[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

一种半导体封装装置包含：第一裸片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及第一粘合剂层，其安置于所述第一裸片的所述第一表面上。所述半导体封装装置进一步包含：囊封剂层，其囊封所述第一裸片和所述第一粘合剂层；以及第一导电通孔，其安置在所述第一粘合剂层中且电连接到所述第一裸片。

相关申请的交叉参考

本申请主张2016年7月15日申请的第62/363,130号美国临时申请的权益和优先权，所述临时申请的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置(例如裸片或芯片)可附接到载体且由囊封剂囊封从而形成半导体装置封装。为促成小型化，腔可形成于载体中以容纳半导体装置。保护膜可层压到半导体装置和载体。可通过例如光刻技术、镀敷技术或其它适当技术形成于半导体装置上方的再分布结构可用于外部连接。然而，此制造半导体装置封装的工艺可能较昂贵。此外，此工艺可涉及极精确的对准和对齐技术。

发明内容

在一或多个实施例中，根据本发明的一个方面，一种半导体封装装置包含：第一裸片，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及第一粘合剂层，其安置于第一裸片的第一表面上。所述半导体封装装置进一步包含：囊封剂层，其囊封第一裸片和第一粘合剂层；以及第一导电通孔，其安置在第一粘合剂层中且电连接到第一裸片。

在一或多个实施例中，根据本发明的另一方面，一种半导体封装装置包含：功率装置，其包含第一导电垫；粘合剂层，其安置于功率装置上；以及封装本体，其囊封功率装置和粘合剂层。所述半导体封装装置进一步包含：第一导电柱，其安置在粘合剂层中且接触第一导电垫；以及晶种层，其安置于第一导电垫和第一导电柱之间。

在一或多个实施例中，根据本发明的另一方面，一种制造半导体封装装置的方法包含提供其上具有第一导电层的载体，在第一导电层上形成粘合剂层，以及将裸片的第一侧附接到粘合剂层，所述裸片包括第一侧处的至少一个导电垫。所述方法进一步包含用囊封剂层囊封裸片和粘合剂层，移除载体，移除第一导电层的一部分以暴露粘合剂层的一部分，移除粘合剂层的暴露部分从而形成粘合剂层中的第一开口，以及用导电材料填充第一开口从而形成第一导电通孔。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。各种特征可能未按比例绘制，且所描绘的特征的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。

图1说明根据本发明的第一方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。

图2A、图2B、图2C说明根据本发明的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I、图3J和图3K说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。

图4A、图4B、图4C和图4D说明根据本发明的第三方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。

图5说明根据本发明的第四方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G和图6H说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。

贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易地理解本发明。

具体实施方式