[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法

权利要求书

1.一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、利用等离子体增强化学气相沉积技术，在图形化蓝宝石衬底上沉积一层薄膜，并对薄膜表面的微粒进行清除，并进行低温烘干处理；

S2、在旋转速度为1000～6000RPM，且旋转加速度不变的情况下，将液态光刻胶和增粘剂按质量比为1:0.02～0.06滴加到衬底薄膜层面中间，利用离心力，将液体光刻胶均匀覆盖在晶片表面，然后将带有光刻胶的衬底放在热板上进行烘烤，烘烤温度为80～110℃，烘烤时间为30～90s，形成厚度为0.8～1.2μm的光刻胶膜；

S3、保持掩膜版与衬底的距离为2～4cm，将掩膜版上的图形文件投影到衬底光刻胶膜上，设定曝光条件，利用步进式高精度曝光机先对掩膜版上的图形文件进行部分成像曝光，然后利用扫描或分布重复的方法完成对掩膜版上所有图形文件的曝光；

S4、在旋转速度为300～600RPM，且旋转加速度不变的情况下，将显影液喷涂在步骤S3中曝光后的衬底光刻胶膜表面进行显影处理，将掩膜版上的图形文件转移到衬底光刻胶膜表面，显影完成后对其进行显影检查。

2.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，所述步骤S1中的薄膜为SiO₂薄膜、Ni薄膜、Si₃N₃薄膜或Si₃N₄薄膜中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，所述步骤S1中的微粒清除方法为化学湿法清洗法、高压氮气吹除法或高压水喷溅中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，所述步骤S3中的曝光条件为：曝光焦点控制在最佳焦点的±0.5um以内，曝光时间为100～300ms。

5.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，所述步骤S4中的显影处理之前和显影处理之后均应进行烘烤处理。

6.根据权利要求5所述的一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法，其特征在于，所述显影处理之前的烘烤温度为85～100℃，烘烤时间为18～25s；显影处理之后的烘烤温度为105～115℃，烘烤时间为20～40s。