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[发明专利]一种卷自动检测方法和系统-CN202310904043.1在审
发明人：李瑞寒 -专利权人：济南浪潮数据技术有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提出了一种卷自动检测方法和系统，该方法包括：对容器进行数据持久化操作，将持久化操作的目录挂载到外部存储卷，实现对存储卷下数据的持久化；利用第一探针对存储卷下挂载目录进行读写操作实现存储卷可用性检测，如果存储卷不可用，则重启容器编码的最小单元；利用第二探针对存储卷下挂载目录进行读写操作实现存储卷稳定性检测；如果存储卷未就绪，则改变容器编码的最小单元状态，且不再将业务流量发送至改变状态后的容器编码的最小单元。基于该方法，还提出了一种卷自动检测系统。本发明基于K8S容器服务的健康检查策略实现对挂载存储卷的可用性检查，实现对应用存储卷的读写功能自动化检测，从而来保障业务功能的可用性和稳定性。
一种自动检测方法系统

[发明专利]一种性能监控分析方法、系统、存储介质及设备-CN202310904980.7在审
发明人：张冠南 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种性能监控分析方法、系统、存储介质及设备，方法包括：在数据库中预先存入硬盘性能的曲线特征和对应的波动类型；响应于触发测试，生成测试命令并根据测试命令选择相应的测试程序对硬盘进行性能测试，并在测试过程中离散地采集性能数据，将采集的性能数据按时间顺序打包，并基于数据包产生第一序列、第二序列；基于第一序列的数据计算均值AVE，并基于均值AVE分析第二序列的数据中处于数据平稳区间之外的数据特征，得出数据波动结论；将历史采集的数据包的各个均值记为第三序列，并基于数据库中的曲线特性和波动类型分析第三序列，从而得出性能趋势分析结论；反馈并展示数据波动结论、性能趋势分析结论及对应的数据包。
一种性能监控分析方法系统存储介质设备

[发明专利]播放目标音频的控制方法、装置及计算机可读存储介质-CN202310934937.5在审
发明人：刘群;张正萍;赵国志 -专利权人：赛力斯汽车有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：本申请实施例涉及车辆技术领域，公开了一种播放目标音频的控制方法、装置及计算机可读存储介质，控制方法包括：在指定时长内接收并存储目标音频，确定出播放目标音频所需的播放时长；检测播放时长是否大于或等于预设时长；若大于或等于，则根据当前播放权限的申请结果确定是否控制播放目标音频。本申请通过检测播放目标音频所需的播放时长是否大于或等于预设时长；若大于或等于，则表征目标音频是期望播放的音频，从而快速筛选出期望播放的音频，并根据当前播放权限的申请结果确定是否控制播放目标音频，以避免通知音或其它短促的提示音影响当前播放音频的正常播放，以提高用户的体验感。
播放目标音频控制方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]一种增加EEPROM使用寿命的方法-CN202310938816.8在审
发明人：王进丁;王正中;胡勇杰;朱云飞 -专利权人：昌辉汽车电气系统(安徽)有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供在第一次保存新数据前，先将EEPROM所有存储单元赋值为初始值，并定义变量addr用于保存地址值；在第一次保存数据时，遍历EEPROM的所有存储单元，此时所有存储单元中的数据均为初始值，并将addr赋值为变量数值，再将需要保存的数据保存到该addr处；在后续的每一次保存数据时，均先遍历EEPROM的存储单元，找出数据不为初始值的地址值，将addr赋值为该地址值，将addr处的存储单元重置为初始值，并将该addr重新赋值为(addr+1)％256，再将需要保存的数据保存到该addr处。本发明增加了EEPROM的写入和擦除的寿命限制。
一种增加 eeprom 使用寿命方法

