[发明专利]一种基于半导体纳米片的光电传感器在审
| 申请号： | 202310228988.6 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116230826A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张雷;黄智斌;徐宇航;杨悦;王艺杰;张晨雨;由毅;万浩兰;曹诗婷 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/06;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 纳米 光电 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于半导体纳米片的光电传感器，其特征在于，光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为光电传感器件的发光介质层，当电路中电流流经引起纳米片发光强度的变化从而进行光电信号传感。
2.一种如权利要求1所述的基于半导体纳米片的光电传感器的制备方法，其特征在于，包含以下制备步骤：
步骤S1: 全无机CdSe/CdS核壳纳米片（CdSe/CdS@ZnO）的制备，首先，利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片，然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性，得到纳米片溶液；
步骤S2: CdSe/CdS@ZnO纳米片发光介质层的制备：在石英ITO电极基板上滴加上述步骤S1得到的纳米片溶液，通过设置不同旋涂转速（1000-4000 r）制备相应厚度（100-1000nm）的纳米片介质层，紧接着进行高温退火处理；然后测量该介质层的电导率，优化纳米片介质层厚度，使其达到合适的电导率；
步骤S3: 最优化纳米片介质层的制备：重复上述步骤（2），来制备光电传感性能最优化的纳米片发光介质层；
步骤S4：纳米片光电传感器表面电极的制备：利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极，构成完整的纳米片光电传感器。
3.根据权利要求2所述的一种基于半导体纳米片的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，ZnO溶胶加入含量为5-50%。
4.根据权利要求2所述的一种基于半导体纳米片的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，无机ZnO溶胶对CdSe/CdS纳米片表面改性，无机溶胶的电子能级与纳米片表面电子缺陷态相匹配。
5.根据权利要求2所述的一种基于半导体纳米片的光电传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，退火后的全无机半导体纳米片薄膜作为发光介质层，全无机半导体纳米片能够提高纳米片介质层的导电性和电子迁移率，有利于提高器件光电传感特性及工作稳定性。
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