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[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202180069841.6在审
发明人：山口秀范;阿佐直俊介;香下胜美;西村茂治 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一层和第二层，所述第一层包含以线和间隔布局布置的多个布线且所述第二层包含电连接到所述布线中的至少一者的衬垫，其中所述布线和所述衬垫通过不同的光刻工艺图案化。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]包括数位线触点的半导体装置及相关系统和方法-CN201911380166.X有效
发明人：小林直义;藤田修;香下胜美 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及包括数位线触点的半导体装置以及相关系统和方法。一种半导体装置包括在其上具有相应字线帽盖的横向相邻字线、介于所述横向相邻字线与字线帽盖之间的有源区、邻近所述字线帽盖的绝缘材料和半导体材料、以及介于所述半导电材料的相对的基本上竖直的表面之间、所述绝缘材料的相对的基本上竖直的表面之间、邻近所述字线帽盖的基本上水平的表面以及所述字线帽盖的相对的基本上竖直的表面之间的数位线触点。在所述相应字线帽盖的所述基本上水平的表面与所述基本上竖直的表面之间延伸并且连接所述基本上水平的表面与所述基本上竖直的表面的过渡表面朝中心地延伸穿过所述数位线触点的纵轴突出。还公开了形成所述半导体装置的方法，以及包含所述半导体装置的电子系统。
包括数位触点半导体装置相关系统方法

[发明专利]形成包含气隙的装置的方法及相关装置及电子系统-CN201980050615.6在审
发明人： A·F·希姆谢克-埃格;杨广军;王国镇;M·K·阿赫塔尔;香下胜美 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种装置包括：半导体柱；数字线，其侧向介于所述半导体柱之间；氮化物罩盖，其垂直地上覆于所述数字线；氮化物结构，其上覆于所述氮化物罩盖的表面；重布材料结构，其包括上覆于所述氮化物罩盖及所述氮化物结构的上表面的上部部分、及上覆于所述半导体柱的上表面的下部部分；低K电介质材料，其侧向介于所述数字线与所述半导体柱之间；气隙，其侧向介于所述低K电介质材料与所述半导体柱之间，且具有所述氮化物罩盖的所述上表面下方的上边界；及氮化物电介质材料，其侧向介于所述气隙与所述半导体柱之间。还描述存储器装置、电子系统、及形成装置的方法。
形成包含装置方法相关电子系统