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[实用新型]一种烧录FLASH的电路-CN202223546579.0有效
发明人：宋涛 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种烧录FLASH的电路，属于服务器烧录技术领域，包括主板，主板上设置有USB接口、主控芯片、多路转换单元、按键单元和若干个控制芯片，每个控制芯片设置有相应的FLASH元件；通过多路转换芯片为各个控制芯片配置一个相应的FLASH元件，并通过按键单元选择烧录路径，在烧录时，无需移动待烧录控制芯片，即可实现控制芯片的线上烧录，且能够最大限度的保证烧录效率。
一种 flash 电路

[发明专利]用于闪存控制的方法、闪存装置和电子设备-CN202210832285.X在审
发明人：尹大健;尹石柱;金尚骏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了用于闪存控制的方法、闪存装置和电子设备。所述方法包括：在调整第一编程时间和编程电压的同时，对单元阵列的目标存储器单元执行第一编程；当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第一编程相关联的主要目标时，在调整第二编程时间的同时对目标存储器单元执行第二编程；以及当目标存储器单元的单元电流被确定为满足与第二编程相关联的次要目标时，终止对目标存储器单元的编程。
用于闪存控制方法装置电子设备

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201810588039.8有效
发明人：徐允赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统及其操作方法。一种存储器系统，其包括：控制器，用于对多个命令进行排队并响应于多个排队的命令输出控制信号；以及存储器装置，用于响应于控制信号来执行编程操作，其中当编程操作失败时，控制器保持多个排队的命令。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]存储器系统及存储器系统的操作方法-CN201811011575.8有效
发明人：洪志满 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统的操作方法，该方法可包括：对存储在联接到第一字线的第一存储器单元中的第一数据执行第一读取操作；对第一数据执行错误校正操作；当错误校正操作失败时，对联接到第二字线的第二存储器单元执行干扰编程操作；以及在执行干扰编程操作之后，对存储在第一存储器单元中的第一数据执行第二读取操作。
存储器系统操作方法

[发明专利]存储器系统和存储器阵列的操作方法-CN202310204420.0在审
发明人：柯文昇;吴秉骏;李东颖;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了存储器系统和存储器阵列的操作方法。用于执行存储器中计算(CiM)操作的存储器系统包括存储器阵列和处理电路。存储器阵列包括多个存储器单元。处理电路耦合到存储器阵列，并且包括编程电路和控制电路。编程电路耦合到存储器阵列，并且被配置为执行用于编程存储器单元的电特性的写入操作。控制电路耦合到编程电路，并且被配置为：接收对应于多个权重值的多个权重数据；以及控制由编程电路执行的写入操作，从而按照权重值的序列顺序对存储器单元的电特性进行编程。
存储器系统阵列操作方法

[发明专利]用于管理存储器访问操作的方法和系统-CN201910412897.1有效
发明人： D·S·埃布森;D·L·西蒙森;A·阿尔侯赛因;E·F·哈拉奇;S·霍韦 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于管理存储器访问操作的方法和系统。存储器控制器通过连接到主机的固态存储设备的存储器阵列的闪存存储器接口来管理存储器访问操作。存储器控制器在存储器阵列中执行第一存储器访问操作。第一存储器访问操作具有第一优先级。存储器控制器检测可用于在存储器阵列中执行并具有比第一优先级高的优先级的暂停存储器访问操作。检测操作区分暂停存储器访问操作与非暂停存储器访问操作。存储器控制器暂停在存储器阵列中执行第一存储器访问操作，并且执行具有比第一优先级高的优先级并可用于在存储器阵列中执行的一个或多个存储器访问操作。存储器控制器恢复在存储器阵列中执行第一存储器访问操作。
用于管理存储器访问操作方法系统

[实用新型]IC芯片用的全自动烧录机-CN202123218074.7有效
发明人：桂义勇;刘雪军 -专利权人：苏州永创智能科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IC芯片用的全自动烧录机，其主动轮、从动轮各自嵌入第一立板内并贴近第一立板朝向第二立板的表面设置，一安装于第一立板上的电机的输出轴与主动轮连接，主动轮、从动轮各自的上部自第一立板的上表面处露出并与载带接触，第一立板固定安装于底板的上表面上，底板的上表面间隔安装有至少两个垂直于第一立板设置的导轨，一端靠近第一立板的导轨上滑动安装有一滑座，第二立板的下部分别安装于若干个滑座上，主动轮的外圆周面上等间隔连续分布有若干个凸起，凸起用于嵌入间隔开设于载带边缘处的通孔内，分布于主动轮整个外圆周面上的凸起的数量可以被360整除。本实用新型了提高设备的通用性、使用的便捷性以及运料的精度。
ic 芯片全自动烧录机

