[发明专利]发光芯片制作方法及发光芯片

权利要求书

1.一种发光芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长色转换结构制备层以及芯片外延结构层；

从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构；

基于所述芯片外延结构层制备若干发出第一光色的晶粒；

向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色。

2.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述色转换结构制备层包括依次设置的第一蚀刻隔断层、电化学蚀刻层以及第二蚀刻隔断层，所述第二蚀刻隔断层上生长有所述芯片外延结构层。

3.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构，具体为：

采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构。

4.如权利要求3所述的发光芯片制作方法，其特征在于，从侧向对所述色转换结构制备层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构之前，还包括：

沿芯片外延结构层上预设的晶粒间隔对所述芯片外延结构层、第二蚀刻隔断层和电化学蚀刻层进行第一预分割；

所述第一预分割分割至电化学蚀刻层且不割断电化学蚀刻层。

5.如权利要求4所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述第一预分割形成第一分割间隙，采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构，具体为：

采用电化学蚀刻工艺从电化学蚀刻层的侧向以及第一分割间隙对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构。

6.如权利要求3或5所述的发光芯片制作方法，其特征在于，采用电化学蚀刻工艺从侧向对所述电化学蚀刻层进行开孔以形成包含多个孔洞的多孔结构之后还包括：

沿芯片外延结构层上预设的晶粒间隔对所述芯片外延结构层、第二蚀刻隔断层、电化学蚀刻层和第一蚀刻隔断层进行第二预分割；

所述第二预分割分割至第一蚀刻隔断层且不割断第一蚀刻隔断层。

7.如权利要求6所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述第二预分割形成第二分割间隙，向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色之后，还包括：

在所述第二分割间隙内填充有封装层，所述封装层封闭所述分割后的电化学蚀刻层的侧面。

8.如权利要求7所述的发光芯片制作方法，其特征在于，在所述第二分割间隙内填充有封装层，所述封装层封闭所述分割后的电化学蚀刻层的侧面之后，还包括：

沿所述芯片外延结构层上预设的晶粒间隔进行分割以形成的单颗发光芯片。

9.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述衬底具有用于生长所述色转换结构制备层的第一面以及与第一面相对的第二面，向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色之前，还包括：

对所述衬底的第二面进行减薄。

10.如权利要求9所述的发光芯片制作方法，其特征在于，在向所述多孔结构的孔洞中注入量子点以使得所述色转换结构制备层形成色转换层，所述色转换层用于将第一光色转换为目标光色之后，还包括：

沿所述芯片外延结构层上预设的晶粒间隔分割以形成单颗发光芯片。

11.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片采用如权利要求1至10任一项所述的发光芯片制作方法制成。