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[实用新型]三脚霍尔元件的通用装置-CN200720184370.0无效
发明人：吴龙;王永福 -专利权人：许晓华
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三脚霍尔元件的通用装置，三脚霍尔元件的三个输出信号Sa、Sb、Sc分别与配合四脚霍尔元件的电机驱动芯片的三个霍尔信号输入引脚IN1+、IN2+、IN3+相连，并且Sa、Sb、Sc又分别经电阻R5、R4、R3接电压Vdd，电压Vdd还接电阻R1，电阻R1再接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1、R2的并接点再与电机驱动芯片的三个霍尔信号输入引脚IN1－、IN2－、IN3－相连。本实用新型通过简单的电路连接，使得三脚霍尔元件可以代替四脚霍尔元件使用，使三脚霍尔元件能与日本三洋公司的电机驱动芯片配合使用，改善了三脚霍尔元件的通用性，便于生产和采购。
三脚霍尔元件通用装置

[发明专利]锑化铟霍尔元件及制造方法-CN200710021094.0无效
发明人：西垣诚 -专利权人：昆山尼赛拉电子器材有限公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铟霍尔元件及制造方法，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸；制造方法主要步骤是：1)镍锌材料基板受入；2)形成二氧化硅绝缘层；3)蒸着锑化铟感知膜；4)光刻形成“十”字形锑化铟感知膜；5)光刻形成“十”字形液体树脂保护膜；6)光刻形成四个金电极图形；7)金电极图形形成以后进行电极蒸着，在芯片表面依次蒸着一层Cr和Au形成四个金电极；8)最后芯片进行划片、切割，在四个金电极上使用金丝球焊连接、进行超小型封装，再进行电镀处理以后就形成了锑化铟高灵敏度型霍尔器件。制造方法简单易行，成本较低。
锑化铟霍尔元件制造方法

[发明专利]一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法-CN200610144053.6无效
发明人：竺云;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属多层膜霍尔器件，其由在硅基片上交替生长的磁性金属层和Pt层构成，磁性金属选用Fe、Co或/和CoFe合金。该金属霍尔器件具有超高灵敏度，在室温下甚至可以达到1200V/AT，这已经超过了目前半导体霍尔器件的灵敏度，可应用于传感器和磁存储系统中。本发明提供的上述金属霍尔器件的制备工艺简单、重复且稳定，非常适合实际操作。
一种金属多层霍尔器件及其制备方法

[实用新型]锑化铟霍尔元件-CN200720036481.7无效
发明人：西垣诚 -专利权人：昆山尼赛拉电子器材有限公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极相接。由于“十”字形锑化铟感知膜表面加上一层“十”字形PIX保护膜，对“十”字形锑化铟感知膜表面起到保护作用，这样“十”字形锑化铟感知膜就不易损坏，保证霍尔元件稳定的特性；又加PIX保护膜的方法与加锑化铟感知膜类似，因此简单易行，不需另行增加生产设备，成本较低。
锑化铟霍尔元件

[实用新型]导磁金属接近传感器-CN200520104821.6无效
发明人：王海生 -专利权人：王海生
申请日： 2005-08-01 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导磁金属接近传感器。该传感器是在一个非导磁材料制作的导管内设置一块动磁铁，在导管外设置一块与动磁铁极性相反的定磁铁，导管一端封闭为感应面，动磁铁可以在导管中滑动，导管外壁的另一侧固定设置霍尔元件，其电路连接在传感电路中。在没有导磁金属接近感应面时，动磁铁与定磁铁相吸而保持固定位置，霍尔元件因无垂直磁力线穿过而处于关闭状态，传感电路中没有新的电信号。当导磁金属接近感应面时，动磁铁将克服与定磁铁的吸力，在导管内滑向感应面，与导磁金属靠近，使得动磁铁的磁力线垂直穿过霍尔元件，该元件处于打开状态，传感电路中有新的电信号。本实用新型结构简单、成本低、传感器可以微型化。
金属接近传感器

[实用新型]磁体阵列-CN200520011883.2无效
发明人：大桥俊幸;相曾功吉 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁体阵列，其包含多个永磁体和由磁性材料制成的薄板磁轭。永磁体为长方体形状并在其对立端面上形成磁极，其按四方格子阵列方式排列，其端面共面，且两个最近邻的永磁体的端面上产生的磁极在极性上不同。磁轭具有以与永磁体相同的方式排列的多个通孔，每个通孔包括正方形部分和矩形部分，该正方形部分的形状与永磁体的横截面形状相同，每个矩形部分沿该正方形部分的一边的中心部分形成并将该中心部分作为其长边。该多个永磁体穿过该多个通孔的相应的正方形部分插入，且永磁体的端面所在的平面位于磁轭的上表面和下表面之间。本磁体阵列可用于批量制造磁传感器。
磁体阵列

[发明专利]具有纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料活性层的霍尔元件-CN200510122238.2无效
发明人：刘晖;李志青 -专利权人：南开大学
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为Fe_xGe_1－x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在－250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
具有纳米晶铁锗颗粒薄膜材料活性霍尔元件

[发明专利]半导体传感器及其制造方法-CN200480005399.7无效
发明人：柴田佳彦;井濑修史 -专利权人：旭化成电子株式会社
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体传感器及其制造方法，能够在Si衬底上形成电子迁移率高、片电阻比较大的InSb或InAs膜成，从而在工业上提供高灵敏度而且低功耗的优良的元件。在(111)Si衬底上首先形成由Ga、Al、In、As、Sb、P之中的至少2种或2种以上的元素构成的第1化合物半导体层(2)，再在该第1化合物半导体层(2)上，作为第2化合物半导体层(3)通过形成InSb或InAs而获得膜厚1μm左右的高电子迁移率而且高电阻的膜。进而，使用所获得的薄膜形成霍尔元件，从而能够形成高灵敏度而且电阻比较高的元件。
半导体传感器及其制造方法

