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- [发明专利]制造应变绝缘体上半导体衬底的方法-CN201780029897.2有效
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沃尔特·施瓦岑贝格;G·夏巴纳;尼古拉斯·达瓦尔
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索泰克公司
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2017-05-17
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2023-10-24
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H01L21/762
- 本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(13)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与所述接收衬底(2)接合，介电层(11,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(13)从所述供体衬底(1)转移至所述接收衬底(2)；(e)从由所转移的单晶半导体层(13)、所述介电层(11,22)和所述应变半导体材料层(20)形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层。步骤(b)另外包括在所述接收衬底(2)的应变半导体材料层(20)上形成介电接合层(22)或由与所述供体衬底(1)的单晶半导体层(13)相同的弛豫或至少部分弛豫的单晶材料组成的接合层(23)，并且在步骤(c)中，所述接合层(22,23)位于所述供体衬底和所述接收衬底之间的接合界面处。
- 制造应变绝缘体上半导体衬底方法
- [发明专利]制造应变绝缘体上半导体衬底的方法-CN201780030016.9有效
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沃尔特·施瓦岑贝格;G·夏巴纳;尼古拉斯·达瓦尔
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索泰克公司
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2017-05-17
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2023-06-27
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H01L21/762
- 本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(12)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与接收衬底(2)接合，介电层(13,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(12)从所述供体衬底转移至所述接收衬底；(e)通过超出所述应变半导体材料层(20)延伸到所述接收衬底(2)中的沟槽隔离(T)，从由所转移的单晶半导体层、所述介电层和所述应变半导体材料层形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层。所述供体衬底(1)包括单晶载体衬底(10)、中间层(11)和所述单晶半导体层(12)，所述中间层(11)相对于载体衬底材料(10)和相对于所述单晶半导体层(12)的材料形成蚀刻停止层，步骤(d)包括转移所述单晶半导体层(12)、所述中间层(11)、所述载体衬底(10)的一部分(15)。在步骤(d)和(e)之间，实施相对于所述中间层(11)选择性地蚀刻所述载体衬底的所述部分(15)的第一操作和相对于所述单晶半导体层(12)选择性地蚀刻所述中间层(11)的第二操作。
- 制造应变绝缘体上半导体衬底方法
- [发明专利]SiGe层的热氧化及其应用-CN200580046561.4有效
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尼古拉斯·达瓦尔
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硅绝缘体技术有限公司
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2005-02-24
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2008-01-09
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H01L21/316
- 本发明涉及氧化SiGe层的表面区域的方法，该方法包括对SiGe层进行氧化热处理以氧化所述表面区域，其特征在于包括两个阶段：第一阶段，氧化热处理，所述氧化热处理直接在所述SiGe层上进行，从而得到氧化区域，所述氧化区域具有足以形成覆层氧化物的足够厚度，所述覆层氧化物可在随后的第二阶段中保护下方的SiGe不发生点蚀，并且所述氧化区域的厚度足够薄，以保持氧化的表面区域的厚度在阈值厚度范围之下，所述阈值范围对应着SiGe层内的位错的产生，和第二阶段，在惰性气氛中高温退火，所述高温退火在所述第一阶段之后在所述SiGe层上进行，所述SiGe层覆盖有在所述第一阶段中产生的所述氧化区域，所述高温退火使Ge从所述富Ge区域扩散进入所述SiGe层的下部。
- sige氧化及其应用
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