[发明专利]一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110101585.2 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102185071A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;黄靖云;叶志镇;丁萍;吕斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的非极性ZnO基发光器件自下而上依次有衬底、ZnO低温缓冲层、n型ZnO层、ZnO/ZnMgO多量子阱层和p型ZnO层。其制备方法如下：将清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，以纯O2为O源，金属Zn源和金属Mg源为反应源，金属Al源或金属Ga源为n型掺杂源，在衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、n型ZnO层和ZnO/ZnMgO多量子阱层；然后采用激光轰击掺Na的ZnO陶瓷靶，生长Na掺杂p型ZnO层。本发明通过采用合适的衬底，结合分子束外延技术，生长高质量的非极性ZnO薄膜，在此基础上制备非极性ZnO基发光器件，可去除极化电场对器件性能的影响，提高器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 zno 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非极性ZnO基发光器件，其特征是：自下而上依次有衬底（1），5～15纳米厚的ZnO低温缓冲层（2），200～500纳米厚的n型ZnO层（3），5～9个周期、阱宽3～6纳米、垒宽5～8纳米的ZnO/ZnMgO多量子阱层（4）和200～500纳米厚的p型ZnO层（5）。
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