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[发明专利]一种改善硅晶片机械性能的方法-CN201410227149.3无效
发明人：赵利;庄军;邵和助;李宁;董晓;朱震;孙海彬;梁葱 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片技术领域，具体为一种改善半导体硅晶片机械性能的方法。本发明方法包括如下步骤：选择工业用FZ或CZ方法得到的硅晶片，对所述硅晶片彻底清洗；将所述硅晶片置于一定压强的含氮密闭气体氛围中；在所述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅片。使用该方法得到的硅晶片，由于氮元素的超饱和重掺杂作用，氮元素聚集在硅晶片位错周围，形成团簇或复合物。所述团簇与复合物间具有强烈的相互作用并将位错锁定，达到增强该硅片机械性能的目的。同时，由于氮元素的超饱和重掺杂的效果，使得硅晶片中的氧含量减少，提高产品良率。
一种改善晶片机械性能方法

[实用新型]应用于激光退火机器的边缘保护装置-CN201320818080.2有效
发明人：童宇锋;胡荣星 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于激光退火机器的边缘保护装置，安装在激光退火机器的工件台上方，主要包括一个边缘保护环和两根能够自由升降的连杆，所述边缘保护环两端分别和两根连杆的顶部连接，两根连杆的底部分别通过工件台两端的孔与工件台连接。本实用新型通过在激光退火机器的工件台上增加一个边缘保护环，遮挡硅片和工件台边缘表面，避免了激光高温照射对硅片和工件台边缘以及与硅片键合的玻璃或其他支撑器件的损伤，在taiko硅片工艺中，也可以消除由于边缘厚度差异引起应力变化而导致的裂片现象，从而不仅增加了有效晶片的数量，同时也大大方便了设备的维护，降低了维护成本。
应用于激光退火机器边缘保护装置

[发明专利]一种采用激光辐照氮化镓外延片改善氮化镓电学光学性质的方法-CN201410137383.7在审
发明人：蒋毅坚;谈浩琪;赵艳 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-04-07 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善其电学光学性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm²-0.6J/cm²，经测试，辐照后样品的光致发光谱发生了显著变化，在455nm（2.72eV）位置的缺陷发光峰强度最高，较辐照前增加明显，最高可较辐照前增加约6倍，这可归因于激光辐照下样品表面原子的互扩散现象以及表面的重结晶作用。并采用磁控溅射的方法在样品表面淀积Ni(30nm)/Au(100nm)金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等测试，结果表明在辐照后其欧姆接触得到了一定的改善。
一种采用激光辐照氮化外延改善电学光学性质方法

[发明专利]一种激光退火装置及方法-CN201210586819.1有效
发明人：徐建旭;兰艳平 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光退火装置包括：激光退火单元，用于对所述加工对象进行激光退火；反射率检测单元，用于检测与分析所述加工对象的表面状态；工件台，用于放置一加工对象；其中，所述激光退火单元包括：激光器、扩束系统、匀光系统、分光系统、聚焦系统。本发明不需要外加探测光源，直接把激光的透射光作为参考光，将加工对象表面的反射光与透射光作对比，随加工时间变化，得出不同的反射光与透射光的比率，进而推算出加工对象表面的反射率变化，进而得到加工对象的表面状态，当加工对象的表面状态为液态时，表示激光退火完成。
一种激光退火装置方法

[发明专利]高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统-CN201310705423.9有效
发明人：萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;马丁·拉普克;古伊多·阿尔贝曼;托马斯·罗勒德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明描述了用于加工半导体晶圆的方法和系统的实施例。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。在本发明中还描述了其他实施例。
芯片强度半导体加工方法系统

[发明专利]用于激光处理设备的多重光束组合器-CN201280052799.8有效
发明人：斯蒂芬·莫法特;道格拉斯·E·霍姆格伦;塞缪尔·C·豪厄尔斯;埃德里克·唐;布鲁斯·E·亚当斯;季平·李;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：公开用于组合放大的辐射光束的设备和方法。光束组合器具有准直光学元件，该准直光学元件被定位成相对于准直光学元件的光轴以恒定的入射角接收多个相干辐射光束。各自的入射角度在某些实施方式中亦可为不同的。准直光学元件具有使光束准直的光学特性。该光学特性可为折射或反射，或折射与反射的结合。亦可提供聚集光学元件以将多个光束引导至准直光学元件。光束组合器可用于热处理设备中，以将诸如激光的两个以上的相干放大辐射光束组合至单一光束中。
用于激光处理设备多重光束组合

[发明专利]激光退火设备-CN201410109711.2无效
发明人：邱裕明;肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火设备，用于对半导体衬底进行退火，包括：保护罩，设置在半导体衬底的边缘，所述保护罩用于保护衬底边缘。本发明提供的激光退火设备，使激光束的能量能够平稳输出，避免半导体衬底边缘的能量尖峰的出现，提高半导体衬底的边缘的良率。
激光退火设备