[发明专利]一种铁电存储器的控制方法以及相关装置-CN202210333051.0在审
发明人：刘晓真;卜思童;方亦陈;谭万良;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电存储器的控制方法以及相关装置，用于使得铁电存储器在写入与读取操作过程中稳定的进入铁电器件的部分翻转，从而提升铁电器件的耐久性能，同时可以有效地平衡铁电材料的正负应力平衡，从而减轻印迹效应。其具体操作如下：该铁电存储器的控制装置在写入操作的第一时间段内，将预充线的电压设置为第一电压并将浮栅的电压预充至第二电压，其中，该第一电压大于该第二电压，该第一电压减去该第二电压的差值用于导通该预充线上的晶体管；在该写入操作的第二时间段内，将该预充线的电压设置为0，并设置选中字线的电压为第三电压，该第三电压与该第二电压用于写入待写入数据。
一种存储器控制方法以及相关装置

[发明专利]电阻式内存单元的阻丝成型方法-CN202210339227.3在审
发明人：陈达;王炳琨;林家鸿;黄俊尧 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式内存单元阻丝成型方法，包括：在第一阶段成型，以包括栅极与漏极电压的第一偏压施加多次到电阻式内存单元。当第一阶段成型进行至读取电流达到第一饱和状态，锁存第一饱和状态的读取电流为饱和读取电流，判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值。当饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，执行第二阶段成型，施加第二偏压多次到内存单元，直到电阻式内存单元的读取电流达到第二饱和状态，锁存所述第二饱和状态的所述读取电流为所述饱和读取电流，并判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值，第二偏压为增加栅极电压并且降低漏极电压。在饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，且在饱和读取电流达到目标电流值时，结束此方法。
电阻内存单元成型方法

[发明专利]具有自校正的数字缓冲器装置-CN202210361378.9在审
发明人：粘书瀚 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/4093 文献下载
摘要：具有自校正的数字缓冲器装置，其包括第一缓冲器电路、侦测电路和校正电路。第一缓冲器电路具有用于接收输入信号的缓冲器输入端及作为数字缓冲器装置的输出的缓冲器输出端。侦测电路包括至少一个第二缓冲器电路，用以接收至少一个参考信号并产生表示至少一个第二缓冲器电路的电路特性变异的至少一个侦测信号。至少一个第二缓冲器电路与第一缓冲器电路属于相同类型的缓冲器。校正电路具有用于接收输入信号的校正输入端和耦接于缓冲器输出端的校正输出端。校正电路用以根据输入信号与至少一个侦测信号来校正第一缓冲器电路以产生输出信号。
具有校正数字缓冲器装置

[发明专利]半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备-CN202210369899.9在审
发明人：卢欢 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/402 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法、控制方法和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储组，标记存储区域中设置多个标志位；其中，每一存储组与一个标志位具有对应关系，且标志位至少用于指示存储组中至少一个存储单元是否具有特定状态，特定状态包括被占用。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过标志位指示相应的存储组中是否存在被占用的存储单元，能够为半导体存储器的控制过程提供更多的信息，提高半导体存储器的控制效率，降低功耗。
半导体存储器刷新方法控制电子设备

[发明专利]半导体存储器、刷新方法和电子设备-CN202210370026.X在审
发明人：卢欢 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/402 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法和电子设备，该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域，主存储区域中设置多个存储行，标记存储区域中设置多个第一标志位；其中，每一存储行与一个第一标志位具有对应关系，且第一标志位用于指示存储行是否为行锤击事件的锤击行。这样，由于半导体存储器中新增了标记存储区域，通过第一标志位可以标记行锤击事件的锤击行，明确行锤击的攻击对象，能够提高行锤击事件的处置效果且节省功耗。
半导体存储器刷新方法电子设备

