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- [实用新型]掩膜版、阵列基板及显示面板-CN202122340406.2有效
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王光加;康报虹
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惠科股份有限公司
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2021-09-24
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2022-04-05
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G03F1/00
- 本实用新型公开一种掩膜版、阵列基板及显示面板，其中，所述掩膜版用于在光刻工艺中成型平坦层，所述掩膜版包括膜版主体以及自所述膜版主体周缘延伸出的调光膜版，自所述膜版主体朝向所述调光膜版的方向上，所述调光膜版的透光量呈渐变设置，以使得对应所述调光膜版成型的部分平坦层的厚度呈递减设置，对应所述膜版主体成型的部分平坦层厚度均匀，对应所述调光膜版成型的部分平坦层的厚度呈递减设置，以在所述平坦层上形成配向膜时，减少配向膜溶液堆积，增强配向膜液滴扩散能力，改善亮暗不均匀，提高了产品的质量。
- 掩膜版阵列显示面板
- [实用新型]一种便于调节光距的半导体蚀刻光罩-CN202122245434.6有效
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刘超超;高娟
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上海芯莘科技有限公司
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2021-09-16
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2022-03-18
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G03F1/00
- 本实用新型公开了一种便于调节光距的半导体蚀刻光罩，包括底座，所述底座顶部设有螺杆，所述螺杆的数量设置为两组，每组所述螺杆的数量设置为两个，所述底座顶部一侧设有电机，所述电机输出轴设置有锥齿轮，所述锥齿轮外壁啮合有转向齿轮，所述转向齿轮与一个所述螺杆固定连接，两组所述螺杆外壁均设有移动板，所述移动板与螺杆活动套接，且与所述螺杆螺纹连接。本实用新型通过螺杆转动带动两个移动板和安装板向相对或相反方向移动，从而光罩与遮光板以及放置板之间的间距，同时转动旋钮，使丝杆转动能够控制光罩安装板内部来回移动，从而便于对光罩进行横向调节，本实用新型结构简单，便于调节和固定，便于普及和推广。
- 一种便于调节半导体蚀刻
- [发明专利]曝光装置及其组合光罩-CN202111504377.7在审
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陈都
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TCL华星光电技术有限公司
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2021-12-10
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2022-03-11
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G03F1/00
- 本申请实施例公开了一种曝光装置及其组合光罩，其中，组合光罩包括：第一金属层，所述第一金属层上开设有多个第一透光孔；第二金属层，与所述第一金属层相对设置，所述第二金属层上开设有多个第二透光孔，所述第二透光孔沿光轴与所述第一透光孔对应设置。本申请通过多层金属层滤除光束中的斜向光，保证光束内各光线均沿光轴方向传播，增加了光束内各光线的平行度，使得激光光束的分散性更低，进而使得激光光束在大间隙下也能进行精准刻蚀。解决了现有技术中目前接近式曝光机的光路平行度不高，导致形成的激光光束较为分散，需要使用较低间隙的技术问题。
- 曝光装置及其组合
- [发明专利]一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统-CN202111309008.2在审
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赵圆圆;陈经涛;段宣明
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暨南大学
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2021-11-05
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2022-03-04
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G03F1/00
- 本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
- 一种基于神经网络标签反演光刻方法系统
- [发明专利]一种掩模参数优化方法及装置-CN202111274722.2在审
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何建芳;韦亚一;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;马乐
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中国科学院微电子研究所
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2021-10-29
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2022-03-04
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G03F1/00
- 本发明公开了一种掩模参数优化方法，方法包括：获取测试图形、光源参数、初始掩模参数，初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数；多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度；根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数，并对这些组掩模参数分别进行模拟，以得到每组掩模参数的成像对比度，从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而，通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化，也可以显著改善成像对比度，并提升成像分辨力。
- 一种参数优化方法装置
- [发明专利]掩模版、曝光方法和触控面板-CN202180000490.3在审
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雷杰;郑启涛;许邹明;吴信涛;刘纯建;田健
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京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
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2021-03-15
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2022-03-01
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G03F1/00
- 本公开提供了一种掩模版(13)、曝光方法和触控面板(170)。掩模版(13)包括第一区域(130’)和第二区域(130)，第一区域(130’)位于第二区域(130)的至少一侧，其中，第一区域(130’)包括第一遮光条(131”)和第二遮光条(131’)，第二区域(130)包括第三遮光条(131)，第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)的延伸方向相同，第二遮光条(131’)位于第一遮光条(131”)和第三遮光条(131)之间，第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)配置为阻挡光线，多个第一遮光条(131”)、多个第二遮光条(131’)和多个第三遮光条(131)包围形成的间隙允许光线通过，第一遮光条(131”)在第一方向上的宽度大于第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度，且第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度大于第三遮光条(131)在第一方向上的宽度。
- 模版曝光方法面板
- [发明专利]一种芯片的制作方法-CN202111408489.2在审
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黃钲为;葛伟妮;李式中;李双双
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泉意光罩光电科技（济南）有限公司
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2021-11-19
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2022-02-22
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G03F1/00
- 本申请实施例公开了一种芯片的制作方法，该方法包括：提供一光罩；将所述光罩的第一表面划分为多个尺寸和形状均相同的预设区域；根据各个预设区域中的预设图形的数量，获取所述多个预设区域中各个预设区域的图形密度；根据所述预设区域的图形密度，得到修正区域，所述修正区域包括图形密度取值范围在第一预设值和第二预设值之间的至少一个预设区域，包括端点值；在所述修正区域选取多个测量点，根据所述多个测量点所在位置处的预设图形的线宽，对利用所述光罩制作芯片时的曝光剂量进行调整；根据调整后的曝光剂量，利用所述光罩制作所述芯片，能够有效改善芯片线宽的均匀性，从而有助于提高芯片的良率。
- 一种芯片制作方法
- [实用新型]掩模版脱膜模具-CN202121890618.1有效
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侯广杰;白勇智
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深圳市龙图光电有限公司
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2021-08-12
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2022-02-01
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G03F1/00
- 本实用新型涉及一种掩模版脱膜模具，包括：溶液放置箱，溶液放置箱的上方为开口结构；模具槽，模具槽设置在溶液放置箱内，模具槽包括第一放置槽和第二放置槽，第一放置槽沿掩模版宽度方向设置有多个第一卡槽，每个第一卡槽上的槽口的尺寸不同；第二放置槽沿掩模版宽度方向设置有多个第二卡槽，每个第二卡槽上的槽口的尺寸不同，且每个第二卡槽与每个第一卡槽相对设置。本申请提供的上述方案，可以同时将多个不同规格的掩模版放置对应的第一卡槽和第二卡槽之间，然后在溶液放置箱内倒入碱性溶液即可，该模具方便同时对多张掩模版脱膜，有效提高了脱膜速率。
- 模版模具
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