[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片

说明书

本发明公开一种发光芯片制作方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次生长色转换结构制备层以及芯片外延结构层；从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构；基于所述芯片外延结构层制备若干所述发出第一光色的晶粒；向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，色转换层用于将第一光色转换为目标光色。本发明首先在衬底上制备色转换结构制备层和芯片外延结构层，然后对色转换结构制备层侧向开孔并侧向填充量子点，最终形成发出目标光色的发光芯片，该发光芯片的制作方法无需采用永久键合工艺，从而避免了温度、水汽对量子点的影响，使得制成的发光芯片的显示效果好。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光芯片制作方法及发光芯片。

背景技术

相关技术中，色转换层需要单独通过外延生长工艺和电化学蚀刻工艺形成具有多孔结构的支撑基底，并于多孔结构中注入量子点，以制作形成色转换层，LED芯片则通过常规的LED芯片外延及制造工艺制成。而后，将色转换层与LED芯片进行永久键合。这种分开制作色转换层和发光芯片的方式，工艺上需要进行永久键合，整个过程对温度敏感、水汽敏感的量子点并不友好，容易影响最终产品的显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光芯片制作方法及发光芯片，以解决现有技术中发光芯片中的量子点受温度、水汽影响而影响显示效果的问题。

为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种发光芯片制作方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次生长色转换结构制备层以及芯片外延结构层；从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构；基于所述芯片外延结构层制备若干发出第一光色的晶粒；向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色。

优选地，所述色转换结构制备层包括依次设置的第一蚀刻隔断层、电化学蚀刻层以及第二蚀刻隔断层，所述第二蚀刻隔断层上生长有所述芯片外延结构层。

优选地，所述从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构，具体为：采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构。

优选地，从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构之前，还包括：沿芯片外延结构层上预设的晶粒间隔对所述芯片外延结构层、第二蚀刻隔断层和电化学蚀刻层进行第一预分割；所述第一预分割分割至电化学蚀刻层且不割断电化学蚀刻层。

优选地，所述第一预分割形成第一分割间隙，采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构，具体为：采用电化学蚀刻工艺从电化学蚀刻层的侧向以及第一预分割间隙对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构。

优选地，采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构之后还包括：沿芯片外延结构层上预设的晶粒间隔对所述芯片外延结构层、第二蚀刻隔断层、电化学蚀刻层和第一蚀刻隔断层进行第二预分割；所述第二预分割分割至第一蚀刻隔断层且不割断第一蚀刻隔断层。

优选地，所述第二预分割形成第二分割间隙，向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述电化学蚀刻层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色之后，还包括：在所述第二分割间隙内填充有封装层，所述封装层封闭所述分割后的电化学蚀刻层的侧面。

优选地，在所述第二分割间隙内填充有封装层，所述封装层封闭所述分割后的电化学蚀刻层的侧面之后，还包括：沿所述芯片外延结构层上预设的晶粒间隔进行分割以形成的单颗发光芯片。

优选地，所述衬底具有用于生长所述色转换结构制备层的第一面以及与第一面相对的第二面，向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色之前，还包括：对所述衬底的第二面进行减薄。