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- [发明专利]制造半导体器件的方法-CN201810194182.9有效
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佃荣次;片山弘造;园田贤一郎;国清辰也
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瑞萨电子株式会社
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2014-01-24
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2022-08-23
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H01L21/283
- 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括：(a)在第一区域中经第一绝缘膜在半导体衬底上方形成第一伪栅电极，经第二绝缘膜在半导体衬底上方形成第二伪栅电极，在第二区域中经第三绝缘膜在半导体衬底上方形成第三伪栅电极，第二伪栅电极经第四绝缘膜与第一伪栅电极相邻，第二伪栅电极的高度大于第三伪栅电极的高度；(b)形成层间绝缘层以便与第一至第三伪栅电极的上表面重叠；(c)抛光层间绝缘层、第一至第三伪栅电极的各部分使其上表面从层间绝缘层暴露；(d)去除第一至第三伪栅电极；以及(e)在第一至第三开口部中填充含金属的膜，第一至第三开口部是在步骤(d)中已经去除第一至第三伪栅电极的区域。
- 制造半导体器件方法
- [发明专利]半导体装置-CN201610686046.2有效
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竹内阳介;佃荣次;园田贤一郎;津田是文
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瑞萨电子株式会社
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2016-08-18
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2022-02-22
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H01L27/11585
- 本发明提供一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能，具有半导体基板、形成于半导体基板的上表面的元件隔离膜以及鳍片，该鳍片是半导体基板的一部分，贯通元件隔离膜而沿与半导体基板的上表面垂直的方向突出，具有在上表面的第一方向上彼此相对的侧面和将相对的侧面连结的主面，并沿与第一方向正交的第二方向延伸。还具有：控制栅电极，隔着栅极绝缘膜而配置在侧面上，并沿第一方向延伸；以及存储栅电极，隔着包含电荷蓄积层的栅极绝缘膜而配置在侧面上，并沿第一方向延伸。并且，在与上表面正交的方向上，存储栅电极与侧面重叠的重叠长度比控制栅电极与侧面重叠的重叠长度小。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN201710660716.8在审
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园田贤一郎;佃荣次;前川径一
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瑞萨电子株式会社
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2017-08-04
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2018-02-13
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G11C16/04
- 本文提供的半导体器件能够降低在半导体衬底上形成的存储元件的状态变化的可能性，所述半导体衬底和所述存储元件之间插入有绝缘层。所述半导体器件包括非易失性存储元件和偏压电路。所述非易失性存储元件中的每一个包括漏区和源区，栅电极以及电荷储存层，所述漏区和源区布置成将形成有沟道的半导体区域夹在中间，所述电荷储存层布置在所述栅电极和所述半导体区域之间。所述非易失性存储元件布置在半导体衬底上，且所述非易失性存储元件和所述衬底之间插入有绝缘层。当电子储存在电荷储存层中时，所述偏压电路使所述栅电极和所述漏区与所述源区中的至少一个之间的电势差减小，从而使储存在非易失性存储元件的沟道中的空穴减少。
- 半导体器件
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