[发明专利]形成半导体器件及电路的方法

说明书

本申请涉及形成半导体器件及电路的方法。在一个实施方案中，放大器电路可被配置有输出晶体管，该输出晶体管在输出处形成输出电流和输出电压。该放大器电路还可包括参考电路，该参考电路可被配置为形成与输出电流基本上成比例的参考电流。参考电路的实施方案还可被配置为控制晶体管以响应于参考电流的变化而从该输出吸收电流。

技术领域

本发明整体涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及半导体、半导体结构以及形成半导体器件的方法。

背景技术

过去，使用各种方法和结构来形成放大器电路。在一些配置中，放大器的输出信号具有远大于公共返回电压的值的低值，诸如例如大于接地值。这可能导致接收输出信号的负载电路的不正确操作。另外，输出信号的高值通常具有与输入电压的值类似的值。一些应用具有在不同电压下操作的负载。因此，不同的电压可导致负载的不正确操作。

因此，希望具有一种器件，该器件具有高值的输出信号，该高值为与输入信号的高值不同的值，和/或具有接近电压返回值的低值。

发明内容

本申请的一个方面涉及一种输出电路，所述输出电路包括：电压跟随器晶体管，所述电压跟随器晶体管被配置为接收第一信号，所述第一信号表示从第一电压源形成的输入电压，所述电压跟随器晶体管被配置为从小于所述第一电压源的第二供电电压形成输出电压，并且将输出处的输出电流供应给负载；增益晶体管，所述增益晶体管被配置为响应于所述输出电压的增大而从所述输出吸收电流，所述增益晶体管具有控制电极；和参考电路，所述参考电路耦接到所述增益晶体管的所述控制电极并被配置为响应于所述输出电压的所述增大而增大供应给所述增益晶体管的所述控制电极的第一电压，所述参考电路具有传导参考电流的参考晶体管。

本申请的另一方面涉及一种形成转换器电路的方法，所述方法包括：耦接电压跟随器晶体管以从第一电路接收控制信号，所述第一电路在第一操作电压下操作，所述电压跟随器晶体管被配置为由小于所述第一操作电压的第二操作电压形成输出电压，其中所述输出电压表示所述控制信号并且是在输出处形成的，并且其中所述电压跟随器晶体管在所述第二操作电压下供应输出电流；以及将参考电路配置为控制输出晶体管以响应于所述输出电压的减小而从所述输出吸收电流。

本申请的又一方面涉及一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：将所述半导体器件的放大器电路配置为在第一操作电压下操作并且形成以所述第一操作电压为参考的第一信号；将所述半导体器件的输出晶体管配置为在小于所述第一操作电压的第二操作电压下操作，所述输出晶体管被配置为由所述第二操作电压形成输出电压并且还形成通过所述输出晶体管的输出电流，其中所述输出电压是在输出处形成的并且表示所述第一信号；以及将参考电路配置为形成与所述输出电流基本上成比例的参考电流，所述参考电路被配置为控制第一晶体管以响应于所述参考电流的变化而从所述输出吸收电流。

附图说明

图1示意性地示出了根据本发明的各放大器电路的各部分的实施方案的三个示例；

图2示意性地示出了放大器电路的一部分的实施方案的示例，该放大器电路可以是根据本发明的图1的电路中的任一个的另选实施方案；

图3示意性地示出了转换器电路或输出电路的一部分的实施方案的示例，该转换器电路或输出电路可以是根据本发明的图1至图2的电路中的任何一个的另选实施方案；

图4示意性地示出了电路的一部分的实施方案，该电路可以是根据本发明的图3的电路的另选实施方案；

图5示意性地示出了电路的一部分的实施方案，该电路可以是根据本发明的图3或图4的电路的另选实施方案；并且

图6示出了根据本发明的包括图1至图4中至少一个的电路中的一些电路的半导体器件的放大平面图。