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[发明专利]半导体结构-CN202210319240.2在审
发明人：李维中;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种半导体结构包括基板、第一及第二晶体管、第一及第二熔丝、接触结构以及介电层。基板具有第一及第二元件区域，以及熔丝区域。第一晶体管与第二晶体管分别位于第一元件区域与第二元件区域上。第一熔丝电性连接至第一晶体管且包括具有第一部分与第二部分的第一熔丝主动区域。第二熔丝电性连接至第二晶体管且包括具有第三部分与第四部分的第二熔丝主动区域。接触结构互连第二部分与第三部分，其中第一部分与第四部分位于接触结构的相对侧上。介电层位于接触结构与基板的熔丝区域之间。借此，本揭露的半导体结构，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。
半导体结构

[发明专利]反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法-CN202310153953.0有效
发明人：黄金荣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法，反熔丝结构包括位线结构及与位线结构电连接的选通结构；选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构，可变电阻结构与位线结构相邻，可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构的叠置方向与位线结构的厚度方向相交。本实施例的反熔丝结构直接在位线结构中间形成选通结构，且选通结构的叠置方向与厚度方向相交,相较于三者在厚度方向依次叠置，能够在确保反熔丝结构性能不减小的情况下，减小反熔丝结构的厚度并满足多种不同应用场景的实际需求。
反熔丝结构制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201710056947.8有效
发明人：木村吉孝 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：课题在于：提供一种半导体装置，该半导体装置即便在维持熔丝元件的耐湿性并且邻接的熔丝元件的间隔狭窄的情况下，利用激光照射切断熔丝元件时，也能防止构成熔丝元件的导体的再附着、或熔丝元件的断线等。解决方案如下，即具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖熔丝元件及保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，保护绝缘膜的机械强度高于第2绝缘膜。
半导体装置

[发明专利]一种efuse结构及其制备工艺-CN202211513994.8在审
发明人：宋慧芳;王刚宁;刘沙沙 -专利权人：芯合电子（上海）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的efuse结构。
一种 efuse 结构及其制备工艺

[发明专利]反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器-CN202310154914.2有效
发明人：黄金荣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开涉及一种反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器，反熔丝结构包括位线结构、字线结构，以及位于位线结构和字线结构之间的可变电阻结构和阈值选通结构，其中，可变电阻结构被配置为在预设编程电压下从高阻态转变为低阻态；阈值选通结构被配置为在阈值电压下选通。本公开能够降低反熔丝结构的平面面积和体积，进一步降低集成反熔丝结构的半导体器件的体积。
反熔丝结构及其制备方法阵列存储器

[发明专利]一种柔性多向检测开关及其制备方法-CN201910739915.7有效
发明人：何潇;王晗;陈新;陈新度;王瑞洲;曾俊;何超;詹道桦;徐文杰;辛正一 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性多向检测开关，包括依次间隔设置的至少两个导电层、以及位于相邻导电层之间的绝缘柔性基底；导电层均呈条状，导电层包括多层沿厚度方向堆叠的石墨烯层，至少一个导电层的轴向延长线方向与至少一个导电层的轴向延长线方向相交；导电层相对的两个端部分别设置有用于与电源电连接的导电线。当沿某一导电层受到沿轴线方向的拉扯时，会使得石墨烯层之间发生分离，使得该导电层的电阻极大的增加以至于形成开路相当于开关断开。由于导电层由石墨烯层构成，同时导电层之间的绝缘层为绝缘柔性基底，使得柔性多向检测开关具有较高的柔性可以任意弯曲。本发明还提供了一种柔性多向检测开关的制备方法，同样具有上述有益效果。
一种柔性多向检测开关及其制备方法

[发明专利]熔丝结构、形成方法及可编程存储器-CN202111296012.X在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种熔丝结构、形成方法及可编程存储器，所述熔丝结构包括：栅极结构，所述栅极结构至少部分形成在衬底的有源区上；第一电极，所述第一电极形成在所述衬底的有源区上，并与所述栅极结构间隔排布；第二电极，所述第二电极至少形成在所述栅极结构的侧面；隔离结构，所述隔离结构形成在所述有源区与所述第二电极之间。本申请实施例有助于减小导电电阻，增大击穿电流，降低熔丝介质层的击穿难度。
结构形成方法可编程存储器

