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[实用新型]一种霍尔组件-CN201720568797.4有效
发明人：陈安俊 -专利权人：陈安俊
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型介绍了一种霍尔组件，它包括霍尔元件本体、焊接引脚、绝缘保护层；所述霍尔元件本体耦接于焊接引脚，所述绝缘保护层包裹在霍尔元件本体上；其中，所述焊接引脚为4个，其中引脚和引脚为供电引脚，引脚和引脚为输出信号引脚；所述焊接引脚分为上下两层，上层为上层引脚，其不与霍尔元件本体相连；下层为下层引脚，其与霍尔元件本体相连；所述焊接引脚伸出霍尔元件本体的中间部分设置一过渡区，所述过渡区尺寸大于焊接引脚其余部分尺寸；所述绝缘保护层由内之外依次为固定层、防水层、散热层。本实用新型解决了目前霍尔元件的焊接损害，突发状况烧损以及温升过大导致测量准确性下降问题。
一种霍尔组件

[发明专利]一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法-CN201510102442.1有效
发明人：王钰言;宋成;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法。它包括依次沉积在导电基片上的底层、反铁磁耦合层和顶层，在顶层上依次设有侧电极和门电极；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层组成的复合层；反铁磁耦合层为反铁磁层或反铁磁层和铁磁层；顶层为二氧化铪层、三氧化二铝层或二氧化硅层；侧电极为Ti层和Au层的双层膜或Ti层和Pt层的双层膜，在顶层上依次是Ti层、Au层或Ti层、Pt层；门电极为离子液体。本发明结构和制备方法简单、成本低，具有良好的磁化特性，可作为一种磁场探测器；对外磁场和热扰动不敏感，测量的霍尔电阻更加准确；是低能耗的自旋器件，对于反铁磁自旋电子学器件的发展具有重要意义。
一种电场调控反铁磁基霍尔器件及其制备方法

[发明专利]一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件-CN201510329120.0有效
发明人：徐跃;徐俊 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件，该器件采用新型的双阱器件结构，即在一个P型硅衬底上形成两个完全相同的n阱，每个n阱中分别有三个重掺杂N+区，两个n阱最外侧的N+区互相连接，最内侧的N+区也互相连接，形成完全对称结构，该垂直型霍尔器件在旋转电流操作时能实现电流流向完全对称，极大地降低了垂直型霍尔器件的残余失调。
一种对称结构失调垂直霍尔器件

[实用新型]一种单芯片霍尔电流传感器-CN201621417731.7有效
发明人：何云;刘桂芝 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单芯片霍尔电流传感器，包括正装于框架的承载区的霍尔传感器芯片，所述霍尔传感器芯片的焊盘通过金属连线与框架的第一引脚区连接；导体电流环位于所述霍尔传感器芯片的霍尔感应区域上方，其中，所述导体电流环为金属条带，与所述框架的第二引脚区连接；所述霍尔传感器芯片到所述导体电流环的距离小于所述导体电流环的宽度。本实用新型的条带宽度可调，通过调节条带宽度使霍尔电流传感器适应不同的电流强度；同时，不受凸点工艺中凸点高度的限制，可以进一步减小测量点与导体的距离r，增强传感器的线性度；此外，可以降低封装成本和产品研发周期，提高霍尔电流传感器的经济效益。
一种芯片霍尔电流传感器

[实用新型]一种霍尔元件-CN201620924021.7有效
发明人：胡双元;黄勇;颜建;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作过程中，P型砷化铟层是不参与导通的。从而，P型砷化铟层中的缺陷不会影响器件性能。而N型功能层直接生长在P型砷化铟层上，缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而使得霍尔元件灵敏度得到极大改善。
一种霍尔元件

[实用新型]一种霍尔传感器-CN201621308085.0有效
发明人：何云;刘桂芝 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种霍尔传感器，包括衬底；外延生长形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。本实用新型的霍尔传感器利用外延生长技术形成感测区，使得感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致，同时将电极向下延伸以降低电极处感测区垂直方向的电阻，进而降低霍尔传感器的失调电压。
一种霍尔传感器

[发明专利]磁性多层膜霍尔元件及其制备方法-CN201310055476.0有效
发明人：朱涛 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性多层膜霍尔元件及其制备方法。所述磁性多层膜霍尔元件包括复合多层结构的磁性多层膜，所述磁性多层膜包括至少一个基本单元，每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和非磁性金属材料层NM，其中，在所述基本单元中，所述非磁性金属化合物层MO和所述非磁性金属材料层NM分别设置在所述磁性金属材料层FM的两侧；所述非磁性金属材料层NM由选自Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中之一的金属形成，或由包含Ta、Hf、Zr、Mo、Nb和W其中至少一种元素的合金形成。本发明的磁性多层膜霍尔元件同时具有大霍尔电阻率，大纵向电阻率以及小矫顽力的特性，有望用于制备高性能的霍尔元件。
磁性多层霍尔元件及其制备方法

