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[发明专利]一种可投影图形、标识、符号的精密微型封装器件-CN201610931298.7有效
发明人：张胜斌;王尚泽 -专利权人：深圳市汇晨电子股份有限公司
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可投影图形、标识、符号的精密微型封装器件，包括发光晶体，发光晶体包括衬底材料层、在衬底材料层上方生长二极管PN结、再利用激光束等加工方法打掉多余的部份保留需要的图案形状、同时利用电极覆盖等方式屏避去多余的光、以及发光二极管PN结的P正极性电极和N负极性电极；其中，发光二极管PN结包括设置在下层的P结和设置在上层的N结。本发明将所需图形通过晶体生长PN结方式，在相同功率的基础上缩小发光晶体的发光截面，加强至所需图形的发光截面内，达到增加发光效果；由于图形与发光晶体结合后，体积可以做到微米级，因此对研发整个投射封装器件可以相应的缩小；其成本及应用领域可以进一步拓展。
一种投影图形标识符号精密微型封装器件

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、发光模块和照明设备-CN201310186277.3有效
发明人：林璨默;李锺昊;金真焕;李镇贤;赵秀玄;黄海渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。
半导体发光器件发光单元导电半导体层照明设备发光模块衬底绝缘层绝缘层形成第二电极源层制造

[发明专利]倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法-CN201610030189.8有效
发明人：钟志白;杨力勋;郑锦坚;李佳恩;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法，包括：衬底；发光外延层，位于衬底之上；键合电极，位于发光外延层之上；所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分。本发明解决习知倒装LED芯片结构在封装焊接时容易发生短路或者漏电的问题。 1
键合电极倒装LED芯片发光外延层上表层衬底易氧化金属漏电底层结构封装焊接金属叠层氧化金属短路氧化层主接触侧壁栅状制作

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201710985571.9在审
发明人：尹灵峰;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括外延片和电极，电极包括粘附层、保护层、第二打线层和第一打线层，粘附层、保护层、第二打线层和第一打线层依次层叠在外延片上，第一打线层为Al膜，第二打线层包括多个第一子层和多个第二子层，多个第一子层和多个第二子层交替层叠在保护层上，各个第一子层为Ni膜，各个第二子层为Al膜。本发明一方面通过第二子层增加整个打线层中Al膜的厚度，降低芯片的电压，另一方面通过第一子层隔断Al膜，避免Al膜层由于厚度太大而向周围扩散，改善芯片的外观，避免引起芯片漏电。
子层打线层保护层芯片发光二极管芯片外延片粘附层电极半导体技术领域交替层叠依次层叠漏电隔断制作扩散

[发明专利]具有埋入式触点的垂直固态换能器及高电压固态换能器以及相关联系统及方法-CN201380063850.X有效
发明人：弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;马丁·F·舒伯特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本文中揭示具有埋入式触点的固态换能器“SST”及垂直高电压SST。根据特定实施例的SST裸片可包含换能器结构，所述换能器结构具有：第一半导体材料，其在所述换能器结构的第一侧处；及第二半导体材料，其在所述换能器结构的第二侧处。所述SST可进一步包含：多个第一触点，其在所述第一侧处且电耦合到所述第一半导体材料；及多个第二触点，其从所述第一侧延伸到所述第二半导体材料且电耦合到所述第二半导体材料。互连件可形成于至少一个第一触点与一个第二触点之间。所述互连件可用多个封装材料覆盖。
半导体材料触点换能器结构换能器电耦合高电压互连件埋入式垂直封装材料关联系统可用裸片延伸覆盖

[发明专利]半导体发光器件-CN201380039741.4有效
发明人：安相贞 -专利权人：安相贞
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：支撑基板，该支撑基板具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；形成在所述第一侧上的具有多个半导体层的至少一个半导体叠层；结合层，其用于将该多个半导体层中的第二半导体层结合到支撑基板的第一侧；以及结合层去除面，其形成在该第一侧上，并且朝向所述多个半导体层开口，并且被布置成向该多个半导体层提供电流。
半导体发光器件

[发明专利]一种太阳能电池板的连接支架-CN201711405869.4在审
发明人：赵永平 -专利权人：新昌县南明街道宇威机械厂
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池板的连接支架，包括装置外壳，所述装置外壳的内腔下端设有调节装置，且装置外壳的内壁设有固定装置，所述装置外壳的一端通过连接装置安装有连接装置，所述连接装置的下端安装有支撑柱，所述连接装置的内腔远离连接装置的一端安装有驱动电机，所述驱动电机的一端安装有连接轴，所述连接轴的一端安装有推板，所述连接装置的一端设有连接端口，且连接端口位于推板的一端。本发明使用简单，安装便捷，方便使用者进行使用，使得使用者在使用过程有一个很好的便利性。
一种太阳能电池板连接支架

