[发明专利]SiC衬底的刻蚀方法

权利要求书

1.一种SiC衬底的刻蚀方法，所述刻蚀在反应腔室内进行，其特征在于，所述刻蚀方法交替执行刻蚀步骤和副产物排出步骤；

在所述刻蚀步骤，对设于所述反应腔室内的所述SiC衬底进行刻蚀；

在所述副产物排出步骤，排出所述反应腔室内的反应副产物；

所述刻蚀步骤采用的反应腔室压力P1与所述副产物排出步骤采用的反应腔室压力P2之差不大于第一阈值，所述刻蚀步骤采用的上电极射频功率W1与所述副产物排出步骤采用的上电极射频功率W2之差不大于第二阈值，所述刻蚀步骤采用的总气体流量Q1与所述副产物排出步骤采用的总气体流量Q2之差不大于第三阈值，以使在刻蚀步骤和副产物排出步骤保持相近或相同的反应腔室压力、上电极射频功率和总气体流量。

2.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤采用的下电极射频功率为0～200W。

3.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤的持续时间T2与所述刻蚀步骤的持续时间T1的比值为5％～15％。

4.根据权利要求3所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的持续时间T1为10～600s，所述副产物排出步骤的持续时间T2为1～60s。

5.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤采用的反应腔室压力P2为2-100mT。

6.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤采用的上电极射频功率W2为300～3000W。

7.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤采用的总气体流量Q2为100～1000sccm。

8.根据权利要求1所述的SiC衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述副产物排出步骤采用的工艺气体包括氩气、氦气、氧气、氮气的至少其中之一。