[实用新型]一种霍尔元件-CN201620926404.8有效
发明人：胡双元;黄勇;颜建;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡层是不参与导通的，因此，P型锑化铟层不影响器件性能。而因为P型锑化铟层的存在，形成在其上方的非掺杂锑化铟层缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而有效提高了霍尔元件灵敏度。
一种霍尔元件

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201610707556.3在审
发明人：胡双元;黄勇;颜建;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作过程中，P型砷化铟层是不参与导通的。从而，P型砷化铟层中的缺陷不会影响器件性能。而N型功能层直接生长在P型砷化铟层上，缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而使得霍尔元件灵敏度得到极大改善。所述的霍尔元件的制备方法，工艺成熟，方法简单、可靠。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法-CN201611200641.7在审
发明人：何云;刘桂芝 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法，包括将霍尔传感器芯片正装于框架的承载区，所述霍尔传感器芯片的焊盘通过金属连线与框架的第一引脚区连接；导体电流环通过条带技术设置于所述霍尔传感器芯片的霍尔感应区域上方，其中，所述导体电流环为金属条带，与所述框架的第二引脚区连接；所述霍尔传感器芯片到所述导体电流环的距离小于所述导体电流环的宽度。本发明的条带宽度可调，通过调节条带宽度使霍尔电流传感器适应不同的电流强度；同时，不受凸点工艺中凸点高度的限制，可以进一步减小测量点与导体的距离r，增强传感器的线性度；此外，可以降低封装成本和产品研发周期，提高霍尔电流传感器的经济效益。
一种芯片霍尔电流传感器及其制备方法

[发明专利]感测元件-CN201410215097.8有效
发明人：郭志彻;小泽德郎;青木幸司;张家玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开一种感测元件，其包括半导体层、第一电极与第二电极、第一侦测电极与第二侦测电极以及至少一导电图案。第一电极与第二电极设置在半导体层的相对向的两端。第一侦测电极与第二侦测电极设置在半导体层的相对向的另外两端，其中第一侦测电极以及该第二侦测电极之间具有一虚拟连线。至少一导电图案设置在半导体层上，其中导电图案与虚拟连线不重叠。
元件

[发明专利]一种霍尔传感器及其制备方法-CN201611088619.8在审
发明人：何云;刘桂芝 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种霍尔传感器及其制备方法，包括：衬底；外延生长形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。本发明的霍尔传感器及其制备方法利用外延生长技术形成感测区，使得感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致，同时将电极向下延伸以降低电极处感测区垂直方向的电阻，进而降低霍尔传感器的失调电压。
一种霍尔传感器及其制备方法

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201610709856.5在审
发明人：胡双元;黄勇;颜建;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡层是不参与导通的，因此，P型锑化铟层不影响器件性能。而因为P型锑化铟层的存在，形成在其上方的非掺杂锑化铟层缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而有效提高了霍尔元件灵敏度。所述的霍尔元件的制备方法，工艺成熟，方法简单、可靠。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种霍尔基片结构及霍尔集成传感器芯片-CN201610435993.4在审
发明人：张文伟 -专利权人：苏州森特克测控技术有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种霍尔基片结构及或霍尔集成传感器芯片，其中霍尔基片为十字形或菱形。霍尔集成传感器芯片包括上述的霍尔基片结构。通过本发明实施例，能够在不显著提高成本的前提下，提高灵敏度并减小磁偏置。
一种霍尔结构集成传感器芯片

[实用新型]一种霍尔器件及其安装结构-CN201620073384.4有效
发明人：方德忠;李迎春 -专利权人：江苏康尚生物医疗科技有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种霍尔器件，包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，其中，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚呈三角形设置，所述第一引脚、第三引脚相平行，所述第二引脚与所述第一引脚、第三引脚所在的平面相平行，所述第二引脚设有弧形折弯部，所述第一引脚设有直角折弯部，所述第三引脚设有直角折弯部。本实用新型还提供了一种霍尔器件的安装结构。本实用新型的有益效果是：将第一引脚、第二引脚、第三引脚设置为不共面的三角形，使第二引脚与第一引脚、第三引脚相错开，一方面，增加了引脚之间的间距，降低了连焊的风险，降低了接触短路的风险；另一方面，不需要安装绝缘橡胶套，减少了物料，简化了装配，降低了成本。
一种霍尔器件及其安装结构