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[发明专利]半导体元件-CN202211627414.8在审
发明人： 蔡志楹;王瑞僧;陈益义 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底、一接触结构、一第一导电元件以及一第一介电间隙子结构。该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该接触结构位于该半导体基底的该主动区上。该第一导电元件位于该半导体基底的该隔离结构上。该第一介电间隙子结构位于该接触结构与该第一导电元件之间。该第一介电间隙子结构具有面向该第一导电元件的一第一凹面。
半导体元件

[发明专利]具有接触结构的半导体元件的制备方法-CN202310077409.2在审
发明人： 蔡志楹;王瑞僧;陈益义 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该制备方法还包括在该半导体基底的该主动区上形成一接触结构。该制备方法还包括在该接触结构的相对两侧形成一介电间隙子。该制备方法还包括在该半导体基底的该隔离结构上形成一导电元件，其中该介电间隙子具有面向该导电元件的一凹面。
具有接触结构半导体元件制备方法