[发明专利]用于物理气相沉积的优化坩埚组件和方法在审
| 申请号： | 202080086423.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN114830288A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | P·帕格农 | 申请（专利权）人： | 依视路国际公司 |
| 主分类号： | H01J37/30 | 分类号： | H01J37/30;H01J37/20;H01J37/305;C23C14/24;C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘敏;雷明 |
| 地址： | 法国沙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 物理 沉积 优化 坩埚 组件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于在表面(17)上的物理气相沉积的坩埚组件(14，80)，所述坩埚组件包括：
-底座(22，84)，所述底座用于支承和驱动坩埚(18，82)围绕旋转轴线(A)旋转，所述底座包括具有第一对准凹凸部(30，90)的底座上表面(34，88)，
-坩埚(18，82)，所述坩埚包括：
·至少一个空腔(24，83)，所述至少一个空腔用于接收要被电子束枪蒸发到所述表面(17)上的材料，所述至少一个空腔(24，83)相对于所述旋转轴线(A)设置在所述坩埚(18，82)的外围区域(38，95)处，
·坩埚底表面(25，86)，所述坩埚底表面旨在接触所述底座(22，84)的底座上表面(34，88)，所述坩埚底表面(25，86)具有第二对准凹凸部(32，92)，所述第二对准凹凸部相对于所述第一对准凹凸部(30，90)为互补形状，以便当所述坩埚底表面(25，86)接触所述底座上表面(34，88)并且所述第一对准凹凸部(30，90)和所述第二对准凹凸部(32，92)彼此合在一起时，使所述底座(22，84)和所述坩埚(18，82)两者相对于所述旋转轴线(A)对准，所述第二对准凹凸部(32，92)相对于所述旋转轴线(A)设置在所述坩埚(18，82)的中心区域(36，94)处。
2.根据权利要求1所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述坩埚(18，82)包括设置在围绕所述旋转轴线(A)的所述外围区域(38，95)处的至少十个空腔(24，83)。
3.根据权利要求1或2所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述坩埚(18，82)包括所述至少一个空腔(24，83)从其延伸的坩埚上表面(26，85)，所述坩埚上表面(26，85)是以所述旋转轴线(A)为中心并限定外径的圆形表面，并且其中：
-所述中心区域(36，94)是围绕所述旋转轴线(A)延伸所述外径的最多至60％的圆形区域，并且/或者
-所述外围区域(38，95)是围绕所述旋转轴线(A)延伸所述外径的61％至100％的环形区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述第一对准凹凸部(30，90)和所述第二对准凹凸部(32，92)为以下中的一者：形成于表面中的凹陷或从表面突出的突起。
5.根据前述权利要求中任一项所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述底座上表面(34，88)进一步包括第一定向凹凸部(40，104)，所述坩埚底表面(25，86)进一步包括第二定向凹凸部(42，108)，所述第二定向凹凸部相对于所述第一对准凹凸部(40，104)为互补形状，以便当所述坩埚底表面(25，86)接触所述底座上表面(34，88)并且所述第一定向凹凸部(40，104)和所述第二定向凹凸部(42，108)彼此合在一起时将所述坩埚(18，82)相对于所述底座(22，84)定位在预定角取向。
6.根据权利要求5所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述第二定向凹凸部(42，108)被定位在所述坩埚(18，80)的中心区域(36，94)处。
7.根据权利要求5或6所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述第一定向凹凸部(40，104)沿着所述旋转轴线(A)的尺寸小于所述第一对准凹凸部(30，90)沿着所述旋转轴线(A)的尺寸。
8.根据前述权利要求中任一项所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述第一对准凹凸部(30，90)和所述第二对准凹凸部(32，92)提供所述坩埚(18，82)沿着垂直于所述旋转轴线(A)的至少一个方向的对准止动。
