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[发明专利]一种可低温共烧的高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110788455.4有效
发明人：沈波;葛广龙;杨静;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电陶瓷材料的低温烧结方法，其目的在于通过降低烧结温度优化反铁电材料的储能性能。该反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.98‑1.5xSr0.02Bix)(Zr0.6Sn0.4)O3，本发明用部分Bi3+替代基体中A位的Pb2+，该体系烧结温度低至1125±25℃，制备的瓷体成瓷性较好，通过小离子半径的Bi3+替代Pb2+，提高了反铁电的稳定性。本发明所制备的介质材料具有储能密度高(10±1J/cm3)、储能效率较高(＞85％)、烧结温度低(降低了～150℃)等优点，对于开发高储能密度、可低温烧制的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种低温高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310468918.8在审
发明人：翟继卫;陈楚凯;葛广龙;杨静 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb1‑xSrx)(Yb0.47Fe0.03Nb0.5)O3，其中0≤x≤0.12。与现有技术相比，本发明同时采用A、B位共掺的组分设计以及工艺优化，能够制得室温下具有优异储能密度(13.39J/cm3)和高储能效率(76.17％)的铌镱酸铅基反铁电陶瓷，同时，该陶瓷在150℃下仍然可以保持超高储能密度(9.52J/cm3)和极好的储能效率(86.39％)。对进一步开发高储能性能的新型反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度的制备方法-CN202111340472.8有效
发明人：翟继卫;杨静;葛广龙;陈楚凯 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度的制备方法，通过加入烧结助剂在降低反铁电陶瓷的烧结温度的同时显著优化其储能性能。该烧结助剂为CuO，反铁电陶瓷基体材料为(Pb0.95Ca0.02Bi0.02)(Zr0.75Sn0.25)O3。本发明通过加入微量金属氧化物CuO结合传统的固相烧结法，借助液相烧结过程在低温下改善陶瓷材料的致密性，细化晶粒尺寸使得击穿场强提升，仅在1000℃的烧结温度下就得到同时具有储能密度高达10.2J/cm3及储能效率高达85.5％的反铁电陶瓷。与现有技术相比，显著降低陶瓷基料的烧结温度并提高了储能密度、储能效率，具有极高的实用性、经济性以及普适性。
一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度制备方法

[发明专利]一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310048455.X在审
发明人：翟继卫;陈楚凯;葛广龙;杨静 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，该反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb1‑xBaxYb0.5Nb0.5O3，其中0.01≤x≤0.04。与现有技术相比，本发明在组分设计上，A位掺入Ba2+降低铌镱酸铅基反铁电陶瓷的相变电场，在制备工艺上，采用热压烧结改善陶瓷材料的显微结构以提升击穿场强，解决了铌镱酸铅反铁电陶瓷相变电场与击穿电场不匹配的难题，最终制得了优异储能密度(10.1J/cm3)和高储能效率(70.09％)的铌镱酸铅基反铁电陶瓷，对进一步开发高储能性能的新型反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202211065993.1在审
发明人：翟继卫;杨静;葛广龙;陈楚凯 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/486 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，该反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb0.98‑1.5xNdxBa0.02Zr0.75Sn0.25O3，其中0.01≤x≤0.04。与现有技术相比，本发明首次提出了通过A位掺入Nd3+调控反铁电陶瓷材料的相变特征，即相变类型由反铁电‑铁电相变逐渐转变为反铁电‑铁电I‑铁电II相变，显著地提升了陶瓷的击穿场强，制备出同时具有优异储能密度(11.4J/cm3)和高储能效率(84.1％)的反铁电陶瓷材料，对进一步开发高储能性能的反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201910555610.0有效
发明人：翟继卫;黄凯威;葛广龙;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电陶瓷材料及其制备方法，该反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.91BaxLa0.06‑2x/3)(ZrySn1‑y)O3，其中0＜x＜0.09，0＜y＜1。与现有技术相比，本发明通过传统的电子陶瓷制备工艺制备反铁电陶瓷材料，其具有储能密度高、电滞小、储能效率高与充放电性能优异的特性，对于开发循环充放电寿命长的高储能密度、高储能效率的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法-CN202010798427.6有效
发明人：翟继卫;葛广龙;黄凯威;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法，该反铁电陶瓷材料的化学通式为PbZrO3，本发明通过在二次球磨过程中在反铁电陶瓷材料粉体中加入Ag2O粉末，通过调控Ag2O含量以及在烧结过程中补偿铅气氛等方法制得致密瓷体。该体系烧结温度低至1050℃，制备的瓷体成瓷性较好，实现了室温下PbZrO3反铁电陶瓷的双电滞回线的获得。与现有技术相比，本发明所制备的介质材料具有储能密度高(8.82J/cm3)、储能效率较高(71.71％)等优点，对于开发高储能密度、可低温烧制的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种反铁电陶瓷材料及其低温烧结方法

[发明专利]一种具有优异充放电性能的反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202010065883.X有效
发明人：翟继卫;葛广龙;黄凯威;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有优异充放电性能的反铁电陶瓷材料及其制备方法，该反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.97‑xBaxLa0.02)(ZrySn1‑y‑zTiz)O3；制备方法为首先将铅源、钡源、镧源、锆源、锡源、钛源混合，并依次经过球磨、干燥、煅烧过程后，再依次经过二次球磨、干燥、与聚乙烯醇溶液混合、造粒、压制成型、排胶、烧结过程后，即得到反铁电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明所制备的反铁电陶瓷材料的有效储能密度可达到12.8J/cm3，储能效率可达到84.2％，电流密度达到1815A/cm2，放电周期达到51.6ns，功率密度达到327MW/cm3，表现出非常优异的充放电性能。
一种具有优异放电性能反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202010798450.5在审
发明人：翟继卫;黄凯威;葛广龙;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述反铁电陶瓷材料包括：铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相；所述反铁电陶瓷材料的化学通式为：(Pb0.91Ba0.015La0.05)(Zr0.6Sn0.4)O3+x wt％yBaO‑zB2O3‑wAl2O3‑(1‑y‑z‑w)SiO2，其中0＜x≤1.0，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜w＜1。制备过程中通过固相烧结法制备反铁电陶瓷材料，通过引入玻璃烧结助剂，使得反铁电陶瓷材料的耐压强度显著提高，并大幅降低了陶瓷的烧结温度。与现有技术相比，本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电性能优异和烧结温度低的特性，同时制备工艺简单，对于开发多层陶瓷电容器等脉冲功率器件具有非常重要的意义。
高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法

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