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN201910982396.7有效
发明人：吴润植;权锡珍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文提供了存储装置及其操作方法。一种用于控制包括多个页的存储器装置的存储器控制器，该存储器控制器包括：输入数据控制器，被配置为接收待存储在从多个页之中选择的页中的数据；序列信息生成器，被配置为考虑存储器装置的操作状态，来生成指示将数据存储在所选择的页中的编程操作待被执行的序号的序列信息；以及写入操作控制器，被配置为控制存储器装置，以将数据存储在所选择的页的主区域中并且将历史信息存储在所选择的页的备用区域中，其中历史信息包括所选择的页的物理地址以及对应于数据的序列信息。
存储装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置的存取控制方法、存储器装置以及控制器-CN202211230672.2在审
发明人：杨宗杰 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种借助侵害位元资讯来进行存储器装置的存取控制的方法、存储器装置以及存储器装置的控制器。该方法包含：自主机装置接收第一主机读取命令；将第一读取命令传送至非挥发性存储器，以尝试自第一页面读取第一数据；将第二读取命令传送至非挥发性存储器，以取得软解码资讯并根据软解码资讯来进行第一软解码操作，以尝试自第一软解码操作取得第一数据；自至少一侵害页面读取多个位元以作为侵害位元资讯；根据至少一侵害页面的侵害位元资讯将软解码资讯转换成调整后软解码资讯；以及根据调整后软解码资讯进行第二软解码操作，以自第二软解码操作取得第一数据。
存储器装置存取控制方法以及控制器

[发明专利]基于SPI协议的嵌入式闪存的编程装置-CN202310545813.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海灵动微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了基于SPI协议的嵌入式闪存的编程装置，该装置包括：串行外设接口和闪存控制器，串行外设接口用于实现数据转换并与闪存控制器连接，闪存控制器包括解码器和第一状态机并通过第一状态机与嵌入式闪存连接。外部烧写器提供时钟信号到串行外设接口和闪存控制器，并提供数据信号到串行外设接口，在外部烧写器与串行外设接口之间传输数据过程中时钟信号翻转。串行外设接口以固定的预定位数发送数据到闪存控制器，最高位的数据包定义数据指令集，解码器对数据指令集进行解码并根据解码结果通过第一状态机实现闪存控制器和嵌入式闪存之间的数据传输。
基于 spi 协议嵌入式闪存编程装置

[发明专利]用于使用较低电压阈值进行耐久性友好编程的设备和方法-CN201780049298.7有效
发明人：吴微;Y.邹;J.B.卡恩;郭炘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种用于使用较低电压阈值进行耐久性友好编程的方法和设备。非易失性存储器具有被组织为使用第一数量的阈值电压电平编程的页的存储单元。存储单元被组织成写入数据的存储单元组。每个存储单元组被编程为存储第一数量的信息比特。存储器控制器从页中选择第二数量的信息比特，信息比特的第二数量小于信息比特的第一数量。存储器控制器使用来自第二数量的阈值电压电平的阈值电压电平对存储单元组的存储单元进行编程，其中阈值电压电平的第二数量小于阈值电压电平的第一数量，并且包括第一数量的阈值电压电平中的最低阈值电压电平。
用于使用电压阈值进行耐久性友好编程设备方法

[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法-CN201910266095.4有效
发明人：徐顺强;许浩;许铁元 -专利权人：湖南大佳数据科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的编程方法。该编程方法包括步骤：(S1)给定编程数据，设置余量电流值和最大编程次数；(S2)编程验证：检验存储器所有单元中的数据是否与给定编程数据一致，且存储器单元电流是否满足余量电流要求；(S3)若满足步骤(S2)中的要求，则编程验证通过并结束验证过程，否则转入步骤(S4)；(S4)判断是否达到最大编程次数，若达到，则编程验证未通过，并结束验证过程；否则，按照给定编程数据对存储器进行编程，转入执行步骤(S2)。本发明能够保证编程窗口大于一定的余量，且余量可以随着编程验证电压的变化而变化；适用于不同工作电压要求，在低电压下可以降低功耗。
一种非易失性存储器编程方法

[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元-CN201910490689.3有效
发明人：林纬;许祐诚;林晓宜;杨宇翔 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：基于第一电气设定来读取多个实体单元中的第一实体单元以获得第一软信息；基于不同于第一电气设定的第二电气设定来读取第一实体单元以获得第二软信息；根据第一软信息与第二软信息分类第一实体单元中的多个存储单元；以及根据所述多个存储单元的分类结果解码从第一实体单元读取的数据。
存储器控制方法存储装置控制电路单元

[发明专利]三维存储设备、包括其的存储系统及对其进行编程的方法-CN202310417300.9在审
发明人：李海波;秦周铉;张超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种用于对三维(3D)存储设备进行编程的方法。3D存储设备具有多个存储串，多个存储串具有垂直堆叠的存储单元，且每个存储单元可通过字线和位线寻址。对3D存储设备进行编程的方法包括以下步骤：在所选字线上施加编程电压；在第一组未选字线上施加第一通过电压；以及在第二组未选字线上施加第二通过电压，其中，第二通过电压不同于第一通过电压。
三维存储设备包括存储系统进行编程方法

[发明专利]非易失性存储装置及其编程方法-CN201811010904.7有效
发明人：沈相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种用于减少热载流子注入(HCI)的非易失性存储装置以及所述非易失性存储装置的编程方法。根据一个方面，所述非易失性存储装置的编程方法包括：在从多个存储单元中的与串选择晶体管相邻的上部存储单元到与地选择晶体管相邻的下部存储单元的方向上对包括在单元串中的存储单元进行编程；当对选定存储单元进行编程时，将第一禁止电压施加到第一未选定字线，所述第一未选定字线连接到位于所述选定存储单元之上的第一未选定存储单元；以及当在施加第一禁止电压之后经过了预定时间段时，将第二禁止电压施加到第二未选定字线，所述第二未选定字线连接到位于所述选定存储单元之下的第二未选定存储单元。
非易失性存储装置及其编程方法