[发明专利]微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201710370047.0 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107170771B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/56 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 封装 结构 及其 方法 | ||
本发明提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法。本发明的微发光二极管阵列基板的封装结构,包括基板、微发光二极管阵列、及光阻保护层;所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管;所述光阻保护层对应所述数个微发光二极管的位置设有数个阵列排布的过孔,所述数个微发光二极管分别位于所述数个过孔当中;每一过孔内均填充有一个上表面呈凸起状的并覆盖相应过孔内微发光二极管的UV树脂微透镜;能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板,并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件,由于其较普通LED的尺寸要小很多,从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能,Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
由于晶格匹配的原因,Micro LED器件必须先在蓝宝石类的供给基板上通过分子束外延的方法生长出来,随后通过激光剥离(Laser lift-off,LLO)技术将微发光二极管裸芯片(bare chip)从供给基板上分离开,然后通过微转印(Micro Transfer Print,NTP)技术将其转移到已经预先制备完成电路图案的接受基板上,形成Micro LED阵列,进而做成Micro LED显示面板。其中,微转印的基本原理大致为:使用具有图案化的传送头(Transferhead),例如具有凸起结构的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)类传送头,通过具有粘性的PDMS传送层(Transfer layer)将Micro LED bare chip从供给基板吸附起来,然后将PDMS传送头与接受基板进行对位,随后将PDMS传送头所吸附的Micro LED barechip贴附到接受基板预设的位置上,再将PDMS传送头从接受基板上剥离,即可完成MicroLED bare chip的转移,形成Micro LED阵列基板,进一步地,所述接受基板是已经预先制备完成电路图案的硅基板,其可以为柔性也可以为刚性。
在现有Micro LED显示面板的制作过程中,为了保护Micro LED及其下方的驱动基板,并改善Micro LED阵列的发光效果,提出一种新的Micro LED阵列基板的封装结构及其封装方法,是本领域亟需解决的技术问题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构,能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板,并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。
本发明的目的还在于提供一种微发光二极管阵列基板的封装方法,能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板,并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。
为实现上述目的,本发明提供了一种微发光二极管阵列基板的封装结构,包括基板、设于所述基板上的微发光二极管阵列、设于所述基板上的光阻保护层;
所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管;所述光阻保护层对应所述数个微发光二极管的位置设有数个阵列排布的过孔,所述数个微发光二极管分别位于所述数个过孔当中;
每一过孔内均填充有一个上表面呈凸起状的UV树脂微透镜;每一UV树脂微透镜分别覆盖相应过孔内的微发光二极管。
所述光阻保护层的材料与UV树脂微透镜的材料分别为疏水材料和亲水材料中的一种;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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