[发明专利]一种异型低电压高亮度LED芯片-CN201711434008.9在审
发明人：黄星群 -专利权人：黄星群
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种异型低电压高亮度LED芯片，包括：蓝宝石衬底层、成核层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；其中LED芯片的第一半导体层、发光层、第二半导体层按田字平均分成四个区，分别为一区第一半导体层、发光层、第二半导体层，二区第一半导体层、发光层、第二半导体层，三区第一半导体层、发光层、第二半导体层，四区第一半导体层、发光层、第二半导体层，各区第一半导体层上分别设置有第一电极，LED芯片中间蚀刻有第二半导体层的平台，在LED芯片第二半导体层平台上设置有一个第二电极。结构简单，简化了制备工艺，同时降低了电压、提高了亮度。
一种异型电压亮度 led 芯片

[实用新型]发光二极管-CN201721379090.5有效
发明人：郑高林;吴厚润;刘士伟;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接，所述第二电极位于所述第二导电型半导体层上并与所述第二导电型半导体层电连接；所述第一电极包括若干个第一子电极，所述第二电极包括若干个第二子电极；第三电极和第四电极，所述第三电极用于连接所述若干个第一子电极，所述第四电极用于连接所述若干个第二子电极；所述第三电极包括若干个第三子电极，所述第四电极包括若干个第四子电极，其特征在于：任意相邻的两个第一子电极和/或第二子电极之间的投影距离相等。
发光二极管

[发明专利]大面积量子点发光装置-CN201510179347.1有效
发明人：曹进;张雪;周洁;谢婧薇;陈赟汉;陈安平;魏翔;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种大面积量子点发光装置，包括基板；阴极部，包括依次层叠的阴极、电子注入层和电子传输层，阴极设置在基板上；阳极部，包括依次层叠的阳极、空穴注入层和空穴传输层，阳极设置在基板上；以及量子发光层，量子发光层连接阴极与阳极部，阴极部与阳极部设置在量子发光层相同侧。阴极部与阳极部数量为多个，阴极部与阳极部呈阵列交替排列。上述大面积量子点发光装置将阴极部与阳极部设置在量子发光层的相同侧，光直接从量子发光层发射出来，避免了传统器件结构中各层对光造成的损耗，提高光亮度；此外，对阴极部和阳极部采用阵列式的交替排列方式，各电极四周均分布为极性相反电极，充分促进了电子与空穴的迁移与复合，提高电极的利用率。
大面积量子发光装置

[发明专利]发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统-CN201410469501.4有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据一个实施方案的发光器件包括导电支撑衬底；在所述导电支撑衬底上接合层；在所述接合层上的反射层；在所述反射层上的欧姆接触层；在所述欧姆接触层上的电流阻挡层；在所述接合层上的周边部分处的保护层；在所述电流阻挡层、所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结构层；以及在所述发光结构层上与所述电流阻挡层和所述保护层至少部分交叠的电极，其中所述保护层由导电率低于所述欧姆接触层或所述反射层的材料、电绝缘材料或与所述发光结构层肖特基接触的材料制成。
发光器件制造方法封装照明系统

[发明专利]一种紫外发光二极管芯片及其制备方法-CN201610103621.1有效
发明人：周圣军;刘胜;郑晨居;吕家将 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属线网格透明导电电极的紫外发光二极管芯片及其制备方法，包括衬底以及依次从衬底表面叠加生长的氮化铝缓冲层、n型氮化镓铝层、多量子阱有源层(MQW)、p型氮化镓铝层；氮化铝缓冲层、n型氮化镓铝层、多量子阱有源层(MQW)、p型氮化镓铝层构成芯片的外延层；外延层上沉积有金属线网格；金属线网格上沉积有铝反射层；在芯片上有穿过铝反射层、金属线网格、p型氮化镓铝层、多量子阱有源层直至n型氮化镓层的n型电极孔。本发明金属线网格的线宽、占空比和厚度可以调控，对紫外光透过率高于90％，且方块电阻小于25欧姆，本发明均提高了倒装和正装紫外LED芯片的出光效率。
一种紫外发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]发光元件封装件-CN201680042933.4在审
发明人：任范镇 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：实施例的发光元件封装件包括发光结构，其包括第一导电半导体层和第二导电半导体层以及被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；透光电极层，其被布置在所述第二导电半导体层上；钝化层，其被布置在第二导电半导体层和第一导电半导体层的台面暴露部分上；反射层，其在与发光结构的厚度方向垂直的水平方向上从透光电极层的顶部布置到钝化层的顶部；以及导电包覆层，其被布置在反射层上。
发光元件封装

[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法-CN201480053518.X有效
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。
光电子半导体器件用于制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201310487566.7有效
发明人：波多野薰;浜田崇;宫田树久夫;胜井宏充;冈崎庄治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括形成于绝缘层上的下部电极；形成于所述下部电极彼此之间的部分之上，并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁；分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元；形成于所述第一发光单元上的中间层；形成于所述中间层上的第二发光单元；以及形成于所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。
发光装置及其制造方法