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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]原子探针分析方法、装置及记录媒体-CN201910236350.0有效
发明人： 洪世玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01Q30/04 文献下载
摘要：本揭露提供一种原子探针分析方法、装置及记录媒体。所述方法包括下列步骤：利用脉冲激光器照射包括测试样品的原子探针；利用质谱仪分析由原子探针表面射出的离子以获得质谱图，其中所述离子包括一元素的多种量体且具有多种价数；以及对各量体的不同价数的离子在质谱图中对应的质荷比的计数值进行归一化，以获得各量体的离子所占的比例，并用以修正各量体的离子的定量结果。
原子探针分析方法装置记录媒体

[发明专利]样品载台及修饰样品的系统及方法-CN202110339352.X在审
发明人： 洪世玮;林义翔;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及样品载台及修饰样品的系统及方法。本揭露提供一种样品载台，其包含基座及第一样品支柱。所述基座具有第一表面。所述第一样品支柱设置于所述基座的所述第一表面，所述第一样品支柱的顶面具有沟槽用以放置样品。本揭露还包含使用所述样品载台的样品修饰系统及方法。
样品修饰系统方法

[发明专利]用于对结构加工的机台及方法-CN202110067616.0在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于对结构加工的机台及方法。对所述结构加工的机台包括：电子束镜筒、离子束镜筒、离子束掩模、处理器及控制器。所述电子束镜筒可对工件照射电子束以获得所述工件的电子束图像，而所述离子束镜筒可对所述工件照射离子束以获得所述工件的离子束图像，并对所述工件进行加工。所述处理器可辨识所述电子束图像及所述离子束图像，并计算获得所述工件的位置信息，控制器再依所述位置信息控制离子束镜筒、离子束掩模、所述工件的相对位置。
用于结构加工机台方法

[发明专利]用于半导体器件制造工具器具的测量的系统及其方法-CN201710463097.3有效
发明人： 洪世玮;吕长隆;林剑锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：描述了包括提供基于激光的测量工具的方法及其对应的系统。半导体制造加工工具的器具(例如，衬托器)提供至基于激光器的测量工具，其中，使用蓝色波长辐射对器具的表面执行多个测量。该测量是距离参考平面的距离(例如，埃米)并且提供衬托器的表面的迹象。衬托器的表面轮廓可能影响在使用衬托器的目标衬底上沉积的层，测量值提供衬托器的处理。本发明实施例涉及一种用于半导体器件制造工具器具的测量的系统及其方法。
用于半导体器件制造工具器具测量系统及其方法

[发明专利]度量工具及侦测其中电离原子的方法与带电粒子侦测系统-CN201910578238.5有效
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本揭露提供一种度量工具、带电粒子侦测系统及用于侦测半导体度量工具中的电离原子的方法。度量工具包括粒子产生系统、局部电极、粒子捕捉装置、位置侦测器与处理器。粒子产生系统配置以从样品中移除粒子。局部电极配置以产生吸引电场，并将被移除的粒子引向局部电极的孔径。粒子捕捉装置配置以在样品与局部电极之间的区域周围产生排斥电场，并将被移除的粒子排斥到孔径。位置侦测器配置以确定被移除的粒子的二维位置座标与被移除的粒子的飞行时间。处理器配置以基于飞行时间来辨识被移除的粒子。
度量工具侦测其中电离原子方法带电粒子系统

[发明专利]原子探针层析成像试样的元件-CN202110127599.5在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本揭露公开一种原子探针层析成像试样的元件，以及针对制备原子探针层析成像(atom probe tomography，APT)试样的技术。所揭示技术直接在晶圆上的DUT区域上形成APT试样或样本。APT试样与基板或在APT试样之下的支撑结构(例如，载体)整体地形成。进行激光图案化以形成DUT中的沟槽及在沟槽中的一或更多个凸块结构。激光图案化相对粗糙且在凸块结构中的每一者上形成粗糙的表面纹理。接着进行使用双束聚焦离子束(FIB)显微镜的低kV气体离子铣削，以使凸块结构成形为APT试样。
原子探针层析成像试样元件

[发明专利]显微试片制备方法、装置及记录介质-CN202010082608.9在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：撷取待测对象的测试影像；辨识测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试影像中选择关注区域；利用激光切割关注区域中的测试样本，以产生间隙排列的测试样本作为多个目标样本；以及利用聚焦离子束切削各个目标样本为目标形状，以制备显微试片。
显微试片制备方法装置记录介质

