“H01L33/36”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果521个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有良好散热结构的LED芯片及其封装方法-CN201610736985.3在审
发明人：刘洋;李玉珠;易翰祥 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有良好散热结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底，所述衬底上依次生成有外延层、N型层、发光层、P型层，所述N型层和P型层上分别设置有电极，所述N型层的N电极设置在LED芯片侧壁，所述P型层的P电极覆盖P型层整个上表面。所述LED芯片外设置有绝缘层，所述绝缘层对应N电极和P电极开设有电极导孔。本发明还公开了上述LED芯片的封装方法。与现有的LED芯片相比，本发明的提供的LED芯片将N电极设置在LED芯片侧壁，使得P电极可覆盖P型层整个上表面，绝缘层针对P电极整体开孔，电极导孔的面积大，散热性能好。
具有良好散热结构 led 芯片及其封装方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201580000842.X在审
发明人：金昌台;金石中;李昌勋;辛元载 -专利权人：思特亮株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：发光部，其具备：第一半导体层，其具有第一导电性；第二半导体层，其具有与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，利用电子与空穴的再结合而生成光；绝缘层，其形成于发光部的一侧；及第一电极及第二电极，该第一电极及第二电极分别与第一半导体层及第二半导体层电气地连通，并相对于发光部形成于相同的方向，在该第一电极和第二电极中的至少一个以绝缘层为基准设于发光部的相反侧，在第一电极与第二电极之间的绝缘层侧发光部形成有至少一个槽。
半导体发光元件

[实用新型]一种低成本发光二极管-CN201620481433.8有效
发明人：杨凯;徐洲;何胜;李波;李俊承;李洪雨;赵宇;张双翔;张永 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种低成本发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在基板一侧设置下电极，在基板另一侧依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、P型欧姆接触层和上电极，其中P型欧姆接触层为掺杂Mg或C的In_xGa_(1‑x)As或GaP材料层；所述上电极为2～3层金属层，连接在P型欧姆接触层上的金属层为金属镍层。本实用新型不仅达到了上电极与P型欧姆接触层的良好欧姆接触，而且无须采用金属Au，利于大大降低材料成本，利于推广使用。
一种低成本发光二极管

[发明专利]一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管-CN201610460910.7在审
发明人：徐晨;邹德恕;董毅博;解意洋;荀孟;潘冠中;王秋华 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。
一种电极下方有源绝缘提取效率发光二极管

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201610790202.X在审
发明人：李庆;张广庚;王磊;孙豪;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层，N型半导体层上形成有N型台面；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的电流扩散层；位于未被电流阻挡层与电流扩散层覆盖的P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P电极、位于电流扩散层上方且与P电极电性连接的扩展电极、以及位于N型台面上且与N型半导体层电性连接的N电极。本发明的P电极下方未设置电流阻挡层和电流扩散层，P电极直接形成于P型半导体层上，增大了芯片电极的稳定性，且可以提高芯片的亮度。
led 芯片及其制造方法

[发明专利]正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用-CN201610712869.8在审
发明人：郑敏 -专利权人：厦门忠信达工贸有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用，其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜，所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏，外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层，N电子层设于透明衬底上，该N电子层具有高端及低端，所述P电子层设于该N电子层的高端上，该P电子层上设有P电极，N电极的低端上设有N电极，该P电极的顶端与N电极的顶端平齐，P电极及N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3，该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上，所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。本发明制程简单，导热性好，封装成本较低，可利于快速大量化生产。
正装覆晶 led 芯片封装方法及其应用

[发明专利]具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法-CN201610709305.9在审
发明人：张银桥;潘彬 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法，在GaAs衬底的上面依次设置的缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层、ITO电流扩展层和AlGaInP粗化层，在图案化的AlGaInP粗化层上设有金属电极层，在GaAs衬底的下面设有背电极层，所述金属电极层包括主电极和扩展电极，其中：主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上，扩展电极嵌入在图案化的AlGaInP粗化层中，并且与ITO电流扩展层保持连接。扩展电极自身因为其嵌入式结构的特点，因而稳定性好，从而提高了整个金属电极层的附着性和完整性，确保了发光二极管的工作电压稳定，提高了产品的焊线可靠性和发光效率，极大地提升了产品的质量和良率。
具有嵌入式透明扩展电极结构发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种倒装LED芯片-CN201620289885.6有效
发明人：田洪涛;陈祖辉 -专利权人：深圳市天瑞和科技发展有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装LED芯片，其是镜面对称的结构，从其蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层构成纵截面呈凸字形的外延结构。N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部，长条形的第一、第二N电极分别分布在第一、第二部分上，沿平行于倒装LED芯片的对称面的方向延伸；P型氮化镓层的上表面布置有第一金属层Ni的厚度为的金属层NiAgNi，作为反射导电层，也用作P电极。本实用新型的倒装LED芯片具有光效高、制作流程简便，可靠性高的优点；并且其制作流程简便，可靠性高。
一种倒装 led 芯片