9.根据前述权利要求中任一项所述的坩埚组件(14，80)，其中，所述坩埚(18，82)包括所述至少一个空腔(24，83)从其延伸的坩埚上表面(26，85)，所述坩埚(18，82)包括从所述坩埚上表面(26，85)延伸的坩埚手柄(44)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于依视路国际公司，未经依视路国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080086423.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 射频阴极中和器-202110085599.3
- 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 - 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
- 2021-01-22 - 2023-10-20 - H01J37/30
- 本申请涉及一种射频阴极中和器，包括：电离腔室，靶材，维持极，发射极，以及磁铁组件；靶材通过第一绝缘部件设置在电离腔室底部，维持极和发射极设于电离腔室顶部，靶材连接射频电源，磁铁组件向电离腔室提供磁场；在工作中，向电离腔室通入工作气体，利用磁铁组件产生的磁场和射频电源输出的射频电磁波对工作气体进行电离产生等离子体；维持极和发射极用于分离等离子体中的正离子和负电子，并将负电子输出；该技术方案，使用了电容性射频驱动的方式驱动中和器，射频负载面对地直流绝缘，对地等效为电容，具有更高匹配效率，设备结构更加简单；而且通过引入磁场和射频电共同作用，使得等离子体更加活泼，也提高了电离效率。
- 半导体处理腔室多阶段混合设备-201910280877.3
- M·T·萨米尔;D·杨 - 应用材料公司
- 2019-04-09 - 2023-09-22 - H01J37/30
- 公开了半导体处理腔室多阶段混合设备。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
- 磁控增强等离子抛光装置-202310713225.0
- 袁刚俊;苏兆鸣 - 通威微电子有限公司
- 2023-06-16 - 2023-08-25 - H01J37/30
- 本发明提供一种磁控增强等离子抛光装置，涉及抛光设备技术领域。磁控增强等离子抛光装置包括真空腔体、进气管、导电管、喷头、载台和外部电源；真空腔体的顶壁上设置有进气管，进气管用于向真空腔体内通入刻蚀气体，真空腔体的底壁上设置有导电管；喷头设置在真空腔体内、且与进气管连通；载台设置在真空腔体内，载台上用于承载待抛光的基材，载台内设置有磁体；载台与导电管连接，导电管和喷头用于连接外部电源，载台与喷头之间形成具有电场的电离区，喷头喷出的刻蚀气体在电离区形成等离子；等离子在电离区内受到方向不同的磁力与电磁力。磁控增强等离子抛光装置能够高效、高质量、低成本地对基材进行抛光。
- 中空阴极管启动方法、装置及中空阴极中和器-202110085518.X
- 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 - 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
- 2021-01-22 - 2023-07-04 - H01J37/30
- 本申请涉及一种中空阴极管启动方法、装置及中空阴极中和器，所述方法包括：向中空阴极管导入工作气体；启动维持电源，向中空阴极管输入维持电流；对所述中空阴极管的头部位置进行持续加热；当所述中空阴极管的头部位置的温度满足热电子输出时，控制温度调整至设定温度值；开启阴极电源向中空阴极中和器提供工作电源；该技术方案能适应低温阴极材料工作环境，降低了高压启动对电源的要求，无需大量的气体流量来启动，便于启动控制。
- 直流阴极中和器-202110085601.7
- 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波 - 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
- 2021-01-22 - 2023-07-04 - H01J37/30
- 本申请涉及一种直流阴极中和器，包括：电离腔室，阴极靶材，维持极以及磁铁组件；其中，维持极设于电离腔室上部，连接维持电源；阴极靶材设于电离腔室底部，连接电离电源，且阴极靶材与维持极保持绝缘隔离；磁铁组件设于阴极靶材底部，用于在电离腔室产生强磁场；在工作中，电离腔室通入工作气体，磁铁组件在电离腔室的电离区域产生强磁场，电离区域在强磁场和电场的共同作用下对工作气体进行电离产生等离子体；等离子体中的负电子在维持极的作用下，通过设置在电离腔室的电子输出口进行输出；该技术方案，结构简单，维护方便，使用强磁场提高了电离效率；而且阴极靶材可以使用多种金属，可以使用耐高温稀有金属，对产品不产生污染等不利影响。
- 气体输运管路、控制气体输运的方法及半导体设备-202010333273.3
- 陈景春;张宝辉 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2020-04-24 - 2023-06-16 - H01J37/30
