[发明专利]有机发光二极管及其制作方法、显示器件

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括底电极层、顶电极层以及设置于所述底电极层和所述顶电极层之间的发光层；所述发光层包括电子给体层和三线态-三线态湮灭层，所述电子给体层和所述三线态-三线态湮灭层层叠设置；在所述电子给体层和所述三线态-三线态湮灭层的相对的面之间能够形成用于发黄光的激基复合物，所述三线态-三线态湮灭层用于发出蓝光，所述三线态-三线态湮灭层的材料的T₁能级＜所述激基复合物的T₁能级。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子给体层中电子给体材料的HOMO能级与所述三线态-三线态湮灭层的材料的LUMO能级之间的能级差为2.2eV～2.4eV。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述三线态-三线态湮灭层的发光的波长为460nm～475nm，所述有机发光二极管为发射白光的有机发光二极管。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子给体层的厚度为10nm～50nm，所述三线态-三线态湮灭层的厚度为10nm～30nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层还包括在所述电子给体层和所述三线态-三线态湮灭层之间设置有界面层。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于，所述三线态-三线态湮灭层的材料的T₁能级＜所述界面层的材料的T₁能级＜所述激基复合物的T₁能级，且所述界面层的材料的S₁能级＞所述三线态-三线态湮灭层的材料的S₁能级。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子给体层的厚度为10nm～50nm，所述界面层的厚度为3nm～5nm，所述三线态-三线态湮灭层的厚度为10nm～20nm。

8.根据权利要求1～4、6～7任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子给体层是由电子给体材料与三线态-三线态湮灭层的材料混合形成的混合材料层。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，所述混合材料层中电子给体材料与所述三线态-三线态湮灭层的材料的摩尔比为9:1～6:4。

10.根据权利要求1～4、6～7以及9任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括位于所述发光层与相应的电极层之间的空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层中的至少一层。

11.一种有机发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

于基板上依次形成在厚度方向上层叠设置的底电极层、发光层和顶电极层，所述发光层包括电子给体层和三线态-三线态湮灭层，所述电子给体层和所述三线态-三线态湮灭层层叠设置；在所述电子给体层和所述三线态-三线态湮灭层的相对的面之间能够形成用于发黄光的激基复合物，所述三线态-三线态湮灭层用于发出蓝光，所述三线态-三线态湮灭层的材料的T₁能级＜所述激基复合物的T₁能级。

12.一种显示器件，其特征在于，包括滤波片以及如权利要求1～10任一项所述的有机发光二极管，所述滤波片位于所述有机发光二极管的出光侧。