[发明专利]带有霍尔元件的磁场传感器-CN02829584.6有效
发明人：克里斯蒂·思古特;雷迪沃杰·波波维克;皮埃尔－安德烈·贝西;恩瑞克·舒尔格 -专利权人：善卓股份有限公司
申请日： 2002-09-10 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：公开了一种对称垂直霍尔元件，它包括一个具有第一种导电类型的阱(2)，其嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，且与用作电流和电压触点的四个触点(4，5，6，7)相接触。从电气角度来看，这样一个具有四个触点的霍尔元件可以视为一个由霍尔元件的四个电阻(R₁到R₄)组成的电阻桥。从电气角度来看，当四个电阻(R₁到R₄)的阻值相等时，此霍尔元件可以视为处于理想状态。为了维持电阻桥的电平衡，本发明提出了一系列措施。第一种措施是提供至少一个附加的电阻，而第二种措施是在局部增大或减小阱的导电性。第三种措施是提供两个按如下方式并联连接的霍尔元件：它们的霍尔电压是同向施加的，且其偏移电压大部分都相互抵消了。
带有霍尔元件磁场传感器

[发明专利]用于直流无刷电机的霍尔电路板-CN200410015291.8有效
发明人：谭先华;郑家江;马先红;王传福;张金涛 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直流无刷电机的霍尔电路板包括霍尔元件和光耦。其中霍尔元件分为两组，每组均由3个构成，并采用并联设置的方式。该两组霍尔元件均与一个电子转换控制开关电连接，通过该电子转换控制开关后再与电机控制器相连。电子转换控制开关还有一个输入端与光耦的输出端相连，光耦再与电机控制器相连。本发明成本较低，使用可靠。采用本发明控制的直流无刷电机，正反转效果佳、输出功率大、效率高，与现有技术相比有较强的经济性和实用性。
用于直流电机霍尔电路板

[发明专利]化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法-CN03802291.5有效
发明人：渡边隆行;柴田佳彦;氏原刚志;吉田孝志;大山明彦 -专利权人：旭化成电子株式会社
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法。可以稳定地提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体的叠层体，因此，可以在工业上提供灵敏度高电力消耗低，并且温度特性也优越的霍尔元件。层叠由Al、Ga、In、As和P中至少2种元素和Sb构成的第1和第2化合物半导体层和In_xGa_1－xAs_ySb_1－y (0.8≤x≤1.0，0.8≤y≤1.0)组成的化合物半导体的活性层，使第1和第2化合物半导体层中的每一个，与活性层比较，具有宽带隙和大于等于5倍的电阻值而进行成膜，将第1和第2化合物半导体层和活性层的晶格常数差都设定在0.0～1.2％的范围内，并将活性层的厚度设定在30～100nm的范围内，构成化合物半导体的叠层构造体。
化合物半导体构造霍尔元件制造方法

[发明专利]霍尔器件和磁传感器-CN02819427.6有效
发明人：中村正广;美浓亮子 -专利权人：旭化成微系统株式会社;旭化成电子株式会社
申请日： 2002-09-30 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明的霍尔器件，就是在由矩形部和设于其各边相互对向的凸部构成的十字型感磁部的对向一对凸部各自设置一对电源端子部，感磁部对向的另一对凸部各自设置一对输出端子部；这些电源端子部和输出端子部的全部以及感磁部的各凸部一部分，由各自对向方向连续伸长的狭缝分割并在狭缝各自具备绝缘体隔离层；并具有由感磁部、电源端子部和输出端子部构成的全体形状对其中心具有4次对称性的形状。按照该构成，能够提供磁场检测灵敏度高的霍尔器件。
霍尔器件传感器

[发明专利]半导体霍尔传感器-CN02807380.0有效
发明人：高冢俊德 -专利权人：旭化成电子株式会社
申请日： 2002-07-25 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种通过减小不平衡电压来减小不平衡电压所引起的测定误差，进而使静电耐压性能提高的半导体霍尔传感器。在存在于十字形状的半导体霍尔传感器的图案1的外周的内角部分上设置切口部2a。存在于十字图案形状的外周的四个内角部分中，输入一侧端子图案和输出一侧端子图案交叉的角度的相邻的2处或4处都是锐角。所以对半导体霍尔传感器的图案的缺陷或不平衡变得不敏感，与以往的十字形状的半导体霍尔传感器图案相比，能减小不平衡电压。
半导体霍尔传感器

[发明专利]磁性隧道结器件及其制造方法-CN03152609.8有效
发明人：金泰完;赵炳起;沈希宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。
磁性隧道器件及其制造方法

[发明专利]横向型霍尔器件-CN96102976.5无效
发明人：望月博;藤井佳苗;舟木英之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1996-03-28 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种横向型霍尔器件，它具备有：基板；基板上的第1导电型活性层；把第1导电型活性层围起来的第1个第2导电型半导体层；在第1导电型活性层表面上形成对的高杂质浓度的第1个第1导电型半导体层和第2个第1导电型半导体层；在此一对第1个第1导电型半导体层上的电流供给电极；在此一对第1导电型半导体层上的传感器电极；在上述第1导电型活性层表面上，不同位置上形成的多数个第2个第2导电型半导体层。
横向霍尔器件