[发明专利]单次可编程存储器电容结构及其制作方法-CN202111313571.7在审
发明人：李国兴;苏柏文;吴建良;薛胜元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种单次可编程存储器电容结构及其制作方法，其中该单次可编程存储器电容结构包括半导体基底、下电极、电容绝缘层及金属电极堆叠结构。下电极设置于半导体基底上；电容绝缘层设置于下电极上；金属电极堆叠结构包含依序堆叠的金属层、绝缘牺牲层及覆盖层，其中金属层设置于电容绝缘层上以作为上电极，绝缘牺牲层设置于金属层及覆盖层之间。所公开的单次可编程存储器电容结构的制作方法，借由绝缘牺牲层的设置，可避免先形成的下电极被后续蚀刻等制作工艺影响而损坏，使得单次可编程存储器电容结构具有较佳的电气特性。
可编程存储器电容结构及其制作方法

[发明专利]熔丝元件、半导体元件以及熔丝元件的制备方法-CN202210554998.4在审
发明人：商凯博;饶瑞修 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种熔丝元件、半导体元件以及熔丝元件的制备方法。该熔丝元件包括一有源区，具有一表面；一熔丝介电层，从该有源区的该表面延伸进入该有源区中；以及一栅极金属层，被该熔丝介电层所围绕。
元件半导体以及制备方法

[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法-CN202111222390.3在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构及其制备方法，一种反熔丝单元结构，包括反熔丝结构本体，所述反熔丝结构本体包括从上到下依次设置的上阻挡层、反熔丝膜层和下阻挡层；还包括侧面隔离层，所述侧面隔离层设置在所述反熔丝结构本体的外侧面。用于隔离上极板金属与下阻挡层。本发明提供的一种反熔丝单元结构采用侧墙隔离进行上极板引出，有利于单元尺寸进一步缩小，提升集成度，同时工艺上更加简洁，减少了一次光刻，工艺成本低，并且工艺套刻对位难度小，工艺容宽大；上极板金属引出时与上阻挡层接触面积大，可靠性更优。
一种反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]反熔丝阵列结构及存储器-CN202111093646.5在审
发明人：池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵；反熔丝集成结构包括：共用有源区的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管；第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制，第一开关管和第二开关管的共用端与位线连接，第一反熔丝存储MOS管和第二反熔丝存储MOS管分别通过相邻的编程导线控制，且在位线延伸方向上，编程导线还用于控制相邻反熔丝集成结构。以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距。
反熔丝阵列结构存储器

[发明专利]反熔丝阵列结构及存储器-CN202111093649.9在审
发明人：池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵，位线延伸方向和字线延伸方向相互垂直；每一反熔丝集成结构与两条编程导线以及两条字线相连接；在字线的延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻反熔丝集成结构共同连接相同编程导线和字线；在位线延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻反熔丝集成结构共同连接在其中一条编程导线上。通过提供一种新的反熔丝阵列的布局方式，以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距，保证反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果。
反熔丝阵列结构存储器

[发明专利]半导体装置-CN202210804808.X在审
发明人：铃村直仁;园田贤一郎;土屋秀昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。层间电介质层覆盖电熔丝元件。由硅金属制成的电阻层被布置在层间电介质层上和电熔丝元件正上方。
半导体装置

[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法-CN202110852260.1在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法。一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层和反熔丝膜层，所述上阻挡层设置在所述反熔丝膜层上，所述反熔丝膜层设置在二氧化硅介质层上，且位于钨塞柱的上方。本发明提供的一种反熔丝单元结构优化了反熔丝单元的底部结构，去除反熔丝单元结构的下极板阻挡层，使得反熔丝叠层腐蚀工艺容宽显著扩大，对工艺过程中的缺陷耐受能力增强，提升反熔丝单元结构的良率。
一种反熔丝单元结构制备方法电极

[发明专利]TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法-CN201810966032.5有效
发明人：叶广闻;沈添;R·G·小菲利皮;崔承万;曹琳珺 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法，其中，一种电熔丝结构包括：电路，具有可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿(time‑dependent dielectric breakdown；TDDB)渗透电流而断开。本发明还揭示编程这样的电熔丝结构的方法。
tddb 渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法