[发明专利]用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于检测光刻胶的材料，所述材料包括：

具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，

其中，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的用于检测光刻胶的材料，其中，所述荧光物质是花青类荧光物质或若丹明类荧光物质。

3.根据权利要求1所述的用于检测光刻胶的材料，其中，

所述环糊精包括6-8个葡萄糖分子，

所述葫芦脲包括5-12个甘脲分子，

所述杯芳烃包括4-8个苯酚基，

所述柱芳烃包括5-10个对苯二酚基。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成步骤，在晶片上形成包括第一部分和第二部分的光刻胶层，

去除步骤，去除所述光刻胶层的所述第一部分和留下所述光刻胶层的所述第二部分，

结合步骤，将用于检测光刻胶的材料结合在所述第二部分的表面上，以及

检查步骤，检查所述第二部分以检测所述光刻胶。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述结合步骤包括通过涂覆、浸渍或喷射工艺供应所述用于检测光刻胶的材料的供应步骤。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，所述方法还包括在所述供应步骤之后去除没有结合到所述第二部分的用于检测光刻胶的材料的清洗步骤。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中，使用水执行所述清洗步骤。

8.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述用于检测光刻胶的材料包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二部分包括结合到所述第二部分的所述表面的目标分子，

在所述结合步骤中，所述目标分子插入到所述大环分子的所述中空结构中。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述目标分子包括金刚烷、环碳化合物、含环烷基的化合物、饱和烃和芳烃中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述目标分子包括中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，

所述环糊精包括6-8个葡萄糖分子，

所述葫芦脲包括5-12个甘脲分子，

所述杯芳烃包括4-8个苯酚基，

所述柱芳烃包括5-10个对苯二酚基。

14.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述荧光物质是花青类荧光物质或若丹明类荧光物质。

15.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二部分是光刻胶图案或光刻胶残余物。

16.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，使用羟化四甲铵或乙酸正丁酯执行所述去除步骤。

17.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，所述用于检测光刻胶的材料包括荧光物质，所述检查步骤包括测量荧光。