[发明专利]用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法

说明书

提供了用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法。所述用于检测光刻胶的材料可以包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年12月20日提交的第10-2017-0176301号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部并入本文。

技术领域

提供了用于检测光刻胶的材料和使用其制造半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度增加，曝光光源的波长减小，并且工艺转换为使用I线(365nm)、KrF激光(248nm)或ArF激光(193nm)的工艺，与该转换一致的是，正在进行各种材料的开发。具体地，随着半导体器件的尺寸减小，并且由于在工艺期间产生的残余物或污染物导致变形的图案影响了半导体器件的性能、产量和可靠性，所以对于预先验证材料的需求正在增加。

光刻胶是光敏聚合物化合物，光刻胶可以通过由于曝光时组分的化学变化引起的物理变化以及通过在显影工艺期间曝光部分和未曝光部分的选择性溶解而形成在晶片上。为了制造可靠的半导体器件，会需要检查在曝光之后光刻胶图案是否形成为期望的形状或在去除光刻胶图案之后光刻胶残余物是否残留。

发明内容

提供了一种用于检测光刻胶的材料。

另外，提供了一种制造具有改善的可靠性的半导体器件的方法。

根据示例实施例的一方面，为了解决上述任务，用于检测光刻胶的材料包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，其中，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

根据示例实施例的一方面，用于检测光刻胶的材料包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，其中，所述光刻胶的表面上的目标分子能够插入到所述中空结构中，因此所述用于检测光刻胶的材料结合到所述光刻胶。

根据示例实施例的一方面，制造半导体器件的方法包括：形成步骤，在晶片上形成包括第一部分和第二部分的光刻胶层；去除步骤，去除所述第一部分和留下所述光刻胶层的所述第二部分；结合步骤，将用于检测光刻胶的材料结合到所述第二部分的表面；以及检查步骤，检查所述第二部分。

附图说明

包括附图以提供对以上和/或其它方面的进一步理解，并且附图被并入本说明书且构成本说明书的一部分。附图示出示例实施例，并且与描述一起用于解释示例实施例的原理。在附图中：

图1示出根据示例实施例的用于检测光刻胶的材料的结构；

图2是示出根据示例实施例的半导体器件的制造方法的流程图，其中，光刻胶通过该制造方法被检测；

图3A至图3D是示出根据示例实施例的半导体器件的制造方法的剖视图，其中，光刻胶通过该制造方法被检测；

图4是图3C的“P1”部分的放大图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更详细地解释优选的示例实施例以对示例实施例进行具体解释。

图1示出根据示例实施例的用于检测光刻胶的材料的结构。

参照图1，根据示例实施例的用于检测光刻胶的材料5可以包括具有中空结构的大环分子5a和在大环分子5a上标记的荧光物质5b。大环分子5a的中空结构的内部可以是疏水的。

大环分子5a可以是例如环糊精(CD)、葫芦脲(cucurbituril，CB)、杯芳烃、柱芳烃(pillararene)和索烃中的至少一种。