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[发明专利]一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法-CN202310935417.6在审
发明人：武震宇;苏泳全;刘艺晨;王栎皓 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题。
一种绝缘体玻璃衬底结构及其制作方法

[发明专利]大偏转角的光偏转器件-CN202210351648.8在审
发明人：武震宇;刘艺晨;王栎皓;汪洋;张玉遥 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明提供一种大偏转角的光偏转器件，由中心向外依次包括：反射平面，两个第一柔性连接装置，两个第一致动传感装置，解耦平面，四个第二柔性连接装置及两个第二致动传感装置；每个第一柔性连接装置的一端与反射平面的边缘连接；两个第一致动传感装置的一端分别与两个第一柔性连接装置的另一端连接；每个第一致动传感装置均包括第一及第二致动传感器；解耦平面的一端与两个第一致动传感装置的另一端连接；每个第二柔性连接装置的一端与解耦平面的另一端边缘连接；每个第二致动传感装置分别与两个第二柔性连接装置的另一端连接；反射平面、第一致动传感装置、解耦平面及第二致动传感装置均相互平行。该光偏转器件可有效提高反射平面的偏转角。
偏转器件

[发明专利]聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法-CN202210226292.5在审
发明人：武震宇;刘艺晨;王栎皓 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G21K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层；于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层；于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形；基于第一图形化的光刻胶层依次刻蚀阻挡层、聚酰亚胺薄膜层及介质层；于半导体基底的背面形成第二图形化的光刻胶层，得到薄膜内轮廓的光刻图形；基于第二图形化的光刻胶层采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀半导体基底，形成刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，采用干法刻蚀工艺去除介质层，得到聚酰亚胺薄膜被动滤光器件。采用该制备方法可有效提高聚酰亚胺薄膜的性能。
聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法

[发明专利]半导体基底结构及器件-CN202211104825.9在审
发明人：武震宇;王栎皓;苏泳全;刘艺晨 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基底结构及器件，包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层，通过导电柱可以实现垂直电学导通，通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘；本发明的半导体基底结构可实现3D互联，具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点，可作为集成电路器件的基底结构，以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容，增强器件的抗辐照能力；也可用于MEMS器件的设计，实现器件的电学引出，简化器件的封装结构，增强器件的阵列化能力；亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件，提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰，提高衬底利用率。
半导体基底结构器件

[发明专利]MEMS光学偏转器件-CN202210112102.7有效
发明人：武震宇;王栎皓;刘艺晨;汪洋;余子昊 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS光学偏转器件，包括：基座、2N个悬臂梁致动器、2N个耦合结构及反射微镜，其中N≥1；每个悬臂梁致动器包括：致动器衬底、致动结构、第一柔性结构；基座与致动器衬底固定连接；致动结构与致动器衬底连接；第一柔性结构与致动器衬底固定连接；第一柔性结构与一个耦合结构固定连接；2N个耦合结构固定连接于反射微镜的下方；2N个悬臂梁致动器沿周向分布于反射微镜的下方周围，且每两个悬臂梁致动器沿直线分布。通过在每一个第一柔性结构的一端均设置一个耦合结构，当沿直线分布的两个悬臂梁致动器同时产生致动力使反射微镜旋转时，两个悬臂梁致动器的旋转轴与反射微镜共轴，光的入射点在偏转过程中不会发生偏移。
mems 光学偏转器件

[发明专利]一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法-CN202211139534.3在审
发明人：武震宇;苏泳全;刘艺晨;王栎皓 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。
一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法

[发明专利]MEMS微镜单元及MEMS微镜阵列-CN202110571642.7有效
发明人：武震宇;汪洋;张浩;王栎皓;姜新泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS微镜单元，所述MEMS微镜单元包括：镜面层，包括镜面以及设置于所述镜面背部的多个柔性力学结构；致动器层，包括交叉排列的三个致动器，每一致动器与所述镜面层的每一柔性力学结构成对设置并且通过耦合柱与相应的柔性力学结构耦合，所述致动器用于通过所述耦合柱与所述柔性力学结构以为所述镜面层提供动力；以及引线层。本发明还提供了一种MEMS微镜阵列，所述MEMS微镜阵列包含以密堆方式排列的多个所述的MEMS微镜单元。本发明提供的MEMS微镜单元可以实现三个自由度的精确可调，控制方式灵活；包含所述MEMS微镜单元的微镜阵列，具有高占空比，以及高一致性的镜面性能。
mems 单元阵列