[发明专利]激光退火装置及退火方法-CN201210485215.8有效
发明人：蔡博修 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光退火装置及退火方法。将激光源发出的光分成主激光和调制激光阵列，调制激光阵列领先主激光不同的时间间隔到达掩膜上，在掩膜的不同位置处不同程度地拓宽掩膜的能带隙，使得主激光能够按照不同的透过率透射掩膜，且吸收光阑吸收所述调制激光阵列并使得透射后的主激光无损耗出射，从而能够针对晶圆的不同表面形成不同强度的退火激光，实现精确的退火效果。
激光退火装置方法

[发明专利]激光处理装备中用于减少斑纹的设备和方法-CN201280043966.2有效
发明人：斯蒂芬·莫法特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化器产生，该空间上均匀的能量接着被导引至折射介质，该折射介质具有多个厚度。所述多个厚度的每一个厚度与其他厚度相差至少激光能量的相干长度。
激光处理装备用于减少斑纹设备方法

[实用新型]激光退火装置-CN201320813412.8有效
发明人：赵裕兴;韩伟;汪昊;徐海滨 -专利权人：苏州德龙激光股份有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光退火装置，包括：激光源，提供一激光束；扩束模块，位于所述激光束输出光束的光路上；光束整形模块，用于使经所述光束整形模块输出的光束具有均匀的能量密度；平场聚焦镜，位于所述光束整形模块输出光束的光路上，用于聚焦所述光束整形模块输出的光束为平顶光斑。本实用新型提出的激光退火装置及其激光退火方法，通过光学组件调节传输出能量分布均匀的平顶光斑，其具有退火效率高，均一性好的优点，同时提高了晶体排列的激活率，具有更高的加工效果。
激光退火装置

[发明专利]采用质子辐照制备终端结构的方法-CN201210370852.0有效
发明人：褚为利;朱阳军;吴振兴;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用质子辐照制备终端结构的方法包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。本发明提供的采用质子辐照制备终端结构的方法，在保证耐压的同时降低芯片终端面积，且采用质子辐照形成施主杂质的方法，形成N型阱，注入损伤相对普通高能粒子注入要小，还能提高器件的可靠性。
采用质子辐照制备终端结构方法

[发明专利]一种使用激光退火工艺激活离子的方法-CN201310630358.8在审
发明人：宋辉;孙昌;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明克服了现有技术只通过尖峰退火工艺来激活掺杂元素时产生的离子扩散，提出了一种使用激光退火工艺激活离子的方法，通过在尖峰退火和消除氮化硅层之后使用激光退火工艺，在显著提高激活离子的同时，减少离子的扩散效应，优化器件的性能。
一种使用激光退火工艺激活离子方法

[发明专利]非熔化薄晶片激光退火方法-CN201310377092.0在审
发明人：王耘;A·M·霍里鲁克;王晓茹;沈小华 -专利权人：超科技公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：开了一种对薄半导体晶片的退火方法。所述方法允许对薄半导体晶片的一侧进行高温退火而不会损害或过度加热那些位于晶片另一侧或者嵌入在晶片中的热敏感电子器件特征。退火是在低于晶片的熔点的温度下进行，因此在退火过程中不会发生显著的掺杂重新分布的情况。本方法可用于激活掺杂或用于形成欧姆接触。
熔化晶片激光退火方法

[发明专利]一种激光退火装置及激光退火方法-CN201210258008.9有效
发明人：张俊;李志丹;李喆 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开一种激光退火装置，包括：一激光光束发生模块，用于提供一稳定的单脉冲激光；一循环延时装置，用于将该单脉冲激光分解为若干子脉冲激光；一光学模块，用于将该子脉冲激光汇聚至一基底上；一运动台，用于为该基底提供至少一个自由度的位移。本发明同时公开一种激光退火方法。
一种激光退火装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及激光退火装置-CN201310233933.0有效
发明人：樱木进;若林直木 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法及激光退火装置，其能够实现高品质的退火。该半导体装置的制造方法将照射条件不同的两种激光脉冲照射到具有高浓度层（57a）和低浓度层（56a）的半导体基板（50）的表面，以使高浓度层和低浓度层均被活性化，所述高浓度层在所述基板的较浅的区域以高浓度注入有杂质且呈非晶化状态，所述低浓度层在比高浓度层更深的区域以低浓度注入有杂质。通过第1激光脉冲（LP1），不熔融高浓度层就使低浓度层活性化，并且使具有比第1激光脉冲的峰值功率更高的峰值功率和较短的脉冲宽度的第2激光脉冲（LP2）入射，而使高浓度层熔融而被活性化。从而实现高浓度层的活性化和低浓度层的活性化，表面不会变粗糙。
半导体装置制造方法激光退火