- 本发明公开了一种气体输运管路、控制气体输运的方法及半导体设备，其中，气体输运管路包括：至少两个供气管路，供气管路的一端与气源连通，另一端与反应腔室的入口连通，供气管路上设有第一控制阀、第二控制阀以及设置在第一控制阀和第二控制阀之间的管路控制元件；管路控制元件和第二控制阀之间的管路组成气体暂存管路；第一控制阀，设于气源与管路控制元件之间，用于控制气体从气源连续性地进入气体暂存管路；管路控制元件，用于控制气体按照设定流量输入气体暂存管路；第二控制阀设于气体暂存管路的出口处，用于控制气体暂存管路内的气体间断性地供给反应腔室。本发明在气体非反应时段对气体进行暂存，避免了工艺气体的浪费。
- 一种高能离子注入机的聚束谐振装置-202211686080.1
- 范亚姣;高静;崔春明;黄海龙;李进;李士会 - 北京烁科中科信电子装备有限公司
- 2022-12-27 - 2023-04-28 - H01J37/30
- 本发明公开了一种高能离子注入机的聚束谐振装置，包括聚束谐振器主体，所述聚束谐振器主体包括桶体及安装于桶体上的聚束电极头和电感调节装置、安装于桶体内的感应线圈；所述桶体安装至电极法兰和顶板上，所述电极法兰中设有一组以上的孔和盲板；所述孔上设有下沉槽，所述盲板安装至孔的下沉槽上，实现密封。本发明具有结构简单、使用方便、可调效果好等优点。
- 等离子体刻蚀装置-201811603960.1
- 左涛涛;连增迪;吴狄 - 中微半导体设备（上海）股份有限公司
- 2018-12-26 - 2023-04-28 - H01J37/30
- 本发明公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：反应室，用于容纳反应气体；介电窗，其设置与反应室顶部；边缘环，其固定于反应室和介电窗之间；介电窗和边缘环用于真空密封反应室；进气系统，其用于向反应室内通入反应气体，其包括设置在介电窗的中心区域上的第一进气通道，和环绕设置在介电窗的边缘区域上的第二进气通道，第二进气通道使得反应气体从上向下穿过介电窗，被反应室内的边缘环阻挡后向反应室内中心区域扩散。本发明解决了由于反应气体是腐蚀性气体时对设置在边缘环内部放入侧壁进气通道腐蚀产生污染物，污染物随着反应气体进入反应室内，导致反应室内的晶圆被污染的问题。
- 玻璃底片平面度校正装置及方法-202010590257.2
- 杨海马;张向鸿;张大伟;赵建海;唐正宏;张鹏程;刘瑾;李筠;丁毅凡 - 上海理工大学
- 2020-06-24 - 2023-03-21 - H01J37/30
- 根据本发明的玻璃底片平面度校正装置及方法，玻璃底片平面度校正装置包括支架、电子枪、电极阵列单元以及控制单元，玻璃底片设置在支架上；电极基板设置在平台上，多个电极以阵列的形式排布设置在电极基板上，调整线圈设置在电子枪和电极基板之间且位于电极基板与玻璃底片之间的狭缝前，电子枪用于向玻璃底片底面进行电子轰击，使得玻璃底片带有负电荷，电子枪产生的电子束向玻璃底片下方和电极上方的狭缝中直射，控制单元控制电子束在调整线圈的作用下向上偏转射向玻璃底片的底面，控制单元与电极基板上多个电极分别相连，控制多个电极分别产生负电荷，对玻璃底片产生电场作用力，从而从而实现对由于重力产生弯曲变形的玻璃底片进行校正。
- 防着板装置及离子源腔室、离子注入机-202010351489.2
- 李振伟;卫家;李儒健;闫立;陈博陶;李俊;谭超;公绪磊 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
- 2020-04-28 - 2023-02-17 - H01J37/30
- 本公开提供了一种防着板装置，该防着板装置配置在离子注入机的离子源腔室内部底部，该防着板装置包括防着板本体，所述防着板本体具有朝向所述离子源腔室的顶部的开口，所述开口处设置有防扩散结构；所述防扩散结构用于使得所述离子源腔室内产生的颗粒落入所述防着板本体中，且使颗粒不易从所述防着板本体中扩散出。本公开还提供了一种离子源腔室和离子注入机。
- 观察窗组件及半导体加工设备-201910312268.1
- 鲁艳成 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2019-04-18 - 2022-11-25 - H01J37/30
- 本发明提供一种观察窗组件及半导体加工设备，包括观察窗和底座，所述底座用于固定安装在腔室壁上；在所述底座中设置有容纳观察窗的空腔，并且在所述底座上，且位于所述空腔的两侧分别设置有用于显露所述观察窗的开口。本发明提供的观察窗组件，其可以简化拆装过程，提高维护效率。
- 三维积层造形装置及积层造形方法-201810906708.1
- 菅谷慎二;西名繁树;松本纯;泷泽昌弘;相马実;山田章夫 - 爱德万测试株式会社
- 2018-08-10 - 2022-11-04 - H01J37/30
