[发明专利]半导体封装在审
申请号: | 202210353100.7 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN115440691A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 金俊成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
一种半导体封装,包括:第一半导体芯片,包括第一半导体衬底和所述第一半导体衬底的第一底表面上的第一芯片焊盘;第二半导体芯片,包括第二半导体衬底和所述第二半导体衬底的第二顶表面上的第二芯片焊盘;下重分布结构,被设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片下方,所述下重分布结构包括下重分布图案,所述下重分布图案包括接触所述第一芯片焊盘的第一下重分布过孔图案;模塑层,覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片;上重分布结构,包括上重分布图案,所述上重分布图案包括连接到所述第二芯片焊盘的第一上重分布过孔图案;以及导电连接结构,将所述下重分布图案电连接到所述上重分布图案。
相关申请的交叉引用
本申请基于2021年6月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0071455并且要求其优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及半导体封装,更具体地,涉及包括多个半导体芯片的半导体封装。
背景技术
最近,电子产业中存在提供低价的具有高速度和高性能的紧凑、轻便和多功能电子产品的趋势。此外,已经广泛使用了能够在单个封装中提供至少两个半导体芯片的多芯片封装技术。在多芯片封装的情况下,半导体封装中的多个半导体芯片之间的电连接结构显著影响半导体封装的电气特性。
发明内容
本发明构思提供了一种包括多个半导体芯片的半导体封装。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种半导体封装,包括:第一半导体芯片,包括第一半导体衬底和第一芯片焊盘,所述第一半导体衬底包括第一底表面和与所述第一底表面相对的第一顶表面,并且所述第一芯片焊盘在所述第一半导体衬底的所述第一底表面上;第二半导体芯片,包括第二半导体衬底和第二芯片焊盘,所述第二半导体衬底包括第二底表面和与所述第二底表面相对的第二顶表面,并且所述第二芯片焊盘在所述第二半导体衬底的所述第二顶表面上;下重分布结构,包括顶表面、下重分布绝缘层和下重分布图案,所述顶表面上安装有所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片,所述下重分布图案包括接触所述第一半导体芯片的所述第一芯片焊盘的第一下重分布过孔图案;模塑层,覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片;上重分布结构,包括上重分布绝缘层和上重分布图案,所述上重分布图案包括上重分布线图案和第一上重分布过孔图案,所述上重分布线图案沿所述模塑层的顶表面延伸,并且所述第一上重分布过孔图案从所述模塑层的顶表面朝着所述第二半导体芯片延伸并且被连接到所述第二半导体芯片的所述第二芯片焊盘;以及导电连接结构,将所述下重分布结构的所述下重分布图案电连接到所述上重分布结构的所述上重分布图案。所述第一上重分布过孔图案具有水平宽度朝着所述第二半导体芯片的所述第二芯片焊盘减小的锥形形状,并且所述第一下重分布过孔图案具有水平宽度朝着所述第一半导体芯片的所述第一芯片焊盘减小的锥形形状。
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