[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110251462.0 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN113410215A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 杨吴德;尤俊煌 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/48;H01L23/538
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;闫华
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,包括:

一第一元件裸片,贴合到一封装基底,其中该第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底;

多个第一电连接件,连接该第一元件裸片的该主动侧到该封装基底;

一第二元件裸片,堆叠到该第一元件裸片上,其中该第二元件裸片的一主动侧面朝该封装基底,且该第二元件裸片的该主动侧的一部分位于一区域,该区域重叠该第一元件裸片;以及

多个第二电连接件,连接该第二元件裸片的该主动侧的该部分到该封装基底。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中多个所述第二电连接件具有一高度,大于多个所述第一电连接件的一高度。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构,还包括:

一第一粘贴材料,设置在该第一元件裸片与该封装基底之间;以及

一第二粘贴材料,设置在该第一元件裸片与该第二元件裸片之间。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构,其中该第一元件裸片的一部分并未被该第二粘贴材料所覆盖。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中多个所述第一电连接件分别包括一第一导电柱以及一第一焊料接头,该第一焊料接头连接该第一导电柱到该封装基底,而多个所述第二电连接件分别包括一第二导电柱以及一第二焊料接头,该第二焊料接头连接该第二导电柱到该封装基底。

6.如权利要求5所述的半导体封装结构,其中多个所述第二导电柱具有一高度,大于多个所述第一导电柱的一高度。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该封装基底包括多个积层介电层的一堆叠以及多个导电图案的多层,而多个所述导电图案的该多层分别形成在其中一积层介电层的一侧。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构,还包括一囊封体,侧向地囊封该第一元件裸片、该第二元件裸片、多个所述第一电连接件以及多个所述第二电连接件。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构,其中该囊封体的一侧壁与该封装基底的一侧壁共面。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构,还包括多个封装输入/输出,形成在该封装基底面向远离该第一元件裸片与该第二元件裸片的一侧处。

11.一种半导体封装结构,包括:

一第一元件裸片,贴合到一封装基底,其中该第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底;

多个第一电连接件,连接该第一元件裸片的该主动侧到该封装基底;

一第二元件裸片,堆叠在该第一元件裸片上,且在该第二元件裸片的一主动侧处具有多个导电垫以及多个重分布结构,其中该第二元件裸片的该主动侧面朝该封装基底,多个所述导电垫位于该第二元件裸片的该主动侧重叠该第一元件裸片的一中心区内,且多个所述重分布结构连接多个所述导电垫到该第二元件裸片的该主动侧未重叠该第一元件裸片的一周围区;以及

多个第二电连接件,连接该封装基底到该重分布结构位于该第二元件裸片的该主动侧的该周围区内的一些部分。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构,其中多个所述重分布结构分别包括:

一重分布垫,位于该第二元件裸片的该主动侧的该周围区内;以及

一导电线,连接该重分布垫到其中一导电垫。

13.如权利要求12所述的半导体封装结构,其中多个所述第二电连接件连接多个所述重分布垫到该封装基底。

14.如权利要求11所述的半导体封装结构,其中该第一元件裸片具有多个导电垫,形成在该第一元件裸片的该主动侧处,且多个所述第一电连接件连接该第一元件裸片的多个所述导电垫到该封装基底。

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