[发明专利]一种蓝宝石衬底上发光二极管芯片的制作方法-CN201210485520.7无效
发明人：武胜利;肖志国;王景伟;刘琦;闫晓红;薛念亮 -专利权人：大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2012-11-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底上发光二极管芯片的制作方法。基本特征包括以下部分：1.以二氧化硅(或其他材料)作为牺牲层，来固定发光二极管的透明电极与发光平台边缘之间的距离。2.此结构形成在芯片发光平台的边缘处。3.采用这种方法加工发光二极管，会在简化光刻工艺校对过程的同时，使产品的加工结果达到较高的精度和重复性，提高生产效率。
一种蓝宝石衬底发光二极管芯片制作方法

[发明专利]制造半导体发光器件的方法-CN201380004186.1有效
发明人：全水根;朴恩铉;金勈德 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造半导体发光元件的方法，该方法包括：形成要与第二半导体层电连通的分支电极；以及在该分支电极上形成由多个电介质膜构成的不导电反射膜，以从有源层向在生长衬底侧的第一半导体层反射光，其包括通过化学气相沉积形成底层，以及通过物理气相沉积形成至少两个层，其中，该底层的厚度比底层上方层压的所述至少两个层中的每个的厚度厚；以及形成电连接件，该电连接件贯穿该不导电反射膜并且与该分支电极电连接。
制造半导体发光器件方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201380003999.9有效
发明人：全水根;朴恩铉 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：多个半导体层，其是使用生长基板按顺序生长的；第一电极，其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种；非导电反射膜，其形成在第二半导体上，以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧；以及分支电极，其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间，延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴，与所述第二半导体层连通，分支电极设置有电连接件，以被提供其它的电子和空穴。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光元件-CN201580007808.5在审
发明人：全水根 -专利权人：世迈克琉明有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层；反射膜，其用于在生长衬底的相反侧反射从有源层生成的光；以及第一电极及第二电极，它们用于向多个半导体层供给电子及空穴，该第一电极及第二电极中的至少一个具备焊层(soldering layer)，该焊层作为最上层，不含金(Au)而含锡(Sn)，并且经过热处理。
半导体发光元件

[发明专利]一种倒装式大功率紫外LED芯片及其制备方法-CN201610395135.1在审
发明人：胡晓龙;王洪;刘丽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-06-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装式大功率紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片从下到上依次为导热衬底，电镀金属层，第一电镀种子层，绝缘层，p型反射电极层，p型氮化镓层，有源层，n型氮化镓层；p型反射电极层上方一侧还进行刻蚀露出p型反射电极层的部分区域，露出的部分区域上设有p型金属电极；从p型反射电极层开始一直到n型氮化镓层刻蚀有多个n型通孔，所述p型反射电极层和n型通孔侧壁沉积所述绝缘层，第一电镀种子层沉积在n型通孔中和绝缘层上，第一电镀种子层与n型通孔的n型氮化镓层接触。本发明可以避免在表面制作n型金属电极，这样可以降低n型金属电极对有源区出光的吸收，从而提高LED芯片的出光效率。
一种倒装大功率紫外 led 芯片及其制备方法

[实用新型]半导体发光器件-CN201620241848.8有效
发明人：胡弃疾;付宏威 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括衬底，在衬底上外延生长有缓冲层，在缓冲层上外延生长有n型氮化物半导体层，在n型氮化物半导体层上外延生长有有源层，在有源层上外延生长有p型氮化物半导体层，形成台面，p型氮化物半导体层上设有通过电子束蒸法或溅镀法沉积并通过蚀刻溶液蚀刻内缩后去除光阻的透明导电层，形成上表面为透明导电层的凸台结构；凸台结构的表面上沉积有通过黄光蚀刻电流分布图案并去除光阻的绝缘层以及沉积有通过黄光蚀刻电极图案并去除光阻的透明线电极。线电极结构为透明线电极，在透明线电极下方的光不需要反射，直接经透明线电极透射出来。
半导体发光器件

[实用新型]氮化镓基倒装LED芯片-CN201620293200.5有效
发明人：田洪涛;陈祖辉 -专利权人：深圳市天瑞和科技发展有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基倒装LED芯片，其是镜面对称的结构，从其蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层构成外延结构。N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部；三个长条形的金属电极彼此平行地延伸，其中中间一个是P电极，其沿P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸；两侧分别是第一、第二N电极，它们分别分布在第一、第二部分上延伸。本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片采用镜面对称的结构，能够通过两个N电极的位置来保证芯片的电流分布均匀，具有光效高、制作流程简便，可靠性高的优点。
氮化倒装 led 芯片