- 本发明提供一种一面由装置本身决定用来确实地将粉末层熔融结合的照射条件，一面进行电子束(EB)照射的三维积层造形装置及积层造形方法。本发明提供一种三维积层造形装置(100)，它具有：柱部(200)，输出电子束(EB)，并使电子束(EB)朝粉末层(32)的表面内方向偏转；电子检测器(72)，检测通过照射电子束(EB)而从粉末层(32)的表面朝指定方向释出的电子；熔融判断部(410)，基于电子检测器(72)的检测信号强度产生熔融信号；以及偏转控制部(420)，接收熔融信号并决定电子束的照射条件。
- 离子轰击装置及真空镀膜生产线-202221100259.X
- 张健宁;夏健全;吴洽 - 中山凯旋真空科技股份有限公司
- 2022-05-09 - 2022-10-14 - H01J37/30
- 本实用新型公开了一种离子轰击装置及真空镀膜生产线，其包括：壳体、轰击板、电连接器和绝缘结构，壳体内部设置有腔体；轰击板安装于所述腔体内，所述轰击板上设置有接线座；电连接器设置于所述壳体，所述腔体内设置有导线，所述接线座与所述电连接器通过所述导线电连接；绝缘结构设置于所述轰击板和所述壳体之间并能够对二者进行绝缘处理。轰击板相比于现有的轰击棒，在其平面一侧不仅拥有更大的有效轰击面积，并且可以直接确定轰击的方向，因此可以有效地提高原子离化的速度，并减少能量的逸散，进而大大提高镀膜的作业效率。
- 一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置-202210474022.6
- 曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;付德君;杨兵;刘传胜 - 武汉大学深圳研究院
- 2021-06-21 - 2022-08-05 - H01J37/30
- 本发明涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，孔洞在600℃高温条件下可以消除孔洞的环形边缘，但孔洞本身依然存在，使抛光效果达不到预期。本发明提供的方法在团簇离子束轰击靶材的过程中将靶材温度控制在400℃～800℃，加快靶材原子运动，从根源上消除孔洞；设备上采用导热性优良金属材质的样品台，通过连接电源的电阻式加热丝给样品台加热，样品台将热量传递给放置在样品台上的靶材，通过调节电源电压的大小控制流经电阻式加热丝上的电流来控制样品台、靶材的温度，装置温度可控范围广，且简便灵活、易于实现。
- 用于物理气相沉积的优化坩埚组件和方法-202080086423.3
- P·帕格农 - 依视路国际公司
- 2020-12-18 - 2022-07-29 - H01J37/30
- 本发明涉及一种用于在表面上的物理气相沉积的坩埚组件，该坩埚组件包括：‑底座(22)，该底座用于支承和驱动坩埚(18)围绕旋转轴线(A)旋转，该底座包括具有第一对准凹凸部(30)的底座上表面(34)，‑坩埚(18)，该坩埚包括：‑至少一个空腔(24)，该至少一个空腔相对于旋转轴线(A)设置在坩埚(18)的外围区域(38)处，‑坩埚底表面(25)，该坩埚底表面旨在接触底座(22)的底座上表面(34)，该坩埚底表面(25)具有相对于第一对准凹凸部(30)为互补形状的第二对准凹凸部(32)，第二对准凹凸部(32)相对于旋转轴线(A)设置在坩埚(18)的中心区域(36)处。
- 用于对结构加工的机台及方法-202110067616.0
- 洪世玮;李正中 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2021-01-19 - 2022-07-29 - H01J37/30
- 本发明实施例涉及用于对结构加工的机台及方法。对所述结构加工的机台包括：电子束镜筒、离子束镜筒、离子束掩模、处理器及控制器。所述电子束镜筒可对工件照射电子束以获得所述工件的电子束图像，而所述离子束镜筒可对所述工件照射离子束以获得所述工件的离子束图像，并对所述工件进行加工。所述处理器可辨识所述电子束图像及所述离子束图像，并计算获得所述工件的位置信息，控制器再依所述位置信息控制离子束镜筒、离子束掩模、所述工件的相对位置。
- 离子铣削装置-201780094365.7
- 金子朝子;高须久幸 - 株式会社日立高新技术
- 2017-09-15 - 2022-03-22 - H01J37/30
- 本发明的目的在于提供一种减少通过离子束照射而被弹飞的来自试样的微粒再次附着于离子铣削面的现象的技术。在本发明的离子铣削装置中，具备：离子源，其照射离子束；腔室；试样台，其在腔室内载置试样；遮蔽板，其载置于试样；以及磁铁，其配置在腔室内，由此能够减少来自试样的微粒的再次附着。
- 离子注入方法及离子注入机-201911062928.1
- 周真真;刘厥扬;胡展源 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2019-10-31 - 2022-03-18 - H01J37/30
- 本发明公开了一种离子注入方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入，包括分步骤：步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流；步骤22、对晶圆进行旋转，采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。
