专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]时序测试电路及其测试方法-CN202310952489.1在审
  • 高璐 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - G11C29/56
  • 本发明提供一种静态存储器时序测试电路,包括逻辑控制模块、模式控制模块、延时计算模块、延时测试电路和SRAM存储单元;SRAM存储单元包括待测试SRAM,待测试SRAM包括输入数据寄存器时钟clk_i输入端、SRAM时钟clk_m输入端和输出寄存器时钟clk_o输入端;SRAM时序测试电路的工作模式为存储器测试模式、延时测试模式及延时计算模式;逻辑控制模块用于在存储器测试模式下根据SRAM的第一算法产生SRAM的地址、数据及控制信号,根据SRAM的输出数据产生测试结果,测试结果包括测试通过和测试失败,将测试结果传输至模式控制模块。本发明通过逻辑控制模块产生SRAM的地址、控制信号及数据,通过延时测试电路测试并计算延时,达到精确地自动化测试SRAM时序的目的,可简化测试程序,提高测试效率。
  • 时序测试电路及其方法
  • [发明专利]一种在LUN工作数量限制下的SSD可靠性测试方法-CN202310974126.8在审
  • 杨雪;王璞;李瑞东 - 山东华芯半导体有限公司
  • 2023-08-04 - 2023-10-27 - G11C29/50
  • 本发明涉及存储器领域,具体涉及一种在LUN工作数量限制下的SSD可靠性测试方法,包括以下步骤:S01)设定SSD测试总轮次为n;S02)对被测试SSD下发注错命令,使LUN工作数量到达最小值,S03)对SSD的前M%空间写入数据S04)对SSD的后(100‑M)%空间读写数据,同时下发正断/异断/热插拔命令;S05)查看被测试SSD状态是否正常;S06)若是,则对被测试SSD前M%空间进行校验;若不是,则测试失败且测试结束;S07)判定校验完成后的SSD的轮次是否达到n;S08)若否,对校验完成后的SSD重复步骤S04)~S07);若是,则测试结束。本发明可测试SSD在极限性能时的数据错误率和故障率,其方案接近真实场景,可提前发现潜在故障,可为提高SSD可靠性和耐久性提供借鉴。
  • 一种lun工作数量限制ssd可靠性测试方法
  • [发明专利]具有写掩码的数据校验系统-CN202311031939.X在审
  • 周健 - 沐曦集成电路(上海)有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-10-27 - G11C29/42
  • 本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种具有写掩码的数据校验系统,包括设置在预设芯片中的N个芯片内部存储器{M1,M2,…,Mn,…MN}、存储有计算机程序的存储器和处理器,其中,Mn为预设芯片中的第n个内部存储器;Mn对应的ECC位数为An,ECC校验码的位数为Gn,Mn对应的写掩码位数为Bn,Mn对应的数据写入位宽为Cn,Mn对应的存储位宽为Dn,Cn≥An,Cn≥Bn,#imgabs0#Mn中包括一位校验标识位、Gn位ECC校验码存储位和Cn位写入数据存储位。本发明提高了数据校验的灵活性,减少了芯片面积浪费,提升了芯片性能。
  • 具有掩码数据校验系统
  • [发明专利]一种内存数据库管理装置-CN202311032779.0在审
  • 臧宇灵 - 无锡数科云科技有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-10-27 - G11B33/04
  • 本发明公开了一种内存数据库管理装置,具体涉及数据管理技术领域,本发明通过打开门盖不在对弹力传动结构施加作用力,此时弹力传动结构与齿轮啮合传动即可驱动螺纹驱动结构运动,使得螺纹驱动结构可带动两侧的延伸板相互远离运动,在绳带的联动下,使得多个隔层之间依次进行展开,扩大隔层之间的间距,进而利于取放隔层之间的硬盘,而且防止硬盘贴合隔层之间产生摩擦磨损的问题,在夹持时,关闭门盖,通过挤压块挤压弹力传动结构运动,此时即可实现螺纹驱动结构的反向运动脱离延伸板,此时通过第二弹簧的弹性复位力即可收合隔层完成对硬盘的限位固定,使得该装置在开闭门盖期间即可完成自动打开和关闭隔层作业。
  • 一种内存数据库管理装置
  • [发明专利]校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备-CN202311217493.X在审
  • 李文菊;黎永健 - 上海芯存天下电子科技有限公司
