[发明专利]一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法

权利要求书

1.一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将PDMS预聚物与固化剂混合，按照溶剂：PDMS的体积比为2：1添加溶剂，得PDMS溶液；

步骤2，将PDMS溶液滴在洁净的DFB光栅模板上进行旋涂；

步骤3，将洁净的栅极覆盖到步骤2中带有PDMS的DFB光栅模板上，加压后进行热固化处理，再将栅极与光栅模板分离后，在栅极表面留下具有DFB光栅结构的PDMS薄膜层，再对其进行紫外臭氧处理，其中，具有DFB结构的PDMS栅介电层的光栅纳米沟槽周期结构的占空比为30%~70%，沟槽深度为10 nm~100 nm，周期范围为200 nm~3μm；

步骤4，在PDMS-DFB表面制备厚度为110 nm~160 nm单层结构的有源层；

步骤5，在有源层上制备源极与漏极，即得所述的基于OFET结构的光放大器件。

2.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤1中所述的溶剂为正己烷、环己烷、或甲苯中一种；所述PDMS预聚物与固化剂的体积比为10：1。

3.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤3中所述的热固化处理的温度为150℃，处理时间为6 min；步骤3中所述的PDMS栅介电层的紫外臭氧处理时间为50 min~ 80min。

4.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的有源层通过旋涂、浸涂、刮涂或真空热蒸镀制备。

5.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤5中所述的源极和漏极均通过真空热蒸镀制备。

6.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤4中所述有源层的材料为TAT-3L，聚（9,9-二正辛基芴-alt-苯并噻二唑），或聚(2,2_二辛基芴)中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件，其特征在于，所述的栅极、源极和漏极的材料为金属或金属氧化物的一种或多种混合。

8.根据权利要求7所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件，其特征在于，所述金属为金、银、铝或铜；所述的金属氧化物为氧化铟锡、氧化铟锌、二氧化锰或二氧化铅。

9.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件，其特征在于，步骤3中所述的PDMS薄膜层的厚度为1.8~2.2μm，所述栅极的厚度为100 nm~300 nm。

10.根据权利要求1所述的一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，其特征在于，步骤5中所述的源极和漏极的厚度均为10 nm~100 nm。