- 一种高能粒子表面处理系统-202122249896.5
- 陈晓东 - 常州鑫立离子技术有限公司
- 2021-09-16 - 2022-02-08 - H01J37/30
- 本实用新型公开了一种高能粒子表面处理系统，包括底座，所述底座的上端左部固定连接有电气控制箱，所述底座的上端右部固定连接有排气装置，所述排气装置的左端上部穿插固定连接有工作腔室，所述工作腔室的上端中部穿插固定连接有调节装置，所述调节装置的下端中部设置有产品台架，所述工作腔室的左端通过合页活动连接有密封门，所述工作腔室的下端中部固定连接有导入器，所述导入器的上端贯穿工作腔室的下腔壁并固定连接有离子赋能器。本实用新型的一种高能粒子表面处理系统，提供一种低应力、高精度的加工方式，通过高能离子对产品表面的轰击可以促使金属、非金属产品的表面的分子、原子的迁移，从而达到产品表面处理的目的，适合广泛运用。
- 一种高能粒子表面处理系统-202111087964.0
- 陈晓东 - 常州鑫立离子技术有限公司
- 2021-09-16 - 2021-11-30 - H01J37/30
- 本发明公开了一种高能粒子表面处理系统，包括底座，所述底座的上端左部固定连接有电气控制箱，所述底座的上端右部固定连接有排气装置，所述排气装置的左端上部穿插固定连接有工作腔室，所述工作腔室的上端中部穿插固定连接有调节装置，所述调节装置的下端中部设置有产品台架，所述工作腔室的左端通过合页活动连接有密封门，所述工作腔室的下端中部固定连接有导入器，所述导入器的上端贯穿工作腔室的下腔壁并固定连接有离子赋能器。本发明的一种高能粒子表面处理系统，提供一种低应力、高精度的加工方式，通过高能离子对产品表面的轰击可以促使金属、非金属产品的表面的分子、原子的迁移，从而达到产品表面处理的目的，适合广泛运用。
- 用于离子植入源的绝缘体-202110182199.4
- 林琮闵;林圣棋;饶瑞峰;简芳记;汤隆吟 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2021-02-08 - 2021-10-01 - H01J37/30
- 一种用于离子植入源的绝缘体可在离子植入源的高电压组件与相对较低电压组件之间提供电绝缘。为了减小沿绝缘体形成泄漏路径的可能性和/或防止沿绝缘体形成泄漏路径，绝缘体可包括具有来回图案的内部空腔。内部空腔的来回图案会增大离子植入源中的气体分子的平均自由程且会增大不直接暴露于或向外暴露于气体分子的绝缘体的表面积。这使得更难和/或更不可能沿绝缘体形成连续的膜或涂层，这会延长离子植入源的工作时间。
- 离子铣削装置以及离子铣削方法-202110696658.0
- 岩谷彻;高须久幸;高堀荣 - 株式会社日立高新技术
- 2016-02-26 - 2021-09-17 - H01J37/30
- 本发明提供一种加工技术，其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性，并且获得所需的加工内容。为了解决该问题，根据本发明的离子铣削装置具有：离子源(1)，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构(70)，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。
- 中空阴极中和器的去氧装置及供气管路-202120186524.X
- 刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波;吴秋生 - 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
- 2021-01-22 - 2021-07-20 - H01J37/30
- 本申请涉及一种中空阴极中和器的去氧装置及中空阴极中和器的供气管路，该去氧装置连接在中空阴极中和器的供气管路上，用于对去除工作气体中的活泼气体；包括：加热组件，以及连接加热组件上的金属管道；金属管道一端为进气口，另一端为出气口；其中，进气口连接供气管道上气体源一侧，出气口连接供气管道上中空阴极中和器一侧；加热组件用于对金属管道进行加热至设定温度，金属管道用于对通过其内部的工作气体进行去氧；该技术方案，通过高温金属氧化去除工作气体里残余的活泼气体，可以确保输入到中空阴极中和器的工作气体保持足够的纯度，避免中空阴极中和器中的高温稀有金属被氧化，保障中空阴极中和器中形成热电子的材质正常工作。
- 离子铣削装置以及离子铣削方法-201680077769.0
- 岩谷彻;高须久幸;高堀荣 - 株式会社日立高新技术
- 2016-02-26 - 2021-07-09 - H01J37/30
- 本发明提供一种加工技术，其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性，并且获得所需的加工内容。为了解决该问题，根据本发明的离子铣削装置具有：离子源(1)，其发出离子束；试样保持部，其保持试样；以及试样滑动移动机构(70)，其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。
