/CoFeB/MgO]n等;所述磁性薄膜由面内或面外磁化的铁磁或亚铁磁以及反铁磁材料制成,所述磁性材料可以是磁性的金属、合金及绝缘体。本发明能作为高频微波源,和非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。
  • 一种垂直纳米点接触自旋霍尔振荡器
  • [实用新型]一种高灵敏度霍尔元件-CN202121615564.8有效
  • 张均颜 - 深圳市钧敏科技有限公司
  • 2021-07-15 - 2021-12-07 - H01L43/06
  • 本实用新型公开了一种高灵敏度霍尔元件,涉及半导体技术领域,包括霍尔元件主体、防护外壳和引脚,所述霍尔元件主体的外侧固定安装有防护外壳,所述防护外壳的两侧开设有安装槽,所述安装槽的内部设置有引脚。本实用新型通过缓冲层和挤压层相互配合,使得按压块挤压缓冲柱,利用缓冲柱的伸缩性,达到缓冲作用力的效果,然后再由下压块受力挤压压杆,配合压杆下压带动弹簧柱和气囊柱进行下压,达到二次缓冲作用力的功能,从而方便外壳缓冲保护霍尔元件,解决了霍尔元件的防护性能较差,使得在运输移动的过程中,容易发生碰撞,造成霍尔元件的损坏的问题,有利于增加设备的防护性能,从而提高霍尔元件的使用寿命。
  • 一种灵敏度霍尔元件
  • [发明专利]自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件及磁存储器-CN202110928639.6在审
  • 盐川阳平;佐佐木智生 - TDK株式会社
  • 2018-01-26 - 2021-11-16 - H01L43/06
  • 本发明的磁阻效应元件,具备:自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板,在基板的第二铁磁性金属层侧的面形成基底层,基底层是选自:包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层;以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层;包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层;以及,包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层;中的至少一种。
  • 自旋磁化旋转元件磁阻效应磁存储器
  • [发明专利]化合物半导体霍尔元件及其制备方法-CN202110900744.9在审
  • 何渊 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2021-08-06 - 2021-11-09 - H01L43/06
  • 本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件和制备化合物半导体霍尔元件的方法。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、电极部和磁感应部。该粘结层位于基板的表面上。所述电极部的至少一部分嵌入到所述粘结层中。所述磁感应部的端部叠置在所述电极部上以形成欧姆接触并通过粘结层键合到基板上。本发明属于半导体技术领域。本发明的实施例改善电极和磁感应部之间的结合力,提高了霍尔输出,由此提高了霍尔元件的灵敏度。
  • 化合物半导体霍尔元件及其制备方法
  • [发明专利]一种应变控制的可重构自旋波通道及控制方法-CN202110736056.3在审
  • 周浩淼;王凡;朱明敏;邱阳;郭荣迪;吴国华;郁国良 - 中国计量大学
  • 2021-06-30 - 2021-10-26 - H01L43/06
  • 本发明公开了一种应变控制的可重构自旋波通道及控制方法,包括衬底层,所述衬底层上方设有磁性层,所述磁性层上方设有压电层,所述压电层上表面设有顶部电极,所述磁性层上设有激发区。方法包括:构建模拟自旋波通道获取自旋波色散曲线;根据自旋波色散曲线选取施加应变并获取激发频率;构建应用自旋波通道;激发区内采用交变磁场按照激发频率激发并施加应变;自旋波在通道内稳定激发并传播。上述技术方案通过构建可重构自旋波通道,在通道区域内施加应变影响内部有效场,导致自旋波色散曲线发生移动,通道可重构,自旋波传输过程中不会产生固有焦耳热,其外围电路由电压控制,避免了磁场或电流的使用。
  • 一种应变控制可重构自旋通道方法
  • [发明专利]基于斯格明子的自旋忆阻突触器件-CN202010262550.6在审
  • 曾中明;李荣鑫;张宝顺 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2020-04-03 - 2021-10-12 - H01L43/06
  • 本发明公开了一种基于斯格明子的自旋忆阻突触器件,其包括:两端口存在自旋霍尔角的重金属层;位于重金属层上的磁性自由层,所述磁性自由层被划分为隧道结区和斯格明子存储区域,所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间设置有阻碍斯格明子自由移动的阻隔件;依次设置于隧道结区上的绝缘势垒层、磁性钉扎层和金属顶电极;其中,所述金属顶电极被配置为连接初始化电流以在所述隧道结区产生斯格明子,所述重金属层被配置为连接写入电流以驱动斯格明子在所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间移动,所述金属顶电极还被配置为连接读出电流以读取所述隧道结区的电导。本发明提供的自旋忆阻突触器件具有读写能耗低、稳定性高、电导态数目相对多的优点。
  • 基于明子自旋突触器件

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