[发明专利]一种基于半导体纳米片的光电传感器在审
| 申请号： | 202310228988.6 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116230826A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张雷;黄智斌;徐宇航;杨悦;王艺杰;张晨雨;由毅;万浩兰;曹诗婷 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/06;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于半导体纳米片的光电传感器，光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为发光介质层。首先，利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片，然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性，得到纳米片溶液；其次，在石英ITO电极基板上滴加纳米片溶液，通过设置不同旋涂转速制备相应厚度的纳米片介质层，然后进行高温退火处理；测量电导率，优化纳米片介质层厚度；然后重复上述步骤（2），来制备最优化纳米片发光介质层；最后利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极，构成完整的纳米片光电传感器。本发明以无机ZnO溶胶进行表面修饰，ZnO溶胶能够改善纳米片周围有机配体不导电特性，从而达到明显的光电传感特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 纳米 光电 传感器 | ||
【主权项】：
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