- 一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法-202110130892.7
- 祁金发 - 祁金发
- 2019-04-23 - 2021-06-08 - H01J37/30
- 本发明公开了一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法，其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环，活动道安装于衔接操作头内部，离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆，当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆将会往下滑动，由空格受力将其回力镖撑开，其滑润层辅助其边角往两侧滑动，当回力镖被撑开的同时，折弯限向杆将会被挤压，其卡勾与固定柱之间的定位，其顶壳将对整体囊进行推动，整体囊内部的外压弧将受到力，使其能够顶在新的主杆表面，对其进行固定，能够在离子校对直射的口受到损坏时，及时的补上备用，以防操作的过程中有所失误，这次操作结束后在对其进行检修。
- 图像形成方法以及图像形成系统-201880098592.1
- 福田宏 - 株式会社日立高新技术
- 2018-11-12 - 2021-05-28 - H01J37/30
- 本公开涉及图像形成方法，以将多层结构体中所含的多个分层的信息遍及大范围显性化、或进行了显性化的对象层的图像化为目的。提出一种方法，包含：将样品表面的法线方向的轴作为旋转轴使所述样品旋转，并且经由设置于从样品分离的位置且具有使离子束选择性穿过的开口的掩模从相对于所述法线方向倾斜的方向朝向所述样品照射离子束，由此形成具有相对于样品表面倾斜的带状的倾斜面的孔；以及基于通过对所述带状的倾斜面中所含的所述对象层照射带电粒子束而得到的信号来形成从与所述对象层的所述倾斜面交叉的方向来看的第1图像。
- 一种用于晶圆生产离子注入的控制装置-201910326226.3
- 祁金发 - 安徽新大陆特种涂料有限责任公司
- 2019-04-23 - 2021-04-20 - H01J37/30
- 本发明公开了一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环，活动道安装于衔接操作头内部，离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆，当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆将会往下滑动，由空格受力将其回力镖撑开，其滑润层辅助其边角往两侧滑动，当回力镖被撑开的同时，折弯限向杆将会被挤压，其卡勾与固定柱之间的定位，其顶壳将对整体囊进行推动，整体囊内部的外压弧将受到力，使其能够顶在新的主杆表面，对其进行固定，能够在离子校对直射的口受到损坏时，及时的补上备用，以防操作的过程中有所失误，这次操作结束后在对其进行检修。
- 一种用于估算分析缝处离子束流宽度的方法-201910980460.8
- 蔡炀烁 - 北京烁科中科信电子装备有限公司
- 2019-10-15 - 2021-04-16 - H01J37/30
- 本发明揭示了一种用于估算分析缝处离子束流宽度的方法。本发明用于离子质量分析相关的领域，主要为半导体设备中离子注入机领域。质量分析器的分辨能力主要取决于，离子束在分析缝处的宽度和分析缝本身宽度。离子束本身的宽度不易直接测量，而分析缝宽度可以控制，且质量分析器的分辨率主要有两个宽度中较宽的一个决定。本方法通过测量不同分析缝宽度时质量分析器的分辨率，可以得到由离子束束宽和分析缝缝宽决定的不同分辨率，进而可以估算分析缝处离子束本身的宽度。
- 一种离子注入机均匀性校正方法-201910980543.7
- 刘栋;田龙;张丛 - 北京烁科中科信电子装备有限公司
- 2019-10-15 - 2021-04-16 - H01J37/30
- 本发明公开了一种离子注入机均匀性控制的装置和方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该装置包括：束流产生装置(1)，束流偏转装置(2)，束流采集装置(3)，扫描电源控制系统(4)，运动控制系统(5)，波形解析模块(6)。该方法包括：产生一种能够有针对性的控制扫描电源电压变化，通过对在注入时束流采集装置采集到的束流的变化规律的统计，选择出束流变化有突变的部分，这部分为对均匀性影响最大的部分，在进行下一次均匀性校正时，对突变部分进行均匀性干预，有针对性的抑制注入的突变部分达到对均匀性高效校正。
- 离子研磨装置-201880096759.0
- 鸭志田齐;高须久幸;上野敦史 - 株式会社日立高新技术
- 2018-08-31 - 2021-03-30 - H01J37/30
- 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
- 专利分类