  • 2023-09-20 - 2023-10-27 - G11C29/50
  • 本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备,其中,校验电流的设置方法包括以下步骤:获取第一电流信息和第二电流信息;获取第一数量和第二数量;根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流;该方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流,并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值,再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流,以使校验操作顺利且精确地进行,从而提高校验操作的精度,以获取更准确的校验结果。
  • 校验电流设置方法操作相关设备
  • [发明专利]硬盘指示灯电路以及硬盘背板-CN202210409174.8在审
  • 武红双 - 深圳富联富桂精密工业有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - G11B33/10
  • 本申请提供一种硬盘指示灯电路,包括:指示灯单元,用于指示硬盘的状态;控制单元,用于检测硬盘的状态,并根据硬盘的状态输出控制信号;驱动单元,用于接收控制信号,并根据控制信号点亮指示灯单元;校验单元,用于获取指示灯单元的电平值,并根据电平值与控制信号判定指示灯单元是否故障。本申请还提供一种硬盘背板。由此,本申请提供的硬盘指示灯电路以及硬盘背板,可以迅速、准确地得到硬盘指示灯的故障状态,节省人力,提高故障检测效率。
  • 硬盘指示灯电路以及背板
  • [发明专利]评估背景泄漏以选择存储器装置中的写入电压-CN202280012991.8在审
  • N·N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里;鹿中原 - 美光科技公司
  • 2022-01-26 - 2023-10-27 - G11C13/00
  • 一种存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置的控制器评估背景泄漏,以便选择用于在执行编程操作时施加到所述存储器单元的写入电压。从两个或更多个写入电压动态选择所述写入电压。这些写入电压包含作为正常或默认电压的第一写入电压,以及作为升高的写入电压的第二写入电压。所述控制器将预感测电压及预读取电压施加到所述存储器单元,且确定源自施加这些电压的第一及第二相应电流。响应于确定所述第一电流超过第一阈值(指示背景泄漏),且所述第二电流低于大于所述第一阈值的第二阈值(指示所述存储器单元不跳变),所述控制器选择所述第二(升高的)写入电压。
  • 评估背景泄漏选择存储器装置中的写入电压
  • [发明专利]3D存储器装置及其编程方法-CN202211435533.3在审
  • 阿梅迪奥·扬托诺 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-11-16 - 2023-10-27 - G11C16/04
  • 本申请公开了一种三维存储器装置。三维存储器装置包括:多个存储器单元串,每个存储器单元串包括多个存储器单元;多条字线,每一条字线与多个存储器单元串的、与衬底相距相同的垂直距离的相应存储器单元相关联;以及控制电路。控制电路被配置为将增量式步进编程脉冲序列施加到所选择的存储器单元,并在施加第一编程脉冲之后执行编程验证操作。控制电路进一步被配置为基于指示所选择的存储器单元已被编程的第二编程脉冲来确定更新后的第一编程脉冲,并且从更新后的第一编程脉冲开始针对每个后续选择的存储器单元执行编程验证操作。
  • 存储器装置及其编程方法
  • [发明专利]用于磁记录介质的双晶种层-CN202280020453.3在审
  • K·唐 - 西部数据技术公司
  • 2022-02-15 - 2023-10-27 - G11B5/012
  • 磁记录介质包括基板、位于基板上的软磁底层以及双晶种层。该双晶种层包括第一晶种层和第二晶种层,该第一晶种层包含第一浓度的NiFe,该第二晶种层包含偏析物和不同于第一浓度的第二浓度的NiFe。第一晶种层可以在软磁底层上,并且第二晶种层在第一晶种层上。磁记录介质还可以包括位于双晶种层上的一个或多个磁记录层。带有组分渐变的双晶种层的磁记录介质可以为双晶种层上的包括磁记录层的层提供小晶粒尺寸和良好的晶体学织构。
  • 用于记录介质双晶

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