[发明专利]半导体组件电阻值的量测方法、系统及装置-CN202010561625.0在审
发明人： 洪世玮;李正中;倪绪之 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体组件电阻值的量测方法、系统及装置。此方法包括下列步骤：移载待测组件至样本支柱并利用切削装置将待测组件切削为针尖状的显微样本；利用原子探针分析装置分析显微样本的掺杂浓度，获得掺杂浓度分布；以及利用线性拟合法产生横跨掺杂浓度分布中的关注区域的切线，并分析切线上的掺杂浓度的变化曲线，以量测关注区域的电阻值。
半导体组件阻值方法系统装置

[发明专利]显微试片制备方法、装置及记录介质-CN202010072192.2在审
发明人： 洪世玮;杜家玮;李正中;郭彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供一种显微试片制备方法、装置及记录介质。此方法包括下列步骤：辨识一测试影像中的多个测试样本，并根据辨识结果从测试样本中挑选目标样本；将目标样本移载至样本支柱，并获取移载后目标样本的俯视图，以辨识俯视图中目标样本的中心点；以及根据此中心点与目标样本的切削图案之间的位移，移动切削目标样本所使用的掩模的位置，以切削目标样本。
显微试片制备方法装置记录介质

[发明专利]半导体结构样本制备及分析系统-CN201911081551.4在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明实施例提供用于确定半导体结构样本中的缺陷的系统及方法，所述半导体结构样本被制备用于显微分析。一种半导体结构样本制备及分析系统包括半导体结构样本，所述半导体结构样本包括结构、位于结构上的保护性顶盖层及位于保护性顶盖层上的间隙填充剂材料。显微装置获取半导体结构样本的图像。样本缺陷识别电路系统基于所获取的图像来确定半导体结构样本中缺陷的存在。
半导体结构样本制备分析系统

[发明专利]针状样品、针状样品的分析以及制备方法-CN201910298408.4在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种针状样品包括样品部、底座部以及焊料部。样品部包括针状尖端以及感兴趣区域。底座部连接样品部，其中所述样品部的最大长度与所述针状样品在所述样品部相对于所述针状尖端的底端处的直径的比值介于1至2.5之间。焊料部覆盖样品部的侧面并连接于样品部与底座部之间。针状样品的分析方法以及制备方法也被提出。
针状样品分析以及制备方法

[发明专利]制程设备及化学气相沉积制程-CN201610574665.2有效
发明人： 洪世玮;张家睿;林剑锋;潘正扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭露一种制程设备及化学气相沉积制程。制程设备包含制程腔体、晶圆承托装置、至少一排气管路以及至少一排气通道。晶圆承托装置位于制程腔体中，晶圆承托装置具有晶圆承托位置，晶圆承托位置将制程腔体区分为位于晶圆承托位置上方的上腔体，以及位于晶圆承托位置下方的下腔体。排气通道连通下腔体与排气管路。
设备化学沉积

[发明专利]半导体制造工具的热反射器、热反射系统与制造系统-CN201710061111.7有效
发明人： 洪世玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供具有改善热均匀性用于一基材的热处理的一系统与装置，在一些实施例中，该系统包含一加热元件、一基材固定元件可以固定一基材，以及一反射结构可以将加热元件的热能引向固定于该基材固定元件的该基材，该反射结构包含一纹理部分，其中该纹理部分的一纹理的配置为将该热能引向该固定的基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含一粗糙化不规则表面的配置为将该热能引向该固定的基材。在一些这样的实施例中，该纹理包含多个圆周脊结构的配置为将该热能引向该固定的基材。
半导体制造工具反射系统

[发明专利]原子探针断层分析样品的制备方法-CN201910698003.X在审
发明人： 洪世玮;李正中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本揭示案的实施例涉及原子探针断层分析(APT)样品的制备方法。将半导体装置中的一结构识别为包括用于APT程序的测试物件。在将获取APT样品的结构中识别靶区域。对靶区域进行分析，以判断其内是否存在问题元件特征。问题元件可包括难以蒸发的材料、中空区域、相对于测试物件不可识别的材料、或对APT分析造成问题的其他结构特征。若判定问题元件存在于靶区域中，则在制备APT样品之前，将问题元件替换为更适合的材料。
问题元件测试物件靶区域制备半导体装置断层分析结构识别原子探针中空区域对靶替换判定蒸发分析

[发明专利]针状试片、其制备方法以及其分析方法-CN201611043670.7有效
发明人： 洪世玮;黄瑞莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种针状试片、其制备方法以及其分析方法。针状试片包括衬底、组件层以及散热层。组件层配置于衬底上，包括感兴趣区域。散热层覆盖衬底与组件层的暴露表面，散热层的热导率大于衬底的热导率。
衬底针状散热层组件层试片热导率制备感兴趣区域暴露表面分析覆盖配置

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