[发明专利]一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S1：提供待测区域以及该待测区域所用的上位机；

步骤S2：根据所述上位机触发信号，采集所述待测区域图像信息，并经过灰度化和去噪处理得到待处理的灰度化图像信息；

步骤S3：对所述灰度化图像信息，根据半导体引线框架中共有的芯片间具有矩形分割的特点，找到每一工步ROI区域；

步骤S4：计算所述每一工步ROI区域内芯片数量，并找到每一芯片的ROI区域；

所述S4的具体步骤为，在所述每一工步ROI区域内根据芯片引脚切筋成型后均会形成矩形轮廓的特点，找到所有芯片数量，与模板芯片数量对比，如不一致，直接进入步骤S6返回检测错误信息；如一致，裁剪每个芯片的区域作为所述每一芯片的ROI区域；

步骤S5：在所述每一芯片的ROI区域内计算芯片信息；

步骤S6：将所述芯片数量和所述芯片信息分别与模版信息对比后，向所述上位机反馈检测结果。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法，其特征在于：所述S2的具体步骤为，根据所述上位机发送的检测开始命令，工业相机采集检测区域的图像信息并转化为灰度化图像信息，再通过均值滤波得到待处理的图像信息。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法，其特征在于：所述S3的具体步骤为，根据所有引线框架中共有的芯片间具有矩形分割的特点，找到分割矩形的中心点并拟合成多条分割线，其中两条分割线之间为所述每一工步ROI区域，再根据分割线的斜率进行旋转，去除机械定位误差导致引线框架倾斜引起的计算误差。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法，其特征在于：所述S5的具体步骤为，对所述每一芯片ROI区域图像信息进行二值化和边缘化处理，分别计算芯片信息；

所述芯片信息包括芯片外形尺寸、塑封体尺寸、芯片引脚数、脚间距和跨度信息。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法，其特征在于：所述S6的具体步骤为，将所述芯片信息与标准模板的信息进行对比，向所述上位机反馈检测的结果信息。