[发明专利]一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法-CN201811360938.9有效
发明人：赵俊元;朱银芳;王栎皓;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备，采用Inter‑CMOS和Post‑CMOS工艺的融合，减小了器件的寄生电容，降低了信号噪声，大大提高了器件的稳定性和成品率。
一种 cmos mems 集成芯片规模化制造方法

[发明专利]激光器阵列驱动装置及其封装方法-CN201910992563.6有效
发明人： 王栎皓;朱银芳;付登源;杨晋玲;赵松庆;吴根水;陈海燕 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器阵列驱动装置及其封装方法，该装置包括：承载基板，表面有焊盘；激光器阵列芯片，包括n×n个相同或不同的激光器器件，其中n≥1；导热膜，设置于激光器阵列芯片与承载基板之间；激光器驱动模块，与激光器阵列芯片间通过电学连接结构连接；隔热结构，设置于激光器驱动模块片与承载基板之间；以及热沉结构，与所述承载基板相连接。本公开提供的该激光器阵列驱动装置及其封装方法，采用三维堆叠封装，通过导热薄膜进行有效的片间散热，具有响应时间短、集成度高、可靠性高等特点，相比于其他驱动及封装方法大大提高了驱动同一性、发射功率和空间利用率，因此在光学成像、通信、互联、存储等领域具有广泛应用前景。
激光器阵列驱动装置及其封装方法

[发明专利]一种微流控芯片及其制备方法-CN201910121016.0有效
发明人：刘晓晨;朱银芳;王栎皓;赵俊元;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种微流控芯片，包括：盖板(1)，盖板(1)上设置有进液孔(3)、出液孔(4)和微电极阵列(5)，微电极阵列(5)设置在进液孔(3)和出液孔(4)之间，并且，微电极阵列(5)包括电极对(6)、传输线(7)和输入电极(8)，输入电极(8)经传输线(7)与电极对(6)相连；基板(2)，基板(2)上设置有微流道通道(9)、第一对准孔(10)和第二对准孔(11)；其中：盖板(1)与基板(2)键合时，进液孔(3)与第一对准孔(10)对准，出液孔(4)与第二对准孔(11)对准，微电极阵列(5)与微流道通道(9)对准。本公开还提供了一种微流控芯片的制备方法。
一种微流控芯片及其制备方法

[发明专利]基于谐振式传感器的生化检测系统及检测方法-CN202010015868.4在审
发明人： 王栎皓;朱银芳;赵俊元;李金潮;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：一种基于谐振式传感器的生化检测系统及检测方法。生化检测系统包括：传感芯片组件，包括第一微流体腔和MEMS谐振式传感器芯片，MEMS谐振式传感器芯片的悬臂梁能够吸附流经第一微流体腔的待测物；微流道及驱动组件，用于驱动含待测物的样品液进入传感芯片组件的第一微流体腔，对经过第一微流体腔后流出的样品液进行收集；电路及检测组件，用于接收传感芯片组件的输出信号，并对输出信号进行处理，以获取悬臂梁在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量；以及系统控制组件，用于对除系统控制组件外的其余组件进行信号收发控制。本发明还公开了一种基于此生化检测系统的检测方法，能够实现对病原微生物等进行高灵敏、快速检测。
基于谐振传感器生化检测系统方法

[发明专利]集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器-CN201811363372.5有效
发明人： 王栎皓;朱银芳;赵俊元;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS‑MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。
谐振式传感器信号处理电路惠斯通电桥检测电路待测物灵敏闭环便携式检测大规模制作可穿戴系统电路模块化学化工结构谐振面积减少频率变化生物医疗食品安全输出信号集成度灵敏度微流道谐振腔吸附占用航天传递国防应用

[发明专利]用于谐振式微纳生化器件的集成系统-CN201610796608.9在审
发明人：杨晋玲;王栎皓;廖驹;张金英;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：一种用于谐振式微纳生化器件的集成系统，包括一固定支架；一底板，其制作在固定支架的上面的中间；一盖片，其中间的一侧开有凹槽，便于固定压制微纳生化器件，该盖片位于底板的一侧；一顶板，其制作在盖片的上面；该盖片和顶板的上面开有连通的微流道，该微流道包括进出液体口，该微流道与微纳生化器件上的沟槽连通；该固定支架、底板、盖片和顶板通过螺栓固定；一电路接口，其制作在底板上面的另一侧；一模拟电路，其上固定有固定支架，该模拟电路与电路接口连接，该模拟电路用于追踪微纳生化器件的谐振频率，将微纳器件输出的交流信号提取、去噪和放大，并反馈至微纳器件对其驱动；一数字电路，其与模拟电路连接，该数字电路用于测量微纳生化器件的谐振频率及数据处理。
用于谐振式微生化器件集成系统

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