[发明专利]堆叠式存储器装置及字线驱动器-CN202210398125.9在审
发明人：叶腾豪;彭武钦;林志铭;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开提供一种堆叠式存储器装置及其字线驱动器。字线驱动器包括第一字线信号产生电路、第二字线信号产生电路、第一电压产生器以及第二电压产生器。第一字线信号产生电路根据控制信号以选择第一电压以及第二电压的其中之一来产生第一字线信号。第二字线信号产生电路根据控制信号以选择第三电压以及第四电压的其中之一来产生第二字线信号。第一电压产生器提供第二电压。第二电压产生器提供第四电压。其中第一电压产生器与第二电压产生器相互独立。
堆叠存储器装置驱动器

[发明专利]半导体存储装置-CN202210992842.4在审
发明人：日岡健;渡邉稔史 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明的一实施方式提供一种提高了可靠性的半导体存储装置。半导体存储装置包含：存储胞阵列(17)，包含多个存储胞(MC)；字线(WL)，连接于多个存储胞；多个位线(BL)，分别连接于多个存储胞；感测放大器(19)，连接于多个位线；及控制器(14)，可执行包含反复的编程循环的写入动作，所述编程循环包含编程动作与验证动作。于在编程动作中对字线施加编程电压(VPGM)的期间内，感测放大器对多个位线分别施加第1电压(VSS)、高于第1电压的第2电压(VQPW1)、高于第2电压的第3电压(VQPW2)、及高于第3电压的第4电压(VHSA)中的任一电压。
半导体存储装置

[发明专利]音频均衡器的调节方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202310827376.9在审
发明人：彭伟中 -专利权人：广州飞傲电子科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：本发明涉及计算机技术领域，公开了一种音频均衡器的调节方法、装置、计算机设备及存储介质，通过获取音频文件信息，并对所述音频文件信息进行解码，得到PCM音频数据；根据所述音频文件信息实时计算所述PCM音频数据的分贝，并根据所述分贝动态调节音频信号增益参数；配置滤波器的滤波参数，根据所述滤波参数和所述音频信号增益参数计算所述滤波器的滤波系数；根据所述滤波系数对所述PCM音频数据进行滤波调节处理，通过调节均衡器的不同频点对滤波器进行处理，无需使用专业的数字信号处理，降低了产品成本，提高了用户的使用体验。
音频均衡器调节方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]铁电存储器-CN202210373356.4在审
发明人：徐亮;卜思童;方亦陈;刘晓真;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电存储器，该铁电存储器中的第一存储单元包括晶体管和多个电容，多个电容的第一极板与晶体管的漏极连接，多个电容的第二极板分别对应连接至多条板线，多个电容均为铁电薄膜电容；读写控制器，响应于接收到从多个电容中的第一电容读取数据，在第一时段控制晶体管导通、向第二位线和与晶体管连接的第一位线提供第一信号，向与第一电容连接的第一板线提供第二信号；在第二时段控制晶体管关断、向第一位线和第二位线提供第三信号，向第一板线提供第四信号；在第三时段控制晶体管导通；在第四时段控制放大器使能。该铁电存储器，可以在提高铁电存储器的存储密度的情况下、简化铁电存储器的数据读取的设计。
存储器

[发明专利]裸片测试系统及其裸片测试方法-CN202210519858.3在审
发明人：丁啓恒 -专利权人：点序科技股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种裸片测试系统及其测试方法。裸片测试方法包括：接收具有测试数据的测试样本；对测试样本进行逻辑判断以产生测试旗标；依据测试旗标决定操作模式；依据操作模式读取测试样本中的测试数据；依据测试数据对存储器控制器中的存储器进行存取测试以产生测试结果。
测试系统及其方法

[发明专利]半导体存储装置及存储器系统-CN202210932103.6在审
发明人：阿部光弘;平岛康伯;本间充祥 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制峰值电流的半导体存储装置以及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具备：第一焊盘；时钟生成电路，生成第一时钟；输出电路，从所述第一焊盘输出所述第一时钟；指定电路，将基于所述第一时钟而生成的多个时隙中的一个指定为特定时隙；以及峰值控制电路，在被指示了动作时，使产生电流峰值的部分动作在与所述特定时隙对应的定时执行。
半导体存储装置存储器系统