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[发明专利]具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法-CN202211672513.8在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;D·R·埃科诺米;J·D·霍普金斯;J·D·格林利;M·K·拉玛萨哈亚米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含电绝缘材料及所述电绝缘材料中包含铜的位线。所述电绝缘材料界定所述位线之间的气隙。一种制造存储器装置的方法包含：在所述存储器装置的电路系统上或中的电绝缘材料中形成沟槽；在所述沟槽中形成第一导电材料；移除所述电绝缘材料的部分以在所述沟槽之间形成气隙；使所述第一导电材料凹进；以及用第二导电材料替换所移除的所述第一导电材料。所述第二导电材料比所述第一导电材料更导电。一种存储器装置包含所述设备。一种计算系统包含所述存储器装置。
具有导电电容相关设备计算系统方法

[发明专利]用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211662619.X在审
发明人：陈洁薇;J·D·格林利;M·K·拉玛萨哈亚米;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。水平伸长的沟槽位于横向紧邻的存储器块之间。导体材料在所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将个别所述导电层级的导电材料直接电耦合在一起。将所述导体材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导体材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不通过所述导体材料直接电耦合在一起。揭示额外实施例。
用于形